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Wafer porpora a 2 pollici del wafer SSP LED di GaN Sapphire LED Epi

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Wafer porpora a 2 pollici del wafer SSP LED di GaN Sapphire LED Epi

2 Inch GaN Sapphire LED Epi Wafer SSP Purple LED Wafer
2 Inch GaN Sapphire LED Epi Wafer SSP Purple LED Wafer 2 Inch GaN Sapphire LED Epi Wafer SSP Purple LED Wafer

Grande immagine :  Wafer porpora a 2 pollici del wafer SSP LED di GaN Sapphire LED Epi

Dettagli:
Luogo di origine: La Cina
Marca: ZMSH
Certificazione: rohs
Numero di modello: il blu dello GaN-SU-zaffiro 2inch ha condotto il epi-wafer
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 5pcs
Prezzo: usd150.00
Imballaggi particolari: singolo contenitore del wafer o contenitore di cassetta 25pcs nell'ambito di stanza 100cleaning
Tempi di consegna: 1-4week;
Termini di pagamento: T/T, Western Union
Capacità di alimentazione: 1000PCS/Month
Descrizione di prodotto dettagliata
Materiale: epi-wafer dello GaN-SU-zaffiro Substrato: Zaffiro
Dimensione: 2-6inch Superficie: SSP/DSP
OEM MOQ: 20PCS Spessore: 430um per 2inch
spessore di epi: 1-5um Applicazione: LED
Evidenziare:

Wafer di GaN Sapphire LED Epi

,

Wafer a 2 pollici del LED Epi

,

Wafer del nitruro di gallio LED

il blu dello GaN-SU-zaffiro di 2inch 4inch 6inch ha condotto i wafer verdi del epi-wafer PSS del LED

Come un produttore e fornitore principali dei wafer di epi di GaN (nitruro di gallio), offriamo 2-6inch GaN sui wafer di epi dello zaffiro per le applicazioni di elettronica di microonda con uno spessore di 2 sul pollice dei substrati 430um dello zaffiro dell'C-aereo, 520um a 4 pollici, 650um e 1000-1300um a 6 pollici, il valore normale dello strato dell'amplificatore di GaN è 2-4um; possiamo anche fornire le strutture ed i parametri su misura secondo i requisiti di cliente.

GaN su Sapphire Templates

GaN sui modelli dello zaffiro è disponibile di diametro da 2" fino a 6" e consiste di uno strato sottile di GaN cristallino sviluppato da HVPE su un substrato dello zaffiro. modelli Epi-pronti ora disponibili

Come un produttore e fornitore principali dei wafer di epi di GaN (nitruro di gallio), offriamo 2-6inch GaN sui wafer di epi dello zaffiro per le applicazioni di elettronica di microonda con uno spessore di 2 sul pollice dei substrati 430um dello zaffiro dell'C-aereo, 520um a 4 pollici, 650um e 1000-1300um a 6 pollici, il valore normale dello strato dell'amplificatore di GaN è 2-4um; possiamo anche fornire le strutture ed i parametri su misura secondo i requisiti di cliente.

Spec. per i Epi-wafer verdi di GaN-on-Sapphire/PSS LED
substrati dello zaffiro e modello Sapphire Substrates (PSS) con la dimensione del wafer da a 2 pollici ad a 6 pollici.
La qualità del wafer incontra seguenti spec.:

Wafer porpora a 2 pollici del wafer SSP LED di GaN Sapphire LED Epi 0

Wafer porpora a 2 pollici del wafer SSP LED di GaN Sapphire LED Epi 1

Caratteristiche di conduttura (blu/struttura verde del LED):
buona qualità di cristallo
Dispositivi optoelettronici ad alto rendimento

Per più informazioni, visiti prego il nostro sito Web l'altra pagina;
inviici il email ad eric-wang@galliumnitridewafer.com

ZMSH è un produttore principale del materiale a semiconduttore in Cina. ZMSH sviluppa le tecnologie avanzate di epitassia e della crescita dei cristalli, i processi di fabbricazione, i substrati costruiti ed i dispositivi a semiconduttore. Le nostre tecnologie permettono al rendimento elevato ed alla fabbricazione più a basso costo del wafer a semiconduttore.

Potete ottenere il nostro servizio libero della tecnologia dall'indagine dopo a servizio basato sulle nostre esperienze 10+ di linea a semiconduttore.

Dettagli di contatto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Persona di contatto: Mr. Wang

Telefono: +8615801942596

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