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Created with Pixso. Anello di silicio di precisione (anello Si) per sistemi di incisione plasmatica a semiconduttori in silicio monocristallino e policristallino

Anello di silicio di precisione (anello Si) per sistemi di incisione plasmatica a semiconduttori in silicio monocristallino e policristallino

Marchio: ZMSH
MOQ: 10
Tempo di consegna: 2-4 settimane
Condizioni di pagamento: T/T
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Shangai, Cina
Materiale:
Silicio monocristallino/Silicio policristallino
Purezza:
≥ 99,999% (5N)
Diametro massimo:
Fino a 480 mm
Spessore:
Personalizzato (5–30 mm tipico)
Resistività (bassa):
< 0,02 Ω·cm
Uniformità della resistività:
< 5% (RRG)
Finitura superficiale:
Lucido/Lappato/Rettificato
Evidenziare:

Anello monocristallino di silicio

,

Anello Si di silicio policristallino

,

Anello di silicio semiconduttore di incisione plasmatica

Descrizione di prodotto

Anello di silicio di precisione (anello Si) per sistemi di incisione plasmatica a semiconduttori in silicio monocristallino e policristallino 0L'anello in silicone di precisione (anello Si) è un componente consumabile di grado semiconduttore utilizzato nelle apparecchiature di incisione al plasma, deposizione e lavorazione dei wafer. Funziona come anello di messa a fuoco, anello marginale o anello di rivestimento della camera, contribuendo a controllare la distribuzione del plasma, migliorare l'uniformità dell'incisione e proteggere l'hardware della camera dal bombardamento ionico diretto.

Realizzato in silicio monocristallino o policristallino di elevata purezza, l'anello offre un'eccellente compatibilità con i processi dei wafer di silicio. Questa corrispondenza intrinseca dei materiali riduce il rischio di contaminazione e garantisce prestazioni di processo stabili negli ambienti di fabbricazione di semiconduttori.

Ruolo degli anelli di silicio nelle camere al plasma

Nei sistemi al plasma semiconduttori (ICP, RIE, PECVD, CVD), gli anelli di silicio sono esposti a:

  • Campi di plasma ad alta energiaAnello di silicio di precisione (anello Si) per sistemi di incisione plasmatica a semiconduttori in silicio monocristallino e policristallino 1
  • Gas a base di fluoro (CF₄, SF₆, NF₃)
  • Chimiche a base di cloro (Cl₂, HBr)
  • Cicli termici e bombardamento ionico

In queste condizioni difficili, gli anelli di silicio subiscono gradualmente un’erosione controllata, motivo per cui sono classificati come componenti di consumo critici nella produzione di semiconduttori.

I loro ruoli principali includono:

  • Stabilizzazione della distribuzione del plasma vicino ai bordi del wafer
  • Miglioramento dell'uniformità dell'incisione e del controllo del CD
  • Protezione delle pareti e dell'hardware della camera
  • Mantenere la ripetibilità del processo

Vantaggi principali degli anelli in silicone

Eccellente compatibilità con il processo del silicio

Gli anelli di silicio sono naturalmente compatibili con gli ambienti di lavorazione dei wafer di silicio, riducendo al minimo la contaminazione incrociata e supportando una produzione ad alto rendimento.

Soluzione di consumo economicamente vantaggiosa

Rispetto alle alternative SiC, gli anelli in silicio offrono:

  • Costo iniziale inferiore
  • Produzione e lavorazione più semplici
  • Cicli di sostituzione economica

Prestazioni del plasma stabili

Il silicio ad elevata purezza garantisce un comportamento elettrico e materiale coerente durante l'esposizione al plasma, supportando condizioni di processo stabili.

