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4H-N SiC Sottostrato Silicio Carbonio Sottostrato Quadrato 5mm*5mm Spessore personalizzato 350um Prime Grade/ Dummy Grade

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Wafer di carburo di silicio Sic Substrato 4H-P Tipo fuori asse 4,0° verso zero Grado per sensore di temperatura

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2 pollici 4 pollici 6 pollici Sic Substrato di Carburo di Silicio 6H Tipo dopato ad alta P Off Axis 4,0° verso Prime Grade Dummy Grade

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Opzione di substrato di carburo di silicio (SiC) per applicazioni industriali di alto livello

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4 pollici 4H-N Carburo di silicio SiC Substrato Dia 100mm N tipo Prime Grade Dummy Grade Spessore 350um Personalizzato

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Wafer in carburo di silicio SiC da 8 pollici 4H-N Tipo P/D/R Grado Mohs.9 Personalizzazione per più applicazioni

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Sic Substrato di carburo di silicio tipo 6H-P sull'asse 0° Durezza di Mohs 9.2 per dispositivo laser

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4° Sottoasse SiC Substrato 2 pollici Applicazioni ad alta temperatura Wafer epitaxial

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6 pollici di carburo di silicio semi-isolatore di SiC composto di substrato tipo P tipo N tipo single polish double polish grado di produzione

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6 pollici 8 pollici 4H-SEMI SiC Substrato per occhiali AR di grado ottico

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3 pollici HPSI Carburo di silicio SiC Spessore del substrato 500um Prime Grade Dummy Grade Research Grade Traslucido

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