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Buon prezzo tipo del grado N di produzione del substrato del carburo di silicio del wafer di 8inch DSP 4H sic per l'esperimento in linea
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resistività 0.015-0.028ohm del substrato di 10x10mm 5x5mm sic. Il cm o >1E7ohm.Cm sic scheggia

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Wafer a 3 pollici del carburo di silicio, sic caratteristiche transitorie eccellenti del substrato

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Substrati in carburo di silicio SiC 4H-N / Semi-isolanti

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di 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC del wafer di silicio del carburo grado fittizio principale del substrato sic

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Wafer del carburo di silicio dei substrati 2inch 0.33mm 0.43mm di 6H-N 4H-N sic

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Spessore fittizio del wafer Dia150mm 4H-N 500mm del substrato del grado 6Inch sic

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Substrato SiC da 12 pollici da 300 mm 4H-N per la produzione di semiconduttori di potenza

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Soluzioni Premium per Substrati in Carburo di Silicio (SiC) da 12 pollici (300 mm)

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