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Wafer Sic in carburo di silicio

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Buon prezzo Materiale a semiconduttore dei wafer di 4H-N 4inch 6inch sic per lo SBD MOS Device in linea
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Wafer SiC da 8 pollici Wafer Carburo di Silicio Prime Dummy Research Grade 500um 350 Um

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​​Wafer HPSI SiC da 2-12 pollici, grado ottico per occhiali AI/AR​​

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Linea di lucidatura di wafer di silicio e SiC da 6 ′′ 8 con teste quadrate e montaggio a ciclo chiuso

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L'elevata purezza non-ha verniciato il wafer del carburo di silicio sic, substrato del carburo di silicio di 6Inch 4H-Semi sic

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Wafer Sic da 12 pollici Carburo di silicio 4H-N Tipo di produzione Grado di manichino Grado di grandi dimensioni

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Wafer SIC in carburo di silicio 10*10 mm 6H-P Spessore 350μm Per dispositivi ad alta potenza

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Wafer Sic a carburo di silicio da 4 pollici Tipo 4H-P Diametro 100 mm Spessore 350 μm Grado primario Grado di ricerca

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HPSI Wafer SiC semi-isolatrici ad alta purezza da 2" 3" " 6 " 8" Prime/Dummy/Research Grade

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