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4" wafer del nitruro di gallio

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4" wafer del nitruro di gallio

Grande immagine : 4" wafer del nitruro di gallio

Dettagli:

Luogo di origine:	La CINA
Marca:	zmkj
Numero di modello:	modello di 2-4inch GaN

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	2pc
Prezzo:	by case
Imballaggi particolari:	singola cassa del wafer nella stanza di pulizia di 100 gradi
Tempi di consegna:	2-4weeks
Termini di pagamento:	L/C, T/T

Contatto

Descrizione di prodotto dettagliata

Materiale:	strato sul wafer dello zaffiro	Metodo:	HVPE
Dimensione:	2inch, 4inch	Spessore:	430+15um o 650um
Industria:	LD, principale, dispositivo del laser, rivelatore,	Superficie:	lato doppio o singolo lucidato
Evidenziare:	4" wafer del nitruro di gallio , Wafer del nitruro di gallio di HVPE , wafer del nitruro di gallio 650um

I substrati UV-C del LED EPI mettono a strati il wafer del modello di AlN del nitruro di gallio 2inch, 4inch su zaffiro o sic substrati,

Wafer del nitruro di gallio di HVPE, modelli di AlN

III-nitruro (GaN, AlN, locanda)

La larghezza di banda severa (luminescente ed assorbimento) riguarda la luce e l'infrarosso ultravioletti e visibili.

Prodotto

Film del nitruro di alluminio (AlN)

Descrizione di prodotto:

AllN Epitxial ha proposto il metodo di modello di epitassia di fase di vapore dell'idruro del saphhire (HVPE). Il film del nitruro di alluminio è inoltre modo redditizio sostituire il substrato di monocristallo del nitruro di alluminio. Il cristallo del ramo accoglie favorevolmente francamente la vostra indagine!

Parametri tecnici:

Dimensione	± 2mm di 50mm
Orientamento del substrato dello zaffiro	± 1.0deg di c-asse (0001)
Macro densità di difetto	<5cm-2>
Area disponibile	90%
Trattamento di superficie prima	Come sviluppato Epi-pronto
Contenitore	Singolo chip

Specifiche:

10x10x0.5mm, 10x10x1mm, dia2 «x1mm;

Può essere personalizzato secondo l'orientamento e la dimensione speciali della domanda di cliente.

Imballaggio standard:

borsa pulita 1000 stanza pulita, 100 o singolo imballaggio della scatola

Specifiche:

	4" modelli di AlN	dimensione 2-4inch anche giusta
Oggetto	AlN-T
Dimensioni	Ф 100±0.3mm
Substrato	Zaffiro, sic, GaN
Spessore	1000nm+/- 10% (spessore di AlN)
Orientamento	± 1° di C-asse (0001)
Tipo di conduzione	Semi-isolamento
Densità di dislocazione	XRD FWHM di (0002) < 200="" arcsec="">
	XRD FWHM di (10-12) < 1000="" arcsec="">
Area utilizzabile	> 80%
Lucidatura	Norma: SSP
	Opzione: DSP
Pacchetto	Imballato nell'ambiente della stanza pulita della classe A 100, in cassette di 25pcs o di singoli contenitori del wafer, nell'ambito di un'atmosfera dell'azoto. o singole cassette.

L'altra dimensione 5x5mm aslike, 10x10mm, 2inch, 3inch anche può essere personalizzata.

4" wafer del nitruro di gallio 0

Applicazione:

4" wafer del nitruro di gallio 1

4" wafer del nitruro di gallio 2

4" wafer del nitruro di gallio 3

4" wafer del nitruro di gallio 4

Circa il nostro gruppo

ZMKJ individua nella città di Shanghai, che è la migliore città della Cina,

e la nostra fabbrica è fondata nella città di Wuxi nel 2014, ma nel materiale a semiconduttore,

abbia la buona esperienza per quasi 10years.
Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati e parts.components di vetro ottico custiomized ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'optoelettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura ed i servizi per i loro progetti di R & S.
È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dai nostri buoni reputatiaons.

4" wafer del nitruro di gallio 5

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Mr. Wang

Telefono: +8615801942596