| Marchio: | ZMSH |
| MOQ: | 10 |
| Tempo di consegna: | 2-4 settimane |
| Condizioni di pagamento: | T/T |
L'anello in silicone di precisione (anello Si) è un componente consumabile di grado semiconduttore utilizzato nelle apparecchiature di incisione al plasma, deposizione e lavorazione dei wafer. Funziona come anello di messa a fuoco, anello marginale o anello di rivestimento della camera, contribuendo a controllare la distribuzione del plasma, migliorare l'uniformità dell'incisione e proteggere l'hardware della camera dal bombardamento ionico diretto.
Realizzato in silicio monocristallino o policristallino di elevata purezza, l'anello offre un'eccellente compatibilità con i processi dei wafer di silicio. Questa corrispondenza intrinseca dei materiali riduce il rischio di contaminazione e garantisce prestazioni di processo stabili negli ambienti di fabbricazione di semiconduttori.
Nei sistemi al plasma semiconduttori (ICP, RIE, PECVD, CVD), gli anelli di silicio sono esposti a:
In queste condizioni difficili, gli anelli di silicio subiscono gradualmente un’erosione controllata, motivo per cui sono classificati come componenti di consumo critici nella produzione di semiconduttori.
I loro ruoli principali includono:
Gli anelli di silicio sono naturalmente compatibili con gli ambienti di lavorazione dei wafer di silicio, riducendo al minimo la contaminazione incrociata e supportando una produzione ad alto rendimento.
Rispetto alle alternative SiC, gli anelli in silicio offrono:
Il silicio ad elevata purezza garantisce un comportamento elettrico e materiale coerente durante l'esposizione al plasma, supportando condizioni di processo stabili.
Disponibile in:
Prodotto con tolleranze rigorose per garantire:
| Parametro | Specifica |
|---|---|
| Materiale | Silicio monocristallino/Silicio policristallino |
| Purezza | ≥ 99,999% (5N) |
| Diametro massimo | Fino a 480 mm |
| Spessore | Personalizzato (5–30 mm tipico) |
| Resistività (bassa) | < 0,02 Ω·cm |
| Resistività (media) | 1 – 4 Ω·cm |
| Resistività (alta) | 70 – 90 Ω·cm |
| Uniformità della resistività | < 5% (RRG) |
| Finitura superficiale | Lucido/Lappato/Rettificato |
| Rugosità superficiale | Ra ≤ 0,8 μm (lucido inferiore) |
| Precisione di lavorazione | < 10 μm |
| Planarità | ≤ 30 μm (a seconda della dimensione) |
| Progettazione dei bordi | Smusso/Raggio personalizzabile |
| Norma di qualità | Nessuna crepa, scheggiatura o contaminazione |
Gli anelli di silicio sono ampiamente utilizzati in:
Sono particolarmente adatti per nodi di semiconduttori maturi e di medio livello dove l'efficienza dei costi e le prestazioni stabili sono priorità chiave.
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| Caratteristica | Silicio monocristallino | Silicio policristallino |
|---|---|---|
| Uniformità | Più alto | Moderare |
| Stabilità elettrica | Meglio | Standard |
| Costo | Più alto | Inferiore |
| Lavorabilità | Bene | Molto bene |
| Uso tipico | Processi ad alta precisione | Uso industriale generale |
| Caratteristica | Anello in silicone | Anello SiC |
|---|---|---|
| Costo | Inferiore | Più alto |
| Resistenza al plasma | Moderare | Eccellente |
| Tutta la vita | Più corto | Più a lungo |
| Difficoltà di lavorazione | Più facile | Più forte |
| Migliore applicazione | Processi standard | Ambienti al plasma difficili |
Gli anelli in silicio sono preferiti quando l'efficienza dei costi e la compatibilità del processo sono più importanti della durata ultra lunga.
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Gli anelli di silicio rimangono ampiamente utilizzati nelle fabbriche di semiconduttori perché forniscono:
Costituiscono una scelta pratica e affidabile per ambienti di produzione ad alto volume.
La personalizzazione disponibile include:
SÌ. È un componente di consumo che si erode gradualmente sotto l'esposizione al plasma e deve essere sostituito periodicamente.
Il silicio monocristallino offre migliore uniformità e prestazioni elettriche, mentre il silicio policristallino offre costi inferiori e produzione flessibile.
SÌ. Dimensioni, resistività, finitura superficiale e geometria possono essere personalizzate in base ai requisiti o ai disegni delle apparecchiature.
Gli anelli in silicio hanno generalmente una durata utile più breve a causa della minore resistenza al plasma, soprattutto in ambienti di attacco aggressivi.
La produzione richiede solitamente 3-5 settimane a seconda della complessità del progetto e del volume degli ordini.