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Lente ottica sic di cristallo trasparente Undoped del carburo di silicio con durezza 9,2

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SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

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Del grado 6inch di silicio del carburo substrati principali FITTIZI di spessore del wafer 0.5mm 0.35mm DSP 4H-N/semi sic

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La Cina Wafer epitassiale SiC ad altissima tensione da 6 pollici 100–500 µm per dispositivi MOSFET distributore
Wafer epitassiale SiC ad altissima tensione da 6 pollici 100–500 µm per dispositivi MOSFET

Sic substrato

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La Cina Wafer epitassiale SiC ad altissima tensione da 6 pollici 100–500 µm per dispositivi MOSFET fabbrica

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Wafer epitaxial SiC ad ultraalta tensione da 6 pollici Wafer epitaxiale SiC ad ultraalta tensione da 6 pollici 100 ‰ 500 μm Per dispositivi MOSFET Questo prodotto è un strato epitaxiale di carburo di silicio ... Leggi di più
2025-08-29 14:40:56
La Cina Finestre ottiche quadrate personalizzate Verde Moissanite Cristallo SiC Alta durezza fabbrica

Finestre ottiche quadrate personalizzate Verde Moissanite Cristallo SiC Alta durezza
Contatto

Visto d'insieme della finestra quadrata di moissanite verde Finestre ottiche quadrate personalizzate Moissanite verde SiC Cristallo Alta durezza La finestra quadrata di moissanite verde è un piano ottico ad ... Leggi di più
2025-08-28 11:15:32
La Cina Wafer SICOI da 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici 4H-SiC su isolante, film di SiC da 100 a 150 mm SU silicio fabbrica

Wafer SICOI da 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici 4H-SiC su isolante, film di SiC da 100 a 150 mm SU silicio
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SICOI Wafers Overview 4 pollici 6 pollici 8 pollici SICOI wafer 4H-SiC su isolante 100 a 150 mm sic film su silicio SICOI (Silicon Carbide on Insulator) wafers represent a high-performance semiconductor ... Leggi di più
2025-08-14 11:19:19
La Cina 2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4 H-SiC Substrati 3C-N Tipo MOS Grado fabbrica

2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4 H-SiC Substrati 3C-N Tipo MOS Grado
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Visualizzazione dei substrati 3C-SiC 2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4 H-SiC Substrati 3C-N Tipo MOS Grado Il substrato di carburo di silicio (3C-SiC) di tipo 3C-N è un materiale ... Leggi di più
2025-08-14 11:19:17
La Cina Substrato 3C-SiC di tipo N per applicazioni 5G fabbrica

Substrato 3C-SiC di tipo N per applicazioni 5G
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Descrizione del prodotto del substrato 3C-SiC Substrato 3C-SiC Tipo N Grado del prodotto per comunicazioni 5G ZMSH è specializzata nella ricerca e sviluppo e nella produzione di materiali semiconduttori di ... Leggi di più
2025-08-14 11:19:16
La Cina Carburo di silicio (SiC) in polvere ad alta purezza 99,9999% (6N) HPSI Tipo 100μm Dimensione delle particelle SIC Crescita cristallina fabbrica

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Riepilogo Carburo di silicio (SiC) in polvere ad alta purezza 99,9999% (6N) HPSI Tipo 100μm Dimensione delle particelle SIC Crescita cristallina La polvere di carburo di silicio (SiC), come materiale di base ... Leggi di più
2025-08-14 11:19:05
La Cina 6 pollici 8 pollici 4H-SEMI SiC Substrato per occhiali AR di grado ottico fabbrica

6 pollici 8 pollici 4H-SEMI SiC Substrato per occhiali AR di grado ottico
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6 pollici 8 pollici 4H-SEMI SiC Substrato Substrato SiC di tipo Semi-H di grado ottico 6 pollici 8 pollici per occhiali AR Un rivoluzionario substrato 4H-SiC di grado ottico progettato appositamente per ... Leggi di più
2025-08-08 11:34:11
La Cina Substrato SiC da 6 pollici 4H-SEMI per occhiali AR e dispositivi RF 5G fabbrica

Substrato SiC da 6 pollici 4H-SEMI per occhiali AR e dispositivi RF 5G
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​​Panoramica del substrato SiC 4H-SEMI da 6 pollici​​ Substrato SiC 4H-SEMI da 6 pollici per occhiali AR Il substrato in carburo di silicio (4H-SiC) 4H-SEMI da 6 pollici è un materiale semiconduttore a banda ... Leggi di più
2025-08-08 11:34:11
La Cina Substrato SiC di tipo 4H-N Wafer 10x10mm per elettronica di potenza fabbrica

Substrato SiC di tipo 4H-N Wafer 10x10mm per elettronica di potenza
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Sottostrato di SiC 10×10 mm Visualizzazione del prodotto 4H-N Substrato SiC tipo 10×10 mm Wafer piccolo Forma e dimensioni personalizzabili Il piccolo wafer SiC 10×10 è un prodotto semiconduttore ad alte ... Leggi di più
2025-07-31 09:09:08
La Cina 8 pollici SiC Epitaxial Substrato MOS Grade Prime Grade 4H-N Tipo Grande diametro fabbrica

8 pollici SiC Epitaxial Substrato MOS Grade Prime Grade 4H-N Tipo Grande diametro
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Riassunto del prodotto di Wafer epitaxiale SiC da 8 pollici 8 pollici SiC Epitaxial Substrato MOS Grade Prime Grade 4H-N Tipo Grande diametro Come fattore chiave per il progresso dei semiconduttori di terza ... Leggi di più
2025-07-28 15:29:25
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Sic substrato

L'elevata purezza non-ha verniciato il wafer del carburo di silicio sic, substrato del carburo di silicio di 6Inch 4H-Semi sic

6H a 2 pollici - basso consumo energetico del wafer del carburo di silicio dei semi per il rivelatore

sic carburi di silicio del lingotto 4inch spessore di 15mm - di 5 per i semiconduttori

4H-SEMI ha lucidato sic la durezza della lente 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 del wafer per il materiale del dispositivo

Wafer dello zaffiro

Orientamento su ordinazione dello speciale di Windows di vetro/zaffiro dello zaffiro del wafer a semiconduttore

Wafer di zaffiro Spessore 0,43 mm Componenti di zaffiro Dimensioni e orientamenti personalizzati

Di cristallo quadrato del wafer dello zaffiro/zaffiro 10x10mm 5x5mm per la lente ottica

2°Off C - zaffiro sintetico Epi di vetro di asse - diametro a 2 pollici 50.8mm dei substrati pronti

Wafer del nitruro di gallio

Spessore di GaN Wafer 350um del nitruro di gallio dell'esposizione della proiezione del laser

2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template indipendente per principale

Modello di 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN sul wafer dello AlN-Su-zaffiro del EPI-wafer dello zaffiro

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