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N-GaAs substrato VCSEL epiwafer 6 pollici GaAs orientamento 100 111 lunghezza d'onda 940nm per Gigabit Ethernet

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Luogo di origine: Cina

Marca: ZMSH

Certificazione: ROHS

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Tempi di consegna: 2-4weeks

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                                                                                                                                                                                                                                                                                                                Epiwafer GaAs VCSEL da 6 pollici, Epiwafer VCSEL da 940 nm, 100 111 Epiwafer VCSEL
                              

Cavity mode Tolerance:	Within3%	Modalità cavità Uniformità:	Cassazione
Dopinglevel tolerance:	Within ±30 %	Livello di doping Uniformità:	Cassazione di credito
PL Wavelength uniformity:	Std. Dev better than 2nm @inner 140mm	Thickness uniformity:	Better than ±3% @inner 140mm
Mole fraction x tolerance:	Within ±0.03	Mole fraction x Uniformity:	<= 0.03

Cavity mode Tolerance:	Within3%
Modalità cavità Uniformità:	Cassazione
Dopinglevel tolerance:	Within ±30 %
Livello di doping Uniformità:	Cassazione di credito
PL Wavelength uniformity:	Std. Dev better than 2nm @inner 140mm
Thickness uniformity:	Better than ±3% @inner 140mm
Mole fraction x tolerance:	Within ±0.03
Mole fraction x Uniformity:	<= 0.03

N-GaAs substrato VCSEL epiwafer 6 pollici GaAs orientamento 100 111 lunghezza d'onda 940nm per Gigabit Ethernet

Sottostrato di N-GaAs VCSEL epiwafer

IlN-GaAs (arsenide di gallio di tipo n) substrato epiwafer VCSELè un componente critico utilizzato nella fabbricazione di laser a emissione di superficie a cavità verticale (VCSEL).Il wafer è costruito su un substrato GaAs di tipo N, che fornisce un'eccellente conduttività elettrica e una base adatta per la crescita dello strato epitaxiale.

Gli strati epitexiali, composti in genere da vari semiconduttori composti, sono coltivati sul substrato per formare la regione attiva del laser.offrendo un'elevata efficienza e una facile integrazione in arrayIl wafer supporta tipicamente l'emissione a lunghezze d'onda come850 nm o 940 nm, ideale per le applicazioni nella comunicazione in fibra ottica e nel rilevamento 3D.

I substrati di N-GaAs fornisconobassa densità di difetti, essenziali per dispositivi ad alte prestazioni e possono sopportarelavorazione ad alta temperaturaLa sua stabilità meccanica e conducibilità termica la rendono adatta per applicazioni ad alta potenza e ad alta velocità.Centri dati,elettronica di consumo(ad esempio, il riconoscimento facciale negli smartphone) esistemi automobilisticicome il LIDAR, a causa della suacosto-efficacia- escalabiledi produzione.

Struttura dell'epiwafer VCSEL del substrato N-GaAs

N-GaAs substrato VCSEL epiwafer 6 pollici GaAs orientamento 100 111 lunghezza d'onda 940nm per Gigabit Ethernet 0

scheda di dati dell'epiwafer VCSEL del substrato N-GaAsZMSH VCSEL EPIWAFER.pdf)

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Foto dell'epiwafer VCSEL del substrato N-GaAs

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Applicazione di epiwafer VCSEL a substrato di N-GaAs

IlEpiwafer VCSEL a substrato N-GaAsè ampiamente utilizzato in varie applicazioni high-tech a causa della sua efficiente emissione di luce verticale, scalabilità e prestazioni.

Comunicazione ottica:

I VCSEL su substrati N-GaAs sono ampiamente utilizzati incomunicazione in fibra otticasistemi, compresiGigabit Ethernet- eCentri dati, dove supportano la trasmissione di dati ad alta velocità su brevi distanze con un'elevata efficienza energetica.

Sensori 3D:

Inelettronica di consumo, come smartphone e tablet, i VCSEL sono parte integranteSensori 3Dapplicazioni, comprese:riconoscimento facciale(identificazione facciale),riconoscimento gestuale, erealtà aumentataLa loro struttura compatta e l'efficienza energetica li rendono ideali per i dispositivi mobili.

