Qualità Wafer del nitruro di gallio & Wafer dello zaffiro fabbricante

Collezionista di gemme colorate, origini reali di zaffiri   Dall'inizio di quest'anno, il mercato delle gemme colorate, un tempo tiepido, sembra essere silenziosamente salito contro la tendenza. Una nuova domanda dei consumatori ha alimentato il mercato delle gemme colorate.E il volume e il prezzo sono aumentati.Secondo le ricerche di mercato della China Treasure Association, nella prima metà del 2023, l'aumento medio dei prezzi di tutta la categoria di gemme colorate in Cina varia tra il 30% e il 50%;e l'aumento dei prezzi delle gemme di grosso carattere o relativamente rare è pari al 100%-150%.     Se volete collezionare gemme colorate, vi consigliamo lo zaffiro come prima scelta.   Zaffiro e rubino, smeraldo, diamante sono conosciuti come le quattro pietre preziose.Zaffiro e rubino sono due dei minerali naturali più duri e resistenti all'usura al mondo dopo il diamante (durezza di Mohs di 10)Sapphire ha il colore del cielo, simboleggia la santità, la tranquillità e la saggezza, essendo amato e protetto dagli dei.è stata considerata una pietra preziosaNel Medioevo, era prescritto solo per il clero religioso, per la decorazione di gioielli reali e nobili.     Napoleone, imperatore del Primo Impero francese, si innamorò di Josephine, che era sei anni più grande di lui, all'età di 27 anni.Ma ha comprato un anello di design semplice ma classico per Josephine., annunciando il loro fidanzamento.   Napoleone e Giuseppe con l'anello di fidanzamento Progettato da Marley Etienne Nidot, fondatore di Chammet Paris Jewellery   L'anello, chiamato "Toi et Moi", che significa "tu ed io" in francese, è costituito da un zaffiro tagliato con goccia d'acqua e da un diamante tagliato con goccia d'acqua, due pietre dello stesso peso e direzioni opposte,con un contenitore per anelli in oro puroQuesto doppio anello di pietre preziose simboleggia due persone profondamente intrecciate, piene di amore sincero e profondo.Giuseppe divenne l'imperatrice del primo impero francese, e questo anello ha anche aggiunto un tocco di leggenda "coronazione dell'amore".   Nel XIX secolo, la regina Vittoria e il principe Alberto erano molto innamorati.E il principe Alberto ha preso ispirazione dal logo della famiglia e ha personalizzato una piccola corona di zaffiro e diamanti per la regina Vittoria..   dal Victoria and Albert Museum di Londra   Tra i numerosi magnifici complessi di gioielli della regina, questa piccola tiara non è la più lussuosa, ma è sempre stata la preferita della regina.La regina Vittoria fu devastata, e per i successivi 40 anni sul trono, non indossava quasi più gioielli di altri colori, indossando solo questa piccola corona a molti eventi pubblici,per esprimere il profondo amore e la memoria del Principe Alberto.     Nel ventesimo secolo, era necessario menzionare questa famosa brocca di ghepardo Cartier, progettata dal gioielliere Cartier e commissionata dalla duchessa di Windsor.presenta un gioiello di zaffiroJeanne Toussaint, la designer di Cartier all'epoca, fu la pioniera nell'uso di elementi di ghepardo per riflettere l'indomito temperamento delle donne.,E da allora il ghepardo è diventato un simbolo unico di Cartier.     Sotto l'ondata di auto-liberazione delle donne occidentali all'inizio del XX secolo, le donne ne videro la loro ombra: spirito coraggioso, libero, elegante, indipendente.   Per la maggior parte degli amanti dei gioielli, lo zaffiro è una collezione di investimento di alta qualità bilanciata con le proprietà di abbigliamento quotidiano della gemma, adatta per l'uso quotidiano.Questo punto aumenta notevolmente la praticità dei gioielli preziosi.   Il colore dello zaffiro varia da blu molto chiaro a blu profondo, come il cielo puro, ma anche come il mare tranquillo, lo stesso è che sono tutti calmi ed eleganti.Il suo lusso appartiene al sub-luce del diamante in gemologia, e si troverà dopo indossare che non brillerà come il lusso del diamante, ma è più forte del lusso del prodotto di vetro, luminoso e non sgargiante.   Sapphire ha l'industria riconosciuta di origine di alta qualità, Kashmir, Madagascar, Myanmar, Sri Lanka producono zaffiro di alta qualità, è l'origine preferita di imprese e consumatori.Ma il valore dello zaffiro prodotto in Kashmir è il più alto, attualmente a causa di controversie territoriali, esaurimento della produzione e difficoltà minerarie e altri problemi hanno quasi fermato la produzione.   