Introduzione

ZMSH è costantemente all'avanguardia nell'innovazione dei wafer e dei substrati a carburo di silicio (SiC), noto per fornire prestazioni elevate6H-SiC- e4H-SiCIn risposta alla crescente domanda di materiali più efficienti nelle applicazioni ad alta potenza e ad alta frequenza,La ZMSH ha ampliato la sua offerta di prodotti con l'introduzione del4H/6H-P 3C-N SiCQuesto nuovo prodotto rappresenta un importante balzo tecnologico combinando i tradizionali4H/6H politipo SiCSottostati con caratteristiche innovative3C-N SiCLe nuove tecnologie, che offrono un nuovo livello di prestazioni ed efficienza per i dispositivi di nuova generazione.

Visualizzazione dei prodotti esistenti: Sottostrati 6H-SiC e 4H-SiC

Caratteristiche chiave

• Struttura cristallina: Sia il 6H-SiC che il 4H-SiC possiedono strutture cristalline esagonali.considerando che il 4H-SiC vanta una maggiore mobilità elettronica e una banda larga di 3.2 eV, che lo rende adatto per applicazioni ad alta frequenza e alta potenza.
• Conduttività elettrica: Disponibile in opzioni di tipo N e di semi-isolamento, che consentono la flessibilità per varie esigenze del dispositivo.
• Conduttività termica: Questi substrati presentano conduttività termica compresa tra 3,2 e 4,9 W/cm·K, indispensabile per dissipare il calore in ambienti ad alta temperatura.
• Forza meccanica: I substrati presentano una durezza di Mohs di 9.2, fornendo robustezza e durata per l'uso in applicazioni esigenti.
• Utili tipici: comunemente utilizzato in elettronica di potenza, dispositivi ad alta frequenza e ambienti che richiedono resistenza alle alte temperature e alle radiazioni.

SfideMentre6H-SiC- e4H-SiCSono molto apprezzati, incontrano alcuni limiti in scenari specifici ad alta potenza, alta temperatura e alta frequenza.e una banda più stretta limitano la loro efficacia per le applicazioni di nuova generazioneIl mercato richiede sempre più materiali con prestazioni migliori e meno difetti per garantire una maggiore efficienza operativa.

Nuova innovazione di prodotto: 4H/6H-P 3C-N SiC Substrati

Per superare i limiti dei suoi precedenti substrati di SiC, ZMSH ha sviluppato il4H/6H-P 3C-N SiCQuesto nuovo prodotto sfruttacrescita epitaxianadi pellicole 3C-N SiC suSubstrati di politipo 4H/6H, fornendo proprietà elettroniche e meccaniche migliorate.

Principali miglioramenti tecnologici

• Politipo e integrazione del filmIl3C-SiCle pellicole sono coltivate epitaxialmente utilizzandoDeposito di vapore chimico (CVD)suSubstrati 4H/6H, riducendo significativamente la disadattamento del reticolo e la densità dei difetti, portando a una migliore integrità del materiale.
• Mobilità elettronica migliorataIl3C-SiCLa pellicola offre una mobilità elettronica superiore rispetto alla pellicola tradizionaleSubstrati 4H/6H, che lo rende ideale per applicazioni ad alta frequenza.
• Miglioramento della tensione di rottura: I test indicano che il nuovo substrato offre una tensione di rottura significativamente superiore, rendendolo più adatto alle applicazioni ad alta intensità energetica.
• Riduzione dei difetti: Le tecniche di crescita ottimizzate riducono al minimo i difetti e le lussazioni dei cristalli, garantendo la stabilità a lungo termine in ambienti difficili.
• Capacità optoelettronicheLa pellicola 3C-SiC presenta anche caratteristiche optoelettroniche uniche, particolarmente utili per i rilevatori ultravioletti e varie altre applicazioni optoelettroniche.

Vantaggi del nuovo substrato SiC 4H/6H-P 3C-N

• Maggiore mobilità elettronica e resistenza alla rotturaIl3C-N SiCLa pellicola garantisce una stabilità ed efficienza superiori nei dispositivi ad alta potenza e ad alta frequenza, con conseguente durata operativa più lunga e prestazioni più elevate.
• Miglioramento della conduttività termica e della stabilità: Grazie alle migliori capacità di dissipazione del calore e alla stabilità a temperature elevate (oltre 1000°C), il substrato è adatto ad applicazioni ad alte temperature.
• Applicazioni optoelettroniche estese: Le proprietà optoelettroniche del substrato ampliano il suo campo di applicazione, rendendolo ideale per sensori ultravioletti e altri dispositivi optoelettronici avanzati.
• Maggiore resistenza chimica: Il nuovo substrato presenta una maggiore resistenza alla corrosione chimica e all'ossidazione, che è vitale per l'uso in ambienti industriali difficili.

Aree di applicazione

Il4H/6H-P 3C-N SiCil substrato è ideale per una vasta gamma di applicazioni all'avanguardia grazie alle sue proprietà elettriche, termiche e optoelettroniche avanzate:

• Elettronica di potenza: La sua tensione di rottura superiore e la gestione termica la rendono il substrato di scelta per dispositivi ad alta potenza comeMOSFET,IGBT, ediodi di Schottky.
• Dispositivi a RF e a microonde: L'alta mobilità elettronica garantisce prestazioni eccezionali in alta frequenzaRF- edispositivi a microonde.
• Detettori ultravioletti e optoelettronica: Le proprietà optoelettroniche di3C-SiCrendere particolarmente adatto perRilevazione UVe vari sensori optoelettronici.

Conclusione e raccomandazione del prodotto

Il lancio della ZMSH4H/6H-P 3C-N SiCQuesto prodotto innovativo, con la sua maggiore mobilità elettronica, ridotta densità di difetto,e tensione di rottura migliorata, è ben posizionata per soddisfare le crescenti richieste dei mercati della potenza, della frequenza e dell'optoelettronica.La sua stabilità a lungo termine in condizioni estreme lo rende anche una scelta altamente affidabile per una vasta gamma di applicazioni.

La ZMSH incoraggia i propri clienti ad adottare4H/6H-P 3C-N SiCper sfruttare le sue capacità di prestazione all'avanguardia.Questo prodotto non solo soddisfa i severi requisiti dei dispositivi di nuova generazione, ma aiuta anche i clienti a ottenere un vantaggio competitivo in un mercato in rapida evoluzione.

Raccomandazione del prodotto

4 pollici 3C N-tipo SiC Substrato Carburo di silicio Substrato Spessore 350um Prime Grade Dummy Grade

- supportare quelli personalizzati con disegni artistici

- un cristallo cubo (3C SiC), ottenuto da monocristallo SiC

- Alta durezza, durezza di Mohs raggiunge 9.2, secondo solo al diamante.

- eccellente conduttività termica, adatta ad ambienti ad alta temperatura.

- caratteristiche di banda larga, idonee per dispositivi elettronici ad alta frequenza e alta potenza.