Opzioni di materiali flessibili

Disponibile in:

  • Silicio monocristallino (maggiore uniformità, migliore stabilità elettrica)
  • Silicio policristallino (economico, ampiamente utilizzato nei processi standard)

Lavorazione di semiconduttori di precisione

Prodotto con tolleranze rigorose per garantire:

  • Controllo dimensionale stretto (<10 μm)
  • Integrazione affidabile della camera
  • Comportamento coerente del plasma sul bordo del wafer

Specifiche tecniche

Parametro Specifica
Materiale Silicio monocristallino/Silicio policristallino
Purezza ≥ 99,999% (5N)
Diametro massimo Fino a 480 mm
Spessore Personalizzato (5–30 mm tipico)
Resistività (bassa) < 0,02 Ω·cm
Resistività (media) 1 – 4 Ω·cm
Resistività (alta) 70 – 90 Ω·cm
Uniformità della resistività < 5% (RRG)
Finitura superficiale Lucido/Lappato/Rettificato
Rugosità superficiale Ra ≤ 0,8 μm (lucido inferiore)
Precisione di lavorazione < 10 μm
Planarità ≤ 30 μm (a seconda della dimensione)
Progettazione dei bordi Smusso/Raggio personalizzabile
Norma di qualità Nessuna crepa, scheggiatura o contaminazione

Applicazioni dei semiconduttori

Gli anelli di silicio sono ampiamente utilizzati in:

  • Sistemi di attacco al plasma ICP e RIE
  • Apparecchiature per la deposizione CVD e PECVD
  • Gruppi anello di messa a fuoco e anello di bordo
  • Rivestimento della camera e strutture di protezione
  • Sistemi di controllo del plasma bordo wafer

Sono particolarmente adatti per nodi di semiconduttori maturi e di medio livello dove l'efficienza dei costi e le prestazioni stabili sono priorità chiave.


Anello di silicio di precisione (anello Si) per sistemi di incisione plasmatica a semiconduttori in silicio monocristallino e policristallino 2


Anelli in silicio monocristallino e policristallino

Caratteristica Silicio monocristallino Silicio policristallino
Uniformità Più alto Moderare
Stabilità elettrica Meglio Standard
Costo Più alto Inferiore
Lavorabilità Bene Molto bene
Uso tipico Processi ad alta precisione Uso industriale generale

Anello in silicio vs anello in SiC (guida alla selezione)

Caratteristica Anello in silicone Anello SiC
Costo Inferiore Più alto
Resistenza al plasma Moderare Eccellente
Tutta la vita Più corto Più a lungo
Difficoltà di lavorazione Più facile Più forte
Migliore applicazione Processi standard Ambienti al plasma difficili

Gli anelli in silicio sono preferiti quando l'efficienza dei costi e la compatibilità del processo sono più importanti della durata ultra lunga.


Anello di silicio di precisione (anello Si) per sistemi di incisione plasmatica a semiconduttori in silicio monocristallino e policristallino 3


Perché scegliere gli anelli in silicone?

Gli anelli di silicio rimangono ampiamente utilizzati nelle fabbriche di semiconduttori perché forniscono:

  • Compatibilità comprovata con processi basati sul silicio
  • Comportamento del plasma stabile e prevedibile
  • Costo dei materiali di consumo inferiore
  • Elevata flessibilità produttiva
  • Facile personalizzazione per geometrie complesse

Costituiscono una scelta pratica e affidabile per ambienti di produzione ad alto volume.

Opzioni di personalizzazione

La personalizzazione disponibile include:

  • Regolazione diametro e spessore
  • Selezione del materiale monocristallino o policristallino
  • Regolazione della resistività
  • Profilo del bordo (smusso/raggio)
  • Finiture superficiali (lucida, lappata, rettificata)
  • Strutture geometriche complesse basate su disegni

Domande frequenti

Q1: L'anello in silicone è una parte consumabile?

SÌ. È un componente di consumo che si erode gradualmente sotto l'esposizione al plasma e deve essere sostituito periodicamente.

Q2: Qual è la differenza tra silicio monocristallino e policristallino?

Il silicio monocristallino offre migliore uniformità e prestazioni elettriche, mentre il silicio policristallino offre costi inferiori e produzione flessibile.

Q3: Gli anelli in silicone possono essere personalizzati?

SÌ. Dimensioni, resistività, finitura superficiale e geometria possono essere personalizzate in base ai requisiti o ai disegni delle apparecchiature.

Q4: Come si confronta la durata con gli anelli SiC?

Gli anelli in silicio hanno generalmente una durata utile più breve a causa della minore resistenza al plasma, soprattutto in ambienti di attacco aggressivi.

Q5: Qual è il tempo di consegna tipico?

La produzione richiede solitamente 3-5 settimane a seconda della complessità del progetto e del volume degli ordini.


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