Invia messaggio
CIRCA GLI STATI UNITI
Il tuo partner professionale e affidabile.
IL COMMERCIO FAMOSO IL CO., srl di SHANGHAI individua nella città di Shanghai, che è la migliore città della Cina e la nostra fabbrica è fondata nella città di Wuxi nel 2014. Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati ed il vetro ottico custiomized parts.components ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'optoelettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le ...
Impari di più

0

Anno stabilito

0

Milioni+
Vendite annuali
La Cina SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Alta qualità
Sigillo di fiducia, controllo del credito, RoSH e valutazione della capacità dei fornitori. La nostra azienda ha un rigoroso sistema di controllo della qualità e un laboratorio di prova professionale.
La Cina SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD SVILUPPO
Team di progettazione professionale interno e officina di macchinari avanzati.Possiamo collaborare per sviluppare i prodotti di cui hai bisogno.
La Cina SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD Fabbricazione
Macchine automatiche avanzate, sistema di controllo rigoroso. Possiamo produrre tutti i terminali elettrici oltre la vostra richiesta.
La Cina SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD 100% SERVIZIO
Piccoli imballaggi sfusi e personalizzati, FOB, CIF, DDU e DDP.Lascia che ti aiutiamo a trovare la soluzione migliore per tutte le tue preoccupazioni.

