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Wafer del nitruro di gallio

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La Cina Spessore di GaN Wafer 350um del nitruro di gallio dell'esposizione della proiezione del laser distributore
Spessore di GaN Wafer 350um del nitruro di gallio dell'esposizione della proiezione del laser

Wafer del nitruro di gallio

(35)
La Cina wafer di GaN-su-SIC Epi di GaN-su-si di 4Inch 6INCH per l'applicazione di rf fabbrica

wafer di GaN-su-SIC Epi di GaN-su-si di 4Inch 6INCH per l'applicazione di rf
Contatto

EPI-WAFER GAN-ON-SI da 8 pollici a 12 pollici a 6 pollici per applicazioni a micro-LED 8 pollici 100 mm 150 mm 200 mm 300 mm GAN-ON-SI EPI-WAFERS per l'applicazione di potenza Wafer epitaxial GaN (GaN EPI sul ... Leggi di più
2023-12-12 15:57:26
La Cina GaN-Su-si EPI-WAFERS di 8INCH 12INCH 6INCH per l'applicazione di potere rf LED fabbrica

GaN-Su-si EPI-WAFERS di 8INCH 12INCH 6INCH per l'applicazione di potere rf LED
Contatto

8inch 12inch 6inch GAN-ON-SI EPI-WAFERS per l'applicazione di LED RF POWER Wafer epitaxial GaN (GaN EPI sul silicio)Il nitruro di gallio (GaN) è stato ampiamente utilizzato nei dispositivi di alimentazione e ... Leggi di più
2023-12-12 15:44:05
La Cina 10x10mm 10x15mm 001 Ossido di gallio substrato GaO Mg doping Ga2O3 Gallio nitruro Wafer fabbrica

10x10mm 10x15mm 001 Ossido di gallio substrato GaO Mg doping Ga2O3 Gallio nitruro Wafer
Contatto

verniciatura di mg del substrato di Gao dell'ossido del gallio 001 di 10x15mm struttura del monoclinale del substrato dell'ossido del gallio di 10x10mm-----------------------------------------------------------... Leggi di più
2025-02-06 09:58:17
La Cina N-GaAs Substrato VCSEL Epiwafer 6 pollici Gallium Arsenide Wafer 2 pollici <100> <110> Per dispositivi optoelettronici fabbrica

N-GaAs Substrato VCSEL Epiwafer 6 pollici Gallium Arsenide Wafer 2 pollici <100> <110> Per dispositivi optoelettronici
Contatto

2 pollici di substrato di arsenide di N-gallio, N-GaAs VCSEL epitaxial wafer, semiconduttore epitaxial wafer, 2 pollici di substrato di N-GaAs, GaAs single crystal wafer 2 pollici 3 pollici 4 pollici di ... Leggi di più
2024-09-10 15:33:00
La Cina N-GaAs substrato VCSEL epiwafer 6 pollici GaAs orientamento 100 111 lunghezza d&#039;onda 940nm per Gigabit Ethernet fabbrica

N-GaAs substrato VCSEL epiwafer 6 pollici GaAs orientamento 100 111 lunghezza d'onda 940nm per Gigabit Ethernet
Contatto

N-GaAs substrato VCSEL epiwafer 6 pollici GaAs orientamento 100 111 lunghezza d'onda 940nm per Gigabit Ethernet Sottostrato di N-GaAs VCSEL epiwafer IlN-GaAs (arsenide di gallio di tipo n) substrato epiwafer ... Leggi di più
2024-09-10 15:33:00
La Cina Ricambi Sapphire per orologi Sapphire Gasket Pure Al2O3 Alta durezza per orologi di fascia alta fabbrica

Ricambi Sapphire per orologi Sapphire Gasket Pure Al2O3 Alta durezza per orologi di fascia alta
Contatto

Guarnizione ottica zaffiro, vetro monocristallino Al2O3, vetro ottico zaffiro,Al2O3 singolo cristallo Guarnizione, Sapphire optico,Al2O3 Guarnizione orologio a cristallo singolo, Guarnizione orologio ottica per ... Leggi di più
2024-08-23 16:30:29
La Cina 4 pollici GaN-on-Si Wafers Gallium Nitride Wafer Epi-wafer 6 pollici 8 pollici Durezza 9,0 Mohs Per Potenza RF LED fabbrica

4 pollici GaN-on-Si Wafers Gallium Nitride Wafer Epi-wafer 6 pollici 8 pollici Durezza 9,0 Mohs Per Potenza RF LED
Contatto

GaN su Wafer composto di Si, Wafer di Si, Wafer di Silicio, Wafer composto, GaN su Substrato di Si, Substrato di Carburo di Silicio, 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici, strato di Nitruro di Gallio (GaN) su ... Leggi di più
2024-08-23 14:05:10
La Cina 4&#039;&#039; 200nm AlScN Su Wafer di Silicio SSP DSP Substrati Epitaxiali Per Dispositivi LED fabbrica

4'' 200nm AlScN Su Wafer di Silicio SSP DSP Substrati Epitaxiali Per Dispositivi LED
Contatto

4'' 200nm AlScN Template On Silicon SSP DSP Epitaxial Substrates per dispositivi a LED Caratteristiche: Il nitruro di scandio di alluminio (AlScN) sul silicio si riferisce alla deposizione di un sottile AlScN ... Leggi di più
2024-02-05 13:17:55
La Cina 4&#039; 6&#039; AIN sui substrati di silicio SSP DSP Wafers semiconduttori 100nm 200nm strato fabbrica

4' 6' AIN sui substrati di silicio SSP DSP Wafers semiconduttori 100nm 200nm strato
Contatto

4' 6' AIN sui substrati di silicio SSP DSP Wafers semiconduttori 100nm 200nm strato Descrizione: Il nitruro di alluminio su wafer di silicio è un nuovo tipo di materiale semiconduttore che offre proprietà ... Leggi di più
2024-01-10 10:11:09
La Cina GaN-SU-silicio del wafer del nitruro di gallio di 300mm per potere micro LED fabbrica

GaN-SU-silicio del wafer del nitruro di gallio di 300mm per potere micro LED
Contatto

EPI-WAFERS 8inch 12inch 6inch GAN-ON-SI per l'applicazione di micro-LED RF 8 pollici 100 mm 150 mm 200 mm 300 mm GAN-ON-SI EPI-WAFERS per l'applicazione di potenza Wafer epitaxial GaN (GaN EPI sul silicio)Il ... Leggi di più
2023-12-12 16:15:06
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Sic substrato

L'elevata purezza non-ha verniciato il wafer del carburo di silicio sic, substrato del carburo di silicio di 6Inch 4H-Semi sic

6H a 2 pollici - basso consumo energetico del wafer del carburo di silicio dei semi per il rivelatore

sic carburi di silicio del lingotto 4inch spessore di 15mm - di 5 per i semiconduttori

4H-SEMI ha lucidato sic la durezza della lente 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 del wafer per il materiale del dispositivo

Wafer dello zaffiro

Orientamento su ordinazione dello speciale di Windows di vetro/zaffiro dello zaffiro del wafer a semiconduttore

Wafer di zaffiro Spessore 0,43 mm Componenti di zaffiro Dimensioni e orientamenti personalizzati

Di cristallo quadrato del wafer dello zaffiro/zaffiro 10x10mm 5x5mm per la lente ottica

2°Off C - zaffiro sintetico Epi di vetro di asse - diametro a 2 pollici 50.8mm dei substrati pronti

Wafer del nitruro di gallio

Spessore di GaN Wafer 350um del nitruro di gallio dell'esposizione della proiezione del laser

2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template indipendente per principale

Modello di 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN sul wafer dello AlN-Su-zaffiro del EPI-wafer dello zaffiro

wafer del modello di GaN AlN del nitruro di gallio di 2inch 4Inch su zaffiro, substrati di si

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