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Buon prezzo Substrato SiC di tipo 4H-N Wafer 10x10mm per elettronica di potenza in linea
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Substrato SiC di tipo 4H-N Wafer 10x10mm per elettronica di potenza

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Opzione di substrato di carburo di silicio (SiC) per applicazioni industriali di alto livello

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4H-P Carburo di silicio SIC Substrato 4 pollici SIC Wafer 6H-P Per deposizione di nitruri III-V

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6H-P Carburo di silicio SIC Substrato 6 pollici SIC Wafer 4H-P Per dispositivi optoelettronici

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4 pollici 3C N-tipo SiC Substrato Carburo di silicio Substrato spessore 350um di primaria qualità di qualità

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4H-N Carburo di silicio SiC Substrato 8 pollici Spessore 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer

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2 pollici 4H-N Carburo di silicio SiC Substrato Spessore 350um 500um Wafer SiC Prime Grade Dummy Grade

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