Qualità Wafer del nitruro di gallio & Wafer dello zaffiro fabbricante

Trova prodotti che soddisfino meglio le tue esigenze.
Casi e notizie
Gli ultimi punti caldi
Studio di caso ZMSH: fornitore principale di zaffiri colorati sintetici di alta qualità
Studio di caso ZMSH: fornitore principale di zaffiri colorati sintetici di alta qualità     IntroduzioneZMSH è uno dei marchi leader nel settore delle gemme sintetiche, fornendo una vasta gamma di zaffiri di alta qualità e colori vivaci.Le nostre offerte includono una vasta gamma di colori come il blu reale, rosso vivo, giallo, rosa, rosa-arancione, viola e molteplici toni verdi, tra cui verde smeraldo e verde oliva.La ZMSH è diventata un partner preferito per le imprese che richiedono, visivamente sorprendenti e durevoli gemme sintetiche. Sottolineando le nostre gemme sinteticheAl centro della gamma di prodotti ZMSH sono i zaffiri sintetici che emulano la brillantezza e la qualità delle pietre preziose naturali offrendo numerosi vantaggi.Questi zaffiri sono accuratamente fabbricati per ottenere un'eccezionale consistenza di colore e durata, rendendoli un'alternativa superiore alle pietre naturali. Vantaggi di scegliere zaffiri sintetici Una coerenza senza eguali: I nostri zaffiri creati in laboratorio sono prodotti in condizioni controllate, garantendo che soddisfino severi standard qualitativi.senza variazioni di colore e chiarezza spesso osservate nelle pietre preziose estratte. Ampia scelta di colori: ZMSH offre una vasta gamma di colori, tra cui blu reale, rosso rubino, e toni più morbidi come rosa e rosa-arancione.adattati alle esigenze specifiche dei clientiQuesta flessibilità nella personalizzazione dei colori e dei toni rende i nostri zaffiri perfetti per una vasta gamma di progetti e scopi industriali. Prezzi accessibili: Gli zaffiri coltivati in laboratorio rappresentano un'alternativa più economica senza sacrificare l'attrattiva visiva o l'integrità strutturale.Forniscono un ottimo valore per i clienti che hanno bisogno di pietre preziose di alta qualità a una frazione del costo delle pietre naturali, rendendoli ideali sia per prodotti di lusso che per applicazioni pratiche. Sicuri dal punto di vista ambientale ed etico: optando per pietre preziose sintetiche, i clienti possono evitare i danni ambientali e le preoccupazioni etiche spesso associate alla tradizionale estrazione di pietre preziose.Gli zaffiri sintetici ZMSH sono creati in modo eco-consapevole, offrendo una scelta sostenibile e responsabile. Fortezza e versatilità: Gli zaffiri sintetici hanno la stessa durezza delle loro controparti naturali, il che li rende ideali per una varietà di usi, dai gioielli di lusso alle applicazioni industriali.Con una durezza di 9 sulla scala di Mohs, queste gemme assicurano una durabilità duratura in ogni ambiente   ConclusioniZMSH è dedicata alla fornitura di zaffiri colorati sintetici di alto livello, offrendo ai clienti una gamma di soluzioni di gemme personalizzabili, convenienti e sostenibili.Che tu stia cercando blu reale per accessori eleganti, verde smeraldo per componenti industriali, o qualsiasi altro colore sorprendente, ZMSH fornisce pietre preziose che combinano bellezza, consistenza e resistenza.La nostra esperienza nella produzione di zaffiri sintetici ci permette di soddisfare le esigenze di varie industrie, garantendo una qualità affidabile e pratiche etiche in ogni ordine.
Studio di caso: la svolta di ZMSH con il nuovo 4H/6H-P 3C-N SiC Substrato