LIDAR (Light Detection and Ranging):

I VCSEL sono utilizzati inLIDARperveicoli autonomi,droni, eroboticaLa lunghezza d'onda di 940 nm è particolarmente utile nel LIDAR a causa della sua capacità di funzionare bene in condizioni esterne.

Topi laser e stampanti:

Gli epiwafer VCSEL sono utilizzati anche intopi laserper un preciso monitoraggio del movimento e inmacchine per la stampa a laserper la stampa ad alta velocità e ad alta risoluzione.

Sensori medici e industriali:

Nella diagnostica medica e nell'automazione industriale, i VCSEL sono utilizzati per:rilevamento di prossimità,scansione biometrica, esistemi di posizionamentoa causa della loro precisione e affidabilità.

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Queste applicazioni evidenziano la versatilità e l'importanza dei VCSEL a substrato N-GaAs nella tecnologia moderna.

Proprietà degli epiwafer VCSEL del substrato N-GaAs

IlEpiwafer VCSEL a substrato N-GaAspossiede diverse importanti proprietà che lo rendono ideale per applicazioni optoelettroniche avanzate, in particolare nelle tecnologie di comunicazione ad alta velocità e di rilevamento.

Alta conduttività elettrica:

IlSubstrato di GaAs di tipo noffre un'eccellente conducibilità elettrica, consentendo un'efficiente iniezione del vettore nelle regioni attive del VCSEL.

Bassa densità di difetti:

Il substrato di GaAs ha in genere unbassa densità di dislocazione, che è fondamentale per i dispositivi ad alte prestazioni, garantendo l'uniformità e l'affidabilità delle serie VCSEL.

Alta conduttività termica:

Il GaAs forniscebuona conduttività termica, che consente un'efficiente dissipazione del calore durante il funzionamento ad alta potenza, rendendolo adatto per applicazioni continue e ad alta velocità.

Tonabilità a lunghezza d'onda:

Gli epiwafer VCSEL coltivati su substrati N-GaAs possono essere adattati per emettere luce a lunghezze d'onda specifiche, comunemente850 nm- e940 nm, che sono ottimali per la comunicazione in fibra ottica e il rilevamento 3D.

Emissioni verticali:

Ilstruttura a cavità verticaleL'uso di VCSEL consente l'emissione di luce perpendicolare alla superficie del wafer, consentendo un'efficiente integrazione in array e rendendo il wafer ideale per dispositivi ottici compatti ad alta densità.

Scalabilità:

Il substrato N-GaAs supportaproduzione ad alto volume e a basso costo, che lo rende una scelta attraente per l'elettronica di consumo, l'industria automobilistica e le telecomunicazioni.

Stabilità a temperatura:

VCSEL su substrati di GaAs mostranoprestazioni stabili a diverse temperature, garantendo un funzionamento affidabile in ambienti difficili, come data center e veicoli autonomi.

Queste proprietà rendono l'epiwafer N-GaAs VCSEL ideale per applicazioni che richiedono prestazioni optoelettroniche ad alta velocità, efficienti e affidabili.

Epiwafer VCSEL a substrato di N-GaAs in ZMSH

IlN-GaAs (arsenide di gallio di tipo n) substrato epiwafer VCSELè un componente vitale per la fabbricazione di VCSEL, ampiamente utilizzati incomunicazione ottica,Sensori 3D, eLIDAR. Costruito su N-GaAs, il wafer fornisce eccellenteconduttività elettricae una solida base per la crescita di strati epitaxiali, che consentono l'emissione di luce verticale ad alta efficienza a lunghezze d'onda quali850 nm- e940 nm.

ZMSHFornisce questi wafer di alta qualità e garantisce l'affidabilità del prodotto attraverso metodi di prova avanzati comeMappazione PL,Mapping F-P, eModalità cavitàQuesti test contribuiscono a mantenere una bassa densità di difetti e garantiscono l'uniformità dei wafer, essenziale per le applicazioni ad alte prestazioni.lunghezze d'ondae configurazioni, quali:VCSEL a giunzione singola a 940 nm, per soddisfare le diverse esigenze industriali.

Con il controllo di qualità dettagliato e la scalabilità di ZMSH, questi wafer sono ideali per applicazioni inCentri dati,elettronica di consumo(ad esempio, riconoscimento facciale), esistemi automobilistici, fornendocosto-efficacia- eaffidabilesoluzioni.

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