I colori più famosi degli zaffiri sono la romantica texture vellutata del "Cornflower Blue", e la saturazione di toni blu o violacei di "Royal Blue".Gli zaffiri classificati in questi due colori sono rari in produzione, di alto valore e altamente collezionabile, con zaffiri di fiore di mais del Kashmir di alta qualità estremamente rari.un blu profondo che ha causato una sensazione alla casa d'aste, pesava 17,16 carati e alla fine stabilì un record mondiale all'asta per il prezzo unitario dei carati di zaffiro all'epoca a 236.404 dollari al carato, per un prezzo totale di 4,06 milioni di dollari. Blu di fiore di mais Blu reale   L'applicazione dello zaffiro è molto ampia, che si tratti di matrimoni, banchetti, occasioni di lavoro, sono molto appropriati.ci sono una varietà di zaffiri colorati tra cui scegliereLo zaffiro in senso lato è un termine generale per tutti i colori di corindone di qualità gemma eccetto il rosso, come zaffiro giallo, zaffiro rosa, zaffiro viola, zaffiro rosa arancione Papalacha e così via.     Nell'antico poema epico persiano di Ferdowsi, il vasto cielo è il riflesso di zaffiro.     Prodotti correlati alla ZMSH   Grazie per aver guardato!

Versione dettagliata del processo di fabbricazione dei semiconduttori per wafer di silicio   1. STACKING POLY SILICON   In primo luogo, il polisilicio e il dopante vengono messi in un crogiolo di quarzo in un forno monocristallino, e la temperatura viene aumentata a oltre 1000 gradi Celsius per ottenere il polisilicio fuso.       2. Coltivazione di inoglio   La crescita di lingotti è un processo in cui il silicio policristallino viene trasformato in silicio monocristallino, e dopo che il silicio policristallino viene riscaldato in un liquido,l'ambiente termico è controllato con precisione per trasformarsi in monocristallo di alta qualità.       Concetti correlati:   Crescita di cristalli singoli:Dopo che la temperatura della soluzione di silicio policristallino è stabilizzata, il cristallo seminale viene lentamente abbassato nella fusione del silicio (anche il cristallo seminale verrà sciolto nella fusione del silicio),e poi il cristallo di seme viene sollevato verso l' alto ad una certa velocità per il processo di cristallizzazioneSuccessivamente, le lussazioni generate durante il processo di cristallizzazione vengono eliminate con l'operazione di neccatura.il diametro del silicio monocristallino è aumentato al valore obiettivo regolando la velocità e la temperatura di estrazioneInfine, al fine di prevenire la lussazione e il ritardo,il lingotto monocristallino è finito per ottenere il lingotto monocristallino finito, che viene estratto dopo aver raffreddato la temperatura.   Metodi di preparazione del silicio monocristallino:il metodo di trazione dritta (metodo CZ) e il metodo di fusione in zona (metodo FZ); il metodo di trazione dritta è denominato metodo CZ,che è caratterizzato dall'aggregazione di un sistema termico a cilindro retto, riscaldato con resistenza al grafite, e il silicio policristallino installato in un crogiolo di quarzo ad alta purezza viene fuso, e quindi il cristallo di semenza viene inserito nella superficie di fusione per la saldatura,e il cristallo di seme è ruotato allo stesso tempo, e poi il crogiolo viene invertito, e il cristallo di seme viene lentamente sollevato verso l'alto, e il silicio monocristallino viene ottenuto attraverso il processo di introduzione del cristallo, amplificazione,girare la spalla, diametro uguale di crescita, e la finitura.   Il metodo di fusione a zona è un metodo che utilizza lingotti policristallini per fondere e far crescere cristalli cristallini semiconduttori,utilizzando energia termica per generare una zona di fusione a un'estremità della barra semiconduttriceLa temperatura viene regolata in modo che la zona fusa si muova lentamente verso l'altra estremità della barra, e attraverso l'intera barra,cresce in un singolo cristallo con la stessa direzione del cristallo di semeEsistono due tipi di metodi di fusione a zona: il metodo di fusione a zona orizzontale e il metodo di fusione a zona di sospensione verticale.Il primo è utilizzato principalmente per la purificazione e la crescita di cristalli singoli di germanioIn quest'ultimo caso, la produzione di acidi galvanici è limitata. a high-frequency coil is used to create a molten zone at the contact between the single crystal seed crystal and the polycrystalline silicon rod suspended above it in an atmosphere or vacuum furnace chamber, e poi la zona fusa viene spostata verso l'alto per la crescita di singoli cristalli.   