Introduzione ZMSH è costantemente all'avanguardia nell'innovazione dei wafer e dei substrati a carburo di silicio (SiC), noto per fornire prestazioni elevate6H-SiC- e4H-SiCIn risposta alla crescente domanda di materiali più efficienti nelle applicazioni ad alta potenza e ad alta frequenza,La ZMSH ha ampliato la sua offerta di prodotti con l'introduzione del4H/6H-P 3C-N SiCQuesto nuovo prodotto rappresenta un importante balzo tecnologico combinando i tradizionali4H/6H politipo SiCSottostati con caratteristiche innovative3C-N SiCLe nuove tecnologie, che offrono un nuovo livello di prestazioni ed efficienza per i dispositivi di nuova generazione. Visualizzazione dei prodotti esistenti: Sottostrati 6H-SiC e 4H-SiC Caratteristiche chiave Struttura cristallina: Sia il 6H-SiC che il 4H-SiC possiedono strutture cristalline esagonali.considerando che il 4H-SiC vanta una maggiore mobilità elettronica e una banda larga di 3.2 eV, che lo rende adatto per applicazioni ad alta frequenza e alta potenza. Conduttività elettrica: Disponibile in opzioni di tipo N e di semi-isolamento, che consentono la flessibilità per varie esigenze del dispositivo. Conduttività termica: Questi substrati presentano conduttività termica compresa tra 3,2 e 4,9 W/cm·K, indispensabile per dissipare il calore in ambienti ad alta temperatura. Forza meccanica: I substrati presentano una durezza di Mohs di 9.2, fornendo robustezza e durata per l'uso in applicazioni esigenti. Utili tipici: comunemente utilizzato in elettronica di potenza, dispositivi ad alta frequenza e ambienti che richiedono resistenza alle alte temperature e alle radiazioni. SfideMentre6H-SiC- e4H-SiCSono molto apprezzati, incontrano alcuni limiti in scenari specifici ad alta potenza, alta temperatura e alta frequenza.e una banda più stretta limitano la loro efficacia per le applicazioni di nuova generazioneIl mercato richiede sempre più materiali con prestazioni migliori e meno difetti per garantire una maggiore efficienza operativa. Nuova innovazione di prodotto: 4H/6H-P 3C-N SiC Substrati Per superare i limiti dei suoi precedenti substrati di SiC, ZMSH ha sviluppato il4H/6H-P 3C-N SiCQuesto nuovo prodotto sfruttacrescita epitaxianadi pellicole 3C-N SiC suSubstrati di politipo 4H/6H, fornendo proprietà elettroniche e meccaniche migliorate. Principali miglioramenti tecnologici Politipo e integrazione del filmIl3C-SiCle pellicole sono coltivate epitaxialmente utilizzandoDeposito di vapore chimico (CVD)suSubstrati 4H/6H, riducendo significativamente la disadattamento del reticolo e la densità dei difetti, portando a una migliore integrità del materiale. Mobilità elettronica migliorataIl3C-SiCLa pellicola offre una mobilità elettronica superiore rispetto alla pellicola tradizionaleSubstrati 4H/6H, che lo rende ideale per applicazioni ad alta frequenza. Miglioramento della tensione di rottura: I test indicano che il nuovo substrato offre una tensione di rottura significativamente superiore, rendendolo più adatto alle applicazioni ad alta intensità energetica. Riduzione dei difetti: Le tecniche di crescita ottimizzate riducono al minimo i difetti e le lussazioni dei cristalli, garantendo la stabilità a lungo termine in ambienti difficili. Capacità optoelettronicheLa pellicola 3C-SiC presenta anche caratteristiche optoelettroniche uniche, particolarmente utili per i rilevatori ultravioletti e varie altre applicazioni optoelettroniche. Vantaggi del nuovo substrato SiC 4H/6H-P 3C-N Maggiore mobilità elettronica e resistenza alla rotturaIl3C-N SiCLa pellicola garantisce una stabilità ed efficienza superiori nei dispositivi ad alta potenza e ad alta frequenza, con conseguente durata operativa più lunga e prestazioni più elevate. Miglioramento della conduttività termica e della stabilità: Grazie alle migliori capacità di dissipazione del calore e alla stabilità a temperature elevate (oltre 1000°C), il substrato è adatto ad applicazioni ad alte temperature. Applicazioni optoelettroniche estese: Le proprietà optoelettroniche del substrato ampliano il suo campo di applicazione, rendendolo ideale per sensori ultravioletti e altri dispositivi optoelettronici avanzati. Maggiore resistenza chimica: Il nuovo substrato presenta una maggiore resistenza alla corrosione chimica e all'ossidazione, che è vitale per l'uso in