Riassunto del prodotto di Wafer epitaxiale SiC da 8 pollici 8 pollici SiC Epitaxial Substrato MOS Grade Prime Grade 4H-N Tipo Grande diametro Come fattore chiave per il progresso dei semiconduttori di terza ... Leggi di più
Riassunto del prodotto di Wafer epitaxiale SiC da 8 pollici 8 pollici SiC Wafer epitaxial Diametro 200 mm Spessore 500 μm Tipo 4H-N In qualità di fornitore di materiali di base nella catena industriale del SiC ... Leggi di più
2 pollici 3 pollici 4 pollici e 6 pollici Wafer epitaxiali SiC - panoramica 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici SiC Wafers Epitaxial 4H-N Production Grade Profilo aziendale: In qualità di fornitore leader ... Leggi di più
Riassunto tecnico di un wafer epitaxial SiC da 6 pollici 6 pollici di SiC Epitaxial Wafer Diametro 150mm N tipo P tipo per la comunicazione 5G Come materiale di base per la fabbricazione di dispositivi di ... Leggi di più
Wafer epitaxial SiC da 4 pollici Wafer epitaxial SiC da 4 pollici 4H-N Diametro 100 mm Spessore 350 μm Prime Grade Come materiale di base per la fabbricazione di dispositivi di alimentazione a carburo di ... Leggi di più
2 pollici di Wafer epitaxial SiC 4H panoramica 2 pollici di diametro 50,8 mm 4H-N tipo SiC Wafer epitaxial per sensori ad alta temperatura ZMSH è un fornitore leader a livello mondiale di soluzioni per ... Leggi di più
4H-N 2/3/4/6/8/12 pollici di carburo di silicio (SiC) Substrato Questa serie di prodotti fornisce substrati di carburo di silicio (SiC) di alta purezza in più diametri (2", 3", 4", 6", 8" e 12"), progettati ... Leggi di più
HPSI Wafer SiC semi-isolatrici ad alta purezza I wafer in carburo di silicio (SiC) HPSI (High Purity Semi-Isolating) sono substrati semiconduttori avanzati progettati per applicazioni ad alta frequenza, alta ... Leggi di più
Abstract diWafer a base di SiCOI 4 pollici 6 pollici 8 pollici 4H-SiCOI Wafers SiC composito su substrati isolanti I wafer SICOI (Silicon Carbide on Insulator) rappresentano una tecnologia avanzata di ... Leggi di più
Abstract diWafer di semi di SiC Dischi di semi di cristalli di SiC Dia 205 203 208 Crescita PVT/HTCVD di grado di produzione Le Wafer a cristallo di semi di carburo di silicio (SiC) sono i materiali fondamenta... Leggi di più