Soluzioni Premium per Substrati in Carburo di Silicio (SiC) da 12 pollici (300 mm)

1Introduzione completa del prodotto

Il substrato in carburo di silicio (SiC) da 12 pollici (300 mm) rappresenta l'attuale frontiera nella tecnologia dei semiconduttori a banda larga (WBG).Mentre l'industria globale passa verso una maggiore efficienza e una maggiore densità di energia, questa piattaforma cristallina di grande diametro fornisce la base essenziale per la prossima generazione di sistemi di elettronica di potenza e RF.

Principali vantaggi strategici:

• Trasmissione massiccia:Rispetto ai tradizionali wafer da 150 mm (