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Casa PRODOTTI

Wafer di epitaxia al carburo di silicio

Wafer di epitaxia al carburo di silicio

Wafer di epitaxia al carburo di silicio

Marchio:	ZMSH

Informazioni dettagliate

Descrizione di prodotto

Informazioni dettagliate

Politipo:

6h

Conduttività:

Tipo N

Finitura superficiale:

SSP/DSP, CMP/MP

Orientamento:

4° verso <11-20>±0,5°

Applicazioni:

MOSEFT/SBD/JBS

Descrizione di prodotto

Etichette:

sic wafer

sic substrato

substrato del carburo di silicio

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