ambienti industriali difficili. Aree di applicazione Il4H/6H-P 3C-N SiCil substrato è ideale per una vasta gamma di applicazioni all'avanguardia grazie alle sue proprietà elettriche, termiche e optoelettroniche avanzate: Elettronica di potenza: La sua tensione di rottura superiore e la gestione termica la rendono il substrato di scelta per dispositivi ad alta potenza comeMOSFET,IGBT, ediodi di Schottky. Dispositivi a RF e a microonde: L'alta mobilità elettronica garantisce prestazioni eccezionali in alta frequenzaRF- edispositivi a microonde. Detettori ultravioletti e optoelettronica: Le proprietà optoelettroniche di3C-SiCrendere particolarmente adatto perRilevazione UVe vari sensori optoelettronici. Conclusione e raccomandazione del prodotto Il lancio della ZMSH4H/6H-P 3C-N SiCQuesto prodotto innovativo, con la sua maggiore mobilità elettronica, ridotta densità di difetto,e tensione di rottura migliorata, è ben posizionata per soddisfare le crescenti richieste dei mercati della potenza, della frequenza e dell'optoelettronica.La sua stabilità a lungo termine in condizioni estreme lo rende anche una scelta altamente affidabile per una vasta gamma di applicazioni. La ZMSH incoraggia i propri clienti ad adottare4H/6H-P 3C-N SiCper sfruttare le sue capacità di prestazione all'avanguardia.Questo prodotto non solo soddisfa i severi requisiti dei dispositivi di nuova generazione, ma aiuta anche i clienti a ottenere un vantaggio competitivo in un mercato in rapida evoluzione.   Raccomandazione del prodotto   4 pollici 3C N-tipo SiC Substrato Carburo di silicio Substrato Spessore 350um Prime Grade Dummy Grade       - supportare quelli personalizzati con disegni artistici   - un cristallo cubo (3C SiC), ottenuto da monocristallo SiC   - Alta durezza, durezza di Mohs raggiunge 9.2, secondo solo al diamante.   - eccellente conduttività termica, adatta ad ambienti ad alta temperatura.   - caratteristiche di banda larga, idonee per dispositivi elettronici ad alta frequenza e alta potenza.
Debutto degli occhiali AR in carburo di silicio!
Il 26 settembre, secondo il micro-messaggio ufficiale della "Scienza e Tecnologia di West Lake", by West Lake University and its incubation enterprise Mu De Wei Na led the research of the "extreme thin and thin silicon carbide AR diffraction optical waveguide" scientific and technological achievements in September 24, il primo al mondo occhiali AR in carburo di silicio debutta lenti scena.con un peso unitario di soli 20,7 grammi e uno spessore di soli 0,55 mm.                Secondo le notizie, nei tradizionali occhiali a diffrazione AR,l'accumulo di calore generato dalla macchina ottica di proiezione e dall'unità di rilevamento e calcolo farà entrare il dispositivo nella protezione dal surriscaldamentoA differenza del tradizionale metodo di dissipazione del calore con la gamba di specchio, questo vetro AR in carburo di silicio utilizza la natura del materiale stesso,attraverso un progetto speciale, utilizzare in modo innovativo la lente per la dissipazione del calore, migliorando notevolmente l'efficienza di dissipazione del calore.     Inoltre, per ottenere un display a colori, gli occhiali AR tradizionali devono di solito utilizzare più strati di vetro ad alto indice di rifrazione per condurre la luce,che porta a lenti spesse e scomodeGli occhiali AR a carburo di silicio hanno bisogno solo di una guida d'onda per presentare un'immagine a colori con un ampio campo visivo.   Vale la pena ricordare che Meta ha lanciato i suoi primi veri occhiali AR, Orion, il 25 settembre.con lenti a carburo di silicio e un micro display Micro LED.     Analisi di TrendForce Consulting, progettazione ottica degli occhiali Orion AR utilizzando una guida d'onda ottica a diffrazione di carburo di silicio, combinata con la tecnologia LEDoS a colori a tre fette di JBD,può raggiungere fino a 70 gradi di campo visivo (FOV).        