Circa l'85% dei wafer sono prodotti con il metodo Zorgial e il 15% con il metodo di fusione a zona.il silicio monocristallino coltivato con il metodo Zyopull è utilizzato principalmente per la produzione di componenti di circuiti integrati, mentre il silicio monocristallino coltivato con il metodo di fusione a zona è utilizzato principalmente per i semiconduttori di potenza.E' più facile coltivare silicio monocristallino di grande diametro.■ la fusione del metodo di fusione a zona non è a contatto con il contenitore, non è facile da inquinare e ha un'elevata purezza, che è adatta per la produzione di dispositivi elettronici ad alta potenza,ma è difficile coltivare il silicio monocristallino di grande diametro, che è generalmente utilizzato solo per un diametro di 8 pollici o meno.   3. Smallatura e raccolta dell'ingoto     Poiché è difficile controllare il diametro della barra di silicio monocristallino nel processo di estrazione del monocristallo, per ottenere il diametro standard della barra di silicio,come 6 pollici, 8 pollici, 12 pollici, ecc. Dopo aver tirato il singolo cristallo, il diametro del lingotto di silicio sarà caduta, e la superficie della barra di silicio dopo caduta è liscia,e l'errore dimensionale è minore.   4. FERRIATORE di filo     Utilizzando una tecnologia avanzata di taglio del filo, la barra di cristallo singolo viene tagliata in wafer di silicio di spessore appropriato attraverso apparecchiature di taglio.   5. Smalzamento di bordi   A causa del basso spessore del wafer di silicio, il bordo del wafer di silicio tagliato è molto affilato e lo scopo del taglio è quello di formare un bordo liscio,e non è facile rompere nella futura produzione di chip.       6- Lappare.   L'abrasivo viene utilizzato quando il pezzo viene aggiunto tra la piastra pesante selezionata e la piastra inferiore, e la pressione viene applicata per ruotare il pezzo con l'agente abrasivo per appiattirlo.     7ETCHING   L'incisione è un processo che rimuove il danno da lavorazione sulla superficie di un wafer dissolvendo lo strato superficiale danneggiato dalla lavorazione fisica con una soluzione chimica.     8. Doppia frantumazione laterale   La triturazione a doppio lato è un processo che appiatta il wafer rimuovendo piccoli urti sulla superficie.     9. Rapido processo termico   RTP è un processo di riscaldamento rapido del wafer in pochi secondi, in modo che i difetti all'interno del wafer siano uniformi, inibiscano le impurità metalliche e impediscano un funzionamento anormale del semiconduttore.       10. lucidatura   La lucidatura è un processo che garantisce l'uniformità superficiale attraverso un'elaborazione di precisione della superficie.può eliminare lo strato di danneggiamento meccanico lasciato dal processo precedente, e ottenere un wafer di silicio con un'eccellente piattezza superficiale.     11. Pulizia   Lo scopo della pulizia è quello di rimuovere le sostanze organiche residue, le particelle, i metalli, ecc. sulla superficie della wafer di silicio dopo la lucidatura,in modo da garantire la pulizia della superficie del wafer di silicio e renderlo conforme ai requisiti qualitativi del seguente processo.     12. ispezione   Il tester di piattezza e resistività testa i wafer di silicio lucidato per assicurarsi che lo spessore, la piattezza, la piattezza locale, la curvatura, la curvatura, la resistività, ecc.di wafer di silicio lucidato soddisfano le esigenze del cliente.     13. CONTAGGIO delle particelle   Il conteggio delle particelle è un processo di controllo accurato delle superfici dei chip per determinare il numero di difetti superficiali e difetti attraverso la dispersione laser.     14. EPI crescente   La coltivazione dell'EPI è un processo di coltivazione di film monocristallini di silicio di alta qualità su un wafer di silicio macinato mediante deposizione chimica a vapore.     