GaN--GaN sul micro isolato GaN Substrates dei wafer del LED EPI a 2 pollici

B2inch GaN--GaN dai sui wafer GUIDATI Micro verdi blu di epi sui substrati indipendenti di GaN

2inch GaN--GaN sui wafer di PIN sui substrati indipendenti di GaN

Circa GaN--GaN sulla caratteristica presenti

I dispositivi di potere verticali di GaN hanno il potenziale di rivoluzionare l'industria del dispositivo di potere, particolarmente nelle applicazioni con i requisiti ad alta tensione, quali i dispositivi verticali di GaN superiore a 600 V. secondo le proprietà fisiche del materiale, i dispositivi di GaN hanno su resistenza più bassa ad una tensione di ripartizione data che ai i dispositivi di potere basati a silicio tradizionali ed i dispositivi di potere puri emergenti del carburo di silicio. I dispositivi di potere orizzontali di GaN, cioè gli alti transistor di mobilità del GaN-su-silicio (HEMTs), fanno concorrenza ai dispositivi del silicio nel mercato a bassa tensione e GaN è superiore, che inoltre prova la superiorità dei materiali di GaN.
I dispositivi di potere verticali di GaN si pensano che facciano concorrenza ai dispositivi di potere puri del carburo di silicio nel mercato ad alta tensione. Durante i primi due anni, sic i dispositivi hanno guadagnato una determinata quota di mercato nel mercato ad alta tensione dell'applicazione ed alcune società hanno ampliato la produzione di a 6 pollici e di a 8 pollici sic. Al contrario, i dispositivi verticali di GaN non sono ancora disponibili nel commercio e molto pochi fornitori possono coltivare i wafer a 4 pollici di GaN del diametro. L'aumento del rifornimento dei wafer di alta qualità di GaN è critico allo sviluppo dei dispositivi verticali di GaN.
I dispositivi di potere ad alta tensione fatti del nitruro di gallio presentano tre vantaggi potenziali:
1. Nell'ambito di una tensione di ripartizione data, la su resistenza teorica è un ordine di grandezza più piccolo. Di conseguenza, meno potere è perso nella polarizzazione di andata ed il rendimento energetico è più alto.

In secondo luogo, nell'ambito della tensione e della su resistenza di ripartizione date, la dimensione del dispositivo fabbricato è più piccola. Più piccola la dimensione del dispositivo, più i dispositivi possono essere fatti da un singolo wafer, che riduce il costo. Inoltre, la maggior parte delle applicazioni richiedono i più piccoli chip.
3. il nitruro di gallio presenta un vantaggio nella frequenza operativa massima del dispositivo e la frequenza è determinata dalle proprietà materiali e dalla progettazione del dispositivo. Il più alta frequenza del carburo di silicio è solitamente circa 1MHz o di meno, mentre i dispositivi di potere fatti del nitruro di gallio possono funzionare alle più alte frequenze, quali i dieci del megahertz. Funzionando alle più alte frequenze è utile per la riduzione della dimensione delle componenti passive, quindi riducente la dimensione, il peso ed il costo del sistema di trasformazione dell'energia.
I dispositivi verticali di GaN sono ancora nella fase di ricerca e sviluppo e l'industria ancora non ha raggiunto un consenso sulla struttura del dispositivo di potere verticale ottimale di GaN. Le tre strutture del dispositivo della corrente principale includono il transistor verticale dell'elettrone dell'apertura corrente (CAVET), il transistor di effetto di campo della fossa (FET della fossa) ed il transistor di effetto di campo dell'aletta (FET dell'aletta). Tutte le strutture del dispositivo contengono uno strato N-verniciato basso come lo strato della deriva. Questo strato è molto importante perché lo spessore dello strato della deriva determina la tensione di ripartizione del dispositivo. Inoltre, la concentrazione dell'elettrone svolge un ruolo nel raggiungimento della su resistenza più bassa teorica. ruolo importante.

Specifiche per GaN--GaN sui substrati per ogni grado