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La Cina 8 pollici SiC Epitaxial Substrato MOS Grade Prime Grade 4H-N Tipo Grande diametro distributore
8 pollici SiC Epitaxial Substrato MOS Grade Prime Grade 4H-N Tipo Grande diametro

Sic substrato

(131)
La Cina 8 pollici SiC Epitaxial Substrato MOS Grade Prime Grade 4H-N Tipo Grande diametro fabbrica

8 pollici SiC Epitaxial Substrato MOS Grade Prime Grade 4H-N Tipo Grande diametro
Contatto

Riassunto del prodotto di Wafer epitaxiale SiC da 8 pollici 8 pollici SiC Epitaxial Substrato MOS Grade Prime Grade 4H-N Tipo Grande diametro Come fattore chiave per il progresso dei semiconduttori di terza ... Leggi di più
2025-07-28 15:29:25
La Cina Wafer Epitassiale SiC da 8 pollici, diametro 200mm, spessore 500μm, tipo 4H-N fabbrica

Wafer Epitassiale SiC da 8 pollici, diametro 200mm, spessore 500μm, tipo 4H-N
Contatto

Riassunto del prodotto di Wafer epitaxiale SiC da 8 pollici 8 pollici SiC Wafer epitaxial Diametro 200 mm Spessore 500 μm Tipo 4H-N In qualità di fornitore di materiali di base nella catena industriale del SiC ... Leggi di più
2025-07-28 15:29:25
La Cina Wafer Epitassiali SiC 4H-N di grado di produzione da 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici fabbrica

Wafer Epitassiali SiC 4H-N di grado di produzione da 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici
Contatto

2 pollici 3 pollici 4 pollici e 6 pollici Wafer epitaxiali SiC - panoramica 2 pollici 3 pollici 4 pollici 6 pollici SiC Wafers Epitaxial 4H-N Production Grade Profilo aziendale: In qualità di fornitore leader ... Leggi di più
2025-07-07 09:38:23
La Cina Wafer epitassiale SiC da 6 pollici, diametro 150mm, tipo 4H-N, tipo 4H-P, per comunicazioni 5G fabbrica

Wafer epitassiale SiC da 6 pollici, diametro 150mm, tipo 4H-N, tipo 4H-P, per comunicazioni 5G
Contatto

Riassunto tecnico di un wafer epitaxial SiC da 6 pollici 6 pollici di SiC Epitaxial Wafer Diametro 150mm N tipo P tipo per la comunicazione 5G Come materiale di base per la fabbricazione di dispositivi di ... Leggi di più
2025-07-07 09:23:01
La Cina Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime fabbrica

Wafer Epitassiale SiC 4H-N da 4 pollici, diametro 100 mm, spessore 350μm, grado Prime
Contatto

Wafer epitaxial SiC da 4 pollici Wafer epitaxial SiC da 4 pollici 4H-N Diametro 100 mm Spessore 350 μm Prime Grade Come materiale di base per la fabbricazione di dispositivi di alimentazione a carburo di ... Leggi di più
2025-07-01 13:16:40
La Cina Wafer Epitassiale SiC di Tipo 4H-N da 2 pollici (50,8 mm) di diametro per sensori ad alta temperatura fabbrica

Wafer Epitassiale SiC di Tipo 4H-N da 2 pollici (50,8 mm) di diametro per sensori ad alta temperatura
Contatto

2 pollici di Wafer epitaxial SiC 4H panoramica 2 pollici di diametro 50,8 mm 4H-N tipo SiC Wafer epitaxial per sensori ad alta temperatura ZMSH è un fornitore leader a livello mondiale di soluzioni per ... Leggi di più
2025-07-01 13:16:40
La Cina Carburo di silicio Wafer SiC 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Tipo Prime / Dummy / Research Grade fabbrica

Carburo di silicio Wafer SiC 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Tipo Prime / Dummy / Research Grade
Contatto

4H-N 2/3/4/6/8/12 pollici di carburo di silicio (SiC) Substrato Questa serie di prodotti fornisce substrati di carburo di silicio (SiC) di alta purezza in più diametri (2", 3", 4", 6", 8" e 12"), progettati ... Leggi di più
2025-06-17 13:40:54
La Cina HPSI Wafer SiC semi-isolatrici ad alta purezza da 2" 3" " 6 " 8" Prime/Dummy/Research Grade fabbrica

HPSI Wafer SiC semi-isolatrici ad alta purezza da 2" 3" " 6 " 8" Prime/Dummy/Research Grade
Contatto

HPSI Wafer SiC semi-isolatrici ad alta purezza I wafer in carburo di silicio (SiC) HPSI (High Purity Semi-Isolating) sono substrati semiconduttori avanzati progettati per applicazioni ad alta frequenza, alta ... Leggi di più
2025-06-17 13:32:22
La Cina Wafer 4 pollici 6 pollici 8 pollici 4H-SiCOI Substrati compositi SiC su isolante fabbrica

Wafer 4 pollici 6 pollici 8 pollici 4H-SiCOI Substrati compositi SiC su isolante
Contatto

Abstract diWafer a base di SiCOI 4 pollici 6 pollici 8 pollici 4H-SiCOI Wafers SiC composito su substrati isolanti I wafer SICOI (Silicon Carbide on Insulator) rappresentano una tecnologia avanzata di ... Leggi di più
2025-06-10 17:24:22
La Cina Dischi di semi di cristalli di SiC Dia 205 203 208 Crescita PVT/HTCVD di grado di produzione fabbrica

Dischi di semi di cristalli di SiC Dia 205 203 208 Crescita PVT/HTCVD di grado di produzione
Contatto

Abstract diWafer di semi di SiC Dischi di semi di cristalli di SiC Dia 205 203 208 Crescita PVT/HTCVD di grado di produzione Le Wafer a cristallo di semi di carburo di silicio (SiC) sono i materiali fondamenta... Leggi di più
2025-05-26 11:39:21
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Sic substrato

L'elevata purezza non-ha verniciato il wafer del carburo di silicio sic, substrato del carburo di silicio di 6Inch 4H-Semi sic

6H a 2 pollici - basso consumo energetico del wafer del carburo di silicio dei semi per il rivelatore

sic carburi di silicio del lingotto 4inch spessore di 15mm - di 5 per i semiconduttori

4H-SEMI ha lucidato sic la durezza della lente 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 del wafer per il materiale del dispositivo

Wafer dello zaffiro

Orientamento su ordinazione dello speciale di Windows di vetro/zaffiro dello zaffiro del wafer a semiconduttore

Wafer di zaffiro Spessore 0,43 mm Componenti di zaffiro Dimensioni e orientamenti personalizzati

Di cristallo quadrato del wafer dello zaffiro/zaffiro 10x10mm 5x5mm per la lente ottica

2°Off C - zaffiro sintetico Epi di vetro di asse - diametro a 2 pollici 50.8mm dei substrati pronti

Wafer del nitruro di gallio

Spessore di GaN Wafer 350um del nitruro di gallio dell'esposizione della proiezione del laser

2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template indipendente per principale

Modello di 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN sul wafer dello AlN-Su-zaffiro del EPI-wafer dello zaffiro

wafer del modello di GaN AlN del nitruro di gallio di 2inch 4Inch su zaffiro, substrati di si

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