logo
Buon prezzo  in linea

Dettagli dei prodotti

Created with Pixso. Casa Created with Pixso. PRODOTTI Created with Pixso.
Sic substrato
Created with Pixso. Wafer SiC semi-isolatore ad alta purezza HPSI Sottostrato di carburo di silicio per dispositivi di alimentazione e RF

Wafer SiC semi-isolatore ad alta purezza HPSI Sottostrato di carburo di silicio per dispositivi di alimentazione e RF

Marchio: ZMSH
Numero di modello: Wafer SiC HPSI
MOQ: Per caso
prezzo: Fluctuate with current market
Tempo di consegna: 2-4 settimane
Condizioni di pagamento: T/T
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Cina
Luogo di origine:
Shangai
tipo:
Semi-isolamento
Finitura superficiale:
SSP/DSP, CMP/MP
Applicazioni:
HEMT GaN, MOSFET SiC, amplificatori RF
Imballaggi particolari:
In cassette o contenitori per wafer singoli
Capacità di alimentazione:
1000 pezzi/mese
Descrizione di prodotto

 

Descrizione del prodotto

 

 

 

I wafer SiC semiisolanti ad alta purezza (HPSI) sono substrati avanzati in carburo di silicio monocristallino progettati per dispositivi elettronici di potenza, RF e ad alta frequenza. Offrono eccellenteconduttività termica, altoresistività, fortestabilità chimicae superioredurezza meccanica. Ideali come substrato per HEMT GaN, MOSFET SiC e altre applicazioni ad alta potenza e alta frequenza, i wafer HPSI garantiscono perdite minime, efficiente dissipazione del calore e prestazioni stabili del dispositivo in ambienti difficili.

 

 

 

                              Wafer SiC semi-isolatore ad alta purezza HPSI Sottostrato di carburo di silicio per dispositivi di alimentazione e RF 0                             Wafer SiC semi-isolatore ad alta purezza HPSI Sottostrato di carburo di silicio per dispositivi di alimentazione e RF 1

 

 

 

 

 

 

 


 

 

 

Caratteristiche principali

Wafer SiC semi-isolatore ad alta purezza HPSI Sottostrato di carburo di silicio per dispositivi di alimentazione e RF 2

 

 

 

  • Prestazioni elettriche: L'elevata resistività riduce le perdite e i canali parassiti, ideale come substrato per dispositivi di potenza.

  • Prestazioni termiche: Elevata conduttività termica (~4,9 W/cm·K) per un'efficiente dissipazione del calore in dispositivi ad alta potenza e ad alta frequenza.

 

  • Stabilità chimica: Forte inerzia chimica, resistenza alle alte temperature e all'ossidazione.

 

  • Proprietà meccaniche: Elevata durezza, resistenza all'usura e struttura reticolare stabile.

 

 

 

 

 

 


 

 

 

Principali applicazioni

 

 

 

  • Substrati per dispositivi a semiconduttore di potenza (ad es. HEMT GaN, MOSFET SiC)

 

  • Dispositivi di comunicazione ad alta frequenza e amplificatori RF

 

  • Dispositivi a microonde e radar che richiedono elevata resistività e bassa capacità parassita

 

  • Elettronica in ambienti estremi: alta temperatura, alta tensione e forti radiazioni

 

 

 

 


 

 

 

 

 

Personalizzazione

 

 

 

 

Forniamo sartoria geometrica versatile. Possiamo regolare lo spessore del wafer e offrire vari orientamenti degli scarti, che vanno dalle inclinazioni standard di 4° ai tagli in asse, per soddisfare la vostra ricetta di crescita epitassiale. Offriamo inoltre diverse opzioni di drogaggio, regolando i livelli di resistività per supportare sia la conduttività di tipo N per i moduli di potenza dei veicoli elettrici che le strutture semiisolanti per le applicazioni RF ad alta frequenza. Perfezionando i nostri cicli di crescita, ci concentriamo sulla fornitura della coerenza elettrica necessaria per dispositivi stabili e ad alte prestazioni.

 

 

 

           Wafer SiC semi-isolatore ad alta purezza HPSI Sottostrato di carburo di silicio per dispositivi di alimentazione e RF 3  Wafer SiC semi-isolatore ad alta purezza HPSI Sottostrato di carburo di silicio per dispositivi di alimentazione e RF 4  Wafer SiC semi-isolatore ad alta purezza HPSI Sottostrato di carburo di silicio per dispositivi di alimentazione e RF 5

 

 

 

 

 

 

 


 

 

 

 

Domande frequenti

 

 

Cosa caratterizza il carburo di silicio semiisolante?

Questo materiale presenta una resistività elettrica estremamente elevata, riducendo efficacemente al minimo la dispersione di corrente parassita nelle applicazioni ad alta frequenza e alta tensione.

Sono disponibili specifiche personalizzate?

Sì, supportiamo specifiche su misura tra cui concentrazione di drogaggio, parametri dimensionali e caratteristiche superficiali per i prodotti Prime e Research Grade.

Cosa differenzia il Prime Grade dal Dummy Grade?

I wafer Prime Grade presentano una densità di difetti minima adatta alla fabbricazione di dispositivi attivi, mentre Dummy Grade fornisce soluzioni economiche per i test di processo e la calibrazione delle apparecchiature.

Come vengono imballati i prodotti per la spedizione?

Ogni wafer viene sottoposto a sigillatura sottovuoto individuale utilizzando materiali compatibili con le camere bianche per garantire l'integrità della superficie durante il trasporto.

Quali sono i tempi di consegna standard?

Gli ordini con specifiche standard vengono generalmente spediti entro 2-4 settimane, mentre i requisiti personalizzati richiedono generalmente 4-6 settimane per essere soddisfatti.