2024

09/29

Tecnologia di crescita a singolo cristallo di SiC
Tecnologia di crescita a singolo cristallo di SiC     Sotto pressione normale, non vi è alcuna fase liquida SiC con un rapporto estechiometrico di Si   uguale a 1:1Pertanto, il metodo che utilizza la fusione come materia prima, comunemente usato per la crescita dei cristalli di silicio, non può essere applicato alla crescita di cristalli di SiC a sfera.Il trasporto fisico dei vapori) è impiegatoIn questo processo, la polvere di SiC viene utilizzata come materia prima, collocata in un crogiolo di grafite insieme a un substrato di SiC come cristallo di seme,e viene stabilito un gradiente di temperatura con il lato della polvere di SiC leggermente più caldoLa temperatura complessiva è quindi mantenuta tra 2000°C e 2500°C. Il metodo di sublimazione con cristalli di semi di SiC è ora denominato metodo Lely modificato.che è ampiamente utilizzato per la produzione di substrati di SiC.   La figura 1 mostra uno schema di crescita dei cristalli di SiC utilizzando il metodo Lely modificato.,e Si, che vengono poi trasportati sulla superficie del cristallo seminale; gli atomi forniti si muovono sulla superficie del cristallo seminale e vengono incorporati nelle posizioni in cui si forma il cristallo,quindi la crescita di grossa singoli cristalli di SiCSi utilizza un'atmosfera inerte, tipicamente argon a bassa pressione, e durante il doping di tipo n viene introdotto azoto.   Il metodo di sublimazione è attualmente ampiamente utilizzato per la preparazione di singoli cristalli di SiC.rispetto al metodo che utilizza il liquido fuso come materia prima per la crescita dei singoli cristalli di SiAnche se la qualità sta gradualmente migliorando, i cristalli contengono ancora molte lussazioni e altri problemi. Oltre al metodo di sublimazione,Sono stati anche tentati di preparare singoli cristalli di SiC in grandi quantità utilizzando metodi come la crescita in fase liquida attraverso una soluzione o la deposizione chimica a vapore ad alta temperatura (CVD)La figura 2 mostra uno schema del metodo di crescita in fase liquida per i singoli cristalli di SiC. In primo luogo, per quanto riguarda il metodo di crescita in fase liquida, la solubilità del carbonio in un solvente al silicio è molto bassa.elementi quali Ti e Cr vengono aggiunti al solvente per aumentare la solubilità del carbonioIl carbonio viene fornito da un crogiolo di grafite e il singolo cristallo di SiC cresce sulla superficie del cristallo di seme a una temperatura leggermente inferiore.La temperatura di crescita è in genere fissata tra 1500°C e 2000°CSi è riferito che il tasso di crescita può raggiungere diverse centinaia di micrometri all'ora. Il vantaggio del metodo di crescita in fase liquida per il SiC è che, quando i cristalli crescono lungo la direzione [0001], le lussazioni che si estendono nella direzione [0001] possono essere piegate nella direzione verticale,Li spazza fuori dal cristallo attraverso le pareti laterali.Le lussazioni di vite che si estendono lungo la direzione [0001] sono densamente presenti nei cristalli di SiC esistenti e sono una fonte di corrente di perdita nei dispositiviLa densità delle dislocazioni di vite è significativamente ridotta nei cristalli di SiC preparati con il metodo di crescita in fase liquida. Le sfide nella crescita delle soluzioni includono l'aumento del tasso di crescita, l'estensione della lunghezza dei cristalli coltivati e il miglioramento della morfologia superficiale dei cristalli. La deposizione chimica a alta temperatura (CVD) dei singoli cristalli di SiC comporta l'uso di SiH4 come fonte di silicio e di C3H8 come fonte di carbonio in un'atmosfera a bassa pressione di idrogeno,con crescita che si verifica sulla superficie di un substrato di SiC mantenuto ad alta temperatura (in genere superiore a 2000°C)I gas grezzi introdotti nel forno di crescita si decompongono in molecole quali SiC2 e Si2C nella zona di decomposizione circondata da una parete calda, e questi vengono trasportati alla superficie del cristallo seminale.dove viene coltivato il SiC monocristallino. I vantaggi del metodo CVD ad alta temperatura includono la possibilità di utilizzare gas grezzi di alta purezza e, controllando il flusso del gas, il rapporto C/Si nella fase gassosa può essere controllato con precisione,che è un parametro di crescita importante che influenza la densità di difettoIn caso di crescita di SiC in massa, si può raggiungere un tasso di crescita relativamente rapido, superiore a 1 mm/h.gli svantaggi del metodo CVD ad alta temperatura comprendono il significativo accumulo di sottoprodotti della reazione all'interno del forno di crescita e dei tubi di scaricoInoltre, le reazioni in fase gassosa generano particelle nel flusso di gas, che possono diventare impurità nel cristallo. Il metodo CVD ad alta temperatura ha un grande potenziale come metodo per la produzione di cristalli di SiC di alta qualità.maggiore produttività, e una densità di dislocazione inferiore rispetto al metodo di sublimazione. Inoltre, il metodo RAF (Repeated A-Face) è descritto come una tecnica basata sulla sublimazione che produce cristalli di SiC in grandi quantità con meno difetti.un cristallo di semi tagliato perpendicolare alla direzione [0001] viene prelevato da un cristallo coltivato lungo la direzione [0001]Poi, un altro cristallo seminale viene tagliato perpendicolare a questa nuova direzione di crescita, e ulteriori singoli cristalli SiC vengono coltivati.le lussazioni vengono spazzate fuori dal cristallo, che si traduce in cristalli di SiC in grandi quantità con meno difetti.La densità di dislocazione dei cristalli di SiC preparati con il metodo RAF è riportata da 1 a 2 ordini di grandezza inferiore a quella dei cristalli di SiC standard..       ZMSH Soluzione per wafer SiC     2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici Silicon Carbide Wafer Sic Wafers Dummy Research Prime Grade   Un Wafer SiC è un materiale semiconduttore con eccellenti proprietà elettriche e termiche.Oltre alla sua elevata resistenza termica, ha anche un livello di durezza molto elevato.  