Concetti correlati: Crescita epitaxiale:si riferisce alla crescita di uno strato di cristallo singolo sul substrato di cristallo singolo (substrato) che ha determinati requisiti ed è uguale al cristallo del substrato,come se il cristallo originale si estende verso l' esterno per un periodoLa tecnologia di crescita epiteliale fu sviluppata tra la fine degli anni '50 e l'inizio degli anni '60.è necessario ridurre la resistenza in serie del collettore, e richiedono che il materiale resista ad alta tensione e alta corrente, quindi è necessario far crescere un sottile strato epitaxiale ad alta resistenza sul substrato a bassa resistenza.La crescita epitaxiale del nuovo strato singolo cristallino può essere diversa dal substrato in termini di tipo di conduzione, resistività, ecc., e può anche produrre cristalli singoli a più strati con spessori e requisiti diversi,migliorando così notevolmente la flessibilità della progettazione del dispositivo e le prestazioni del dispositivo.   15. imballaggio   L'imballaggio è l'imballaggio del prodotto finale qualificato.     Prodotti correlati alla ZMSH:  

4 pollici 6 pollici wafer di tantalato di litio PIC-- Litio tantalato conduttore d'onda su isolante a bassa perdita per fotonica non lineare su chip   Riassunto: Abbiamo sviluppato una guida d'onda al tantalato di litio su un isolante a 1550 nm con una perdita di 0,28 dB/cm e un fattore di qualità del risonatore toroidale di 1,1 milioni.L'applicazione della nonlinearità nella fotonica non lineare è studiata.   1- Presentazione.   Waveguide technology based on lithium niobate insulators (LNoI) has made great progress in the field of ultra-high speed modulators and on-chip nonlinear photonics due to their favorable χ(2) and χ(3) nonlinear properties and the strong optical limiting effect generated by the "on-insulator" structure [1-3]Oltre al LN, il tantalato di litio (LT) è stato anche studiato come materiale fotonico non lineare.LT ha una soglia di danno ottico più elevata e una finestra otticamente trasparente più ampia [4, 5], anche se i suoi parametri ottici sono simili a quelli di LN, come l'indice di rifrazione e il coefficiente non lineare [6,7].LToI è quindi un altro materiale forte candidato per applicazioni fotoniche non lineari ad alta potenza otticaInoltre, LToI sta emergendo come un importante materiale per parti di filtri per onde acustiche di superficie (SAW) per applicazioni mobili e wireless ad alta velocità.I chip LToI possono diventare un materiale più comune per le applicazioni fotonicheTuttavia, solo pochi dispositivi fotonici basati su LTOI sono stati segnalati fino ad oggi, come i risonatori a microdisco [8] e gli spostatori di fase elettro-ottici [9].Introduciamo una guida d'onda a bassa perdita LToI e la sua applicazione in risonatori ad anello. Inoltre, è fornita la nonlinearità χ(3) della guida d'onda LToI.       Punti salienti   Fornire 4 "-6"LTOIWafer, wafer a pellicola sottile di tantalato di litio, spessore superiore di 100 nm-1500 nm, tecnologia domestica, processo maturo   altri prodotti;   LTOIIl più potente concorrente del niobato di litio, i wafer a pellicola sottile di tantalato di litio   LNOIIl LNOI da 8 pollici supporta la produzione di massa di pellicole sottili di niobato di litio su scala più ampia   Fabbricazione su guide d'onda isolanti   In questo studio, abbiamo usato wafer LTOI da 4 pollici.Lo strato LT superiore è un substrato LT a taglio Y rotativo a 42° per dispositivi SAW che si lega direttamente a un substrato Si con uno strato di ossido termico di 3 μm di spessore e esegue un processo di taglio intelligenteLa figura 1 (a) mostra la vista superiore del wafer LToI, dove lo strato LT superiore ha uno spessore di 200 nm. Abbiamo valutato la rugosità superficiale dello strato LT superiore utilizzando la microscopia a forza atomica (AFM).     Figura 1. (a) vista dall'alto del wafer LToI, (b) immagine AFM della superficie superiore dello strato LT, (c) immagine PFM della superficie superiore dello strato LT, (d) sezione trasversale schematica della guida d'onda LToI,e) schema calcolato della modalità di base di TE, e (f) immagine SEM del nucleo di guida d'onda LToI prima della deposizione del rivestimento SiO2.   Come illustrato nella figura 1 (b), la rugosità superficiale è inferiore a 1 nm e non si osservano linee di graffi.Abbiamo esaminato la polarizzazione dello strato LT superiore utilizzando un microscopio di forza di risposta piezoelettrica (PFM)Anche dopo il processo di legame, abbiamo confermato che la polarizzazione uniforme è stata mantenuta.   Utilizzando ilLTOIIn primo luogo, deponiamo uno strato di maschera metallica per la successiva incisione a secco LT.Quindi eseguiamo litografia a fascio elettronico (EB) per definire il modello del nucleo di guida d'onda sulla parte superiore dello strato di maschera metallicaSuccessivamente, abbiamo trasferito il modello di resistenza EB allo strato della maschera metallica tramite incisione a secco.Abbiamo rimosso lo strato di maschera metallica con un processo umido e depositato lo strato di copertura di SiO2 con deposizione di vapore chimico potenziato dal plasmaLa figura 1 (d) mostra la sezione trasversale schematica della guida d'onda LToI. L'altezza totale del nucleo, l'altezza della piastra e la larghezza del nucleo sono rispettivamente di 200, 100 e 1000 nm.Si noti che per facilitare l'accoppiamento delle fibreLa figura 1 (e) mostra la distribuzione calcolata dell'intensità dell'onda luminosa per la modalità di campo elettrico trasversale (TE) di base a 1550 nm.La figura 1 (f) mostra un'immagine del nucleo della condotta d'onda LToI con microscopio elettronico di scansione (SEM) prima della deposizione del rivestimento SiO2..     Caratteristica della guida d'onda   In primo luogo, si valutano le proprietà di perdita lineare alimentando la luce polarizzata TE da una fonte luminosa auto-emissiva amplificata a 1550 nm in guide d'onda LToI con lunghezze variabili.La perdita di propagazione è ottenuta dalla pendenza della relazione tra la lunghezza della guida d'onda e la trasmittanza di ciascuna lunghezza d'ondaLe perdite di propagazione misurate sono pari a 0.32, 0,28 e 0,26 dB/cm rispettivamente a 1530, 1550 e 1570 nm, come illustrato nella figura 2 a).Le guide d'onda LToI fabbricate presentano prestazioni di perdita relativamente basse simili alle guide d'onda LNOI più avanzate [10].   Evaluiamo poi la nonlinearità χ(3) attraverso la conversione della lunghezza d'onda generata dal processo di miscelazione a quattro onde.   Abbiamo alimentato un'onda luminosa di 1550,0 nm di pompa a onde continue e un'onda luminosa di 1550,6 nm di segnale in una guida d'onda di 12 mm di lunghezza.l'intensità del segnale di onda luminosa coniugata in fase (inattivo) aumenta con l'aumento della potenza di ingressoL'illustrazione della figura 2 (b) mostra uno spettro tipico di uscita per la miscelazione a quattro onde.possiamo stimare il parametro non lineare (γ) di circa 11 W-1m     Figura 3. a) Immagine al microscopio del risonatore ad anello fabbricato. b) Spettro di trasmissione di un risonatore ad anello con vari parametri di interruzione.(c) Misure di un risonatore ad anello con un intervallo di 1000 nm e spettri di trasmissione Lorentziani   Applicabile a risonatori ad anello   In seguito, abbiamo fabbricato un risonatore ad anello LTOI e ne abbiamo valutato le caratteristiche.Il risonatore ad anello ha una configurazione di "pista" costituita da un'area curva con un raggio di 100 μm e da un'area retta con una lunghezza di 100 μmLa larghezza dell'intervallo tra l'anello e il nucleo di guida d'onda del bus varia in incrementi di 200 nm, cioè 800, 1000 e 1200 nm. La figura 3 (b) mostra lo spettro di trasmissione per ciascun intervallo,mostrando che il rapporto di estinzione varia con il divarioDa questi spettri, abbiamo determinato che il gap di 1000 nm fornisce condizioni di accoppiamento quasi critiche, poiché ha un rapporto di estinzione massimo di -26 dB.Si stima il fattore di qualità (fattore Q) adattando lo spettro di trasmissione lineare attraverso Lorentziano, e ottenere un fattore Q interno di 1,1 milioni, come mostrato nella figura 3 (c).il valore del fattore Q ottenuto è molto superiore a quello del risonatore a microdisco LToI accoppiato a fibra [9]     Conclusioni   Abbiamo sviluppato una guida d'onda LTOI con una perdita di 0,28 dB/cm a 1550 nm e un valore Q del risonatore ad anello di 1,1 milioni.   Le prestazioni ottenute sono paragonabili a quelle delle più avanzate guide d'onda a bassa perdita LNoI.La non linearità delle guide d'onda LTOI fabbricate in applicazioni non lineari su chip è anche studiata..     * Si prega di contattarci per eventuali problemi di copyright, e li affronteremo prontamente.