2024

09/20

Una svolta nei micro-LED rossi AlGaInP privi di difetti ottenuta tramite incisione chimica bagnata
La tecnologia di incisione umida di Vertical è pronta per la produzione di massa di micro-LED rossi AlGaInP   La società statunitense di ricerca e sviluppo Vertical ha annunciato che la sua tecnologia di incisione bagnata è ora pronta per la produzione di massa di micro-LED rossi AlGaInP.Un ostacolo importante nella commercializzazione dei micro-LED ad alta risoluzione è la riduzione delle dimensioni dei chip LED mantenendo l'efficienza, con i micro-LED rossi particolarmente suscettibili di un calo dell'efficienza rispetto alle loro controparti blu e verdi.   La causa principale di questa riduzione dell'efficienza sono i difetti delle pareti laterali creati durante l'incisione a secco a base di plasma.In questo modo, gli sforzi si sono concentrati in gran parte sulla mitigazione dei danni attraverso tecniche di post-esca a secco come il trattamento chimico.Tuttavia, questi metodi offrono solo un recupero parziale e sono meno efficaci per i piccoli chip richiesti per i display ad alta risoluzione.dove i difetti della parete laterale possono penetrare in profondità nel chip, talvolta superando le sue dimensioni.   Per questo motivo, la ricerca di metodi di incisione "senza difetti" è in corso da anni.ma le sue caratteristiche isotrope possono portare ad un'indesiderabile sottoquotazione, che lo rende inadatto per l'incisione di piccoli chip come i micro-LED.   Tuttavia, Vertical, un'azienda con sede a San Francisco specializzata in tecnologie LED e display, ha recentemente fatto una svolta significativa.L'azienda ha sviluppato un processo di incisione chimica umida senza difetti per i micro-LED rossi AlGaInP, specificamente rivolto alle sfide dell'incisione su tavola.   L'amministratore delegato Mike Yoo ha dichiarato che Vertical è pronta a scalare questa tecnologia di incisione umida per la produzione di massa,accelerazione dell'adozione commerciale di display a micro-LED per applicazioni che vanno dai grandi schermi ai display a vista.     Confrontare i difetti delle pareti laterali nell'incisione a secco e bagnata   Per comprendere meglio l'impatto dei difetti delle pareti laterali, Vertical ha confrontato i micro-LED rossi AlGaInP incisi a secco e bagnati utilizzando l'analisi della catodoluminescenza (CL).un fascio di elettroni genera coppie di elettroni-buco all'interno della superficie del micro-LEDInvece, la ricombinazione non radiativa nelle aree danneggiate porta a poca o nessuna luminescenza. Le immagini e gli spettri CL rivelano un netto contrasto tra i due metodi di incisione.con una superficie di emissione più di tre volte maggiore di quella dei LED a secco, secondo Mike Yoo.   In particolare, la profondità di penetrazione del difetto di parete laterale per i micro-LED a secco è di circa 7 μm, mentre la profondità per i micro-LED a bagnato è quasi inesistente, misurando meno di 0,2 μm.,L'area di superficie effettiva dei micro-LED rossi a secco è solo del 28% di quella di quelli a bagnato.difetti della parete laterale presenti nei micro-LED rossi AlGaInP con incisione umida.         Noi offriamo wafer DFB con substrati N-InP, con strati attivi di InGaAlAs/InGaAsP, disponibili in 2, 4 e 6 pollici,con una lunghezza massima di 20 mm o più, ma non superiore a 50 mmInoltre, forniamo epiwafer InP FP di alta qualità con substrati InP di tipo n/p, disponibili in 2, 3 e 4 pollici, con spessori che vanno da 350 a 650 μm,ideale per applicazioni di rete otticaI nostri prodotti sono progettati per soddisfare i requisiti precisi delle tecnologie avanzate, garantendo prestazioni affidabili e opzioni di personalizzazione.     Wafer DFB N-InP substrato epiwafer strato attivo InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 pollici per sensore di gas   Un wafer DFB (Distributed Feedback) su un substrato di fosfuro indio (N-InP) di tipo n è un materiale critico utilizzato nella produzione di diodi laser DFB ad alte prestazioni.Questi laser sono essenziali per le applicazioni che richiedono un solo modoI laser DFB funzionano in genere nelle fasce di lunghezza d'onda da 1,3 μm a 1,55 μm.che sono ottimali per la comunicazione in fibra ottica a causa della trasmissione a bassa perdita nelle fibre ottiche.   (clicca sull'immagine per ulteriori informazioni)   InP FP epiwafer InP substrato n/p tipo 2 3 4 pollici con spessore di 350-650um per reti ottiche   L'Epiwafer di fosfuro di indio (InP) è un materiale chiave utilizzato in dispositivi optoelettronici avanzati, in particolare i diodi laser Fabry-Perot (FP).InP Epiwafer sono costituiti da strati coltivati epitassialemente su un substrato InP, progettato per applicazioni ad alte prestazioni nelle telecomunicazioni, nei data center e nelle tecnologie di rilevamento. (clicca sull'immagine per ulteriori informazioni)        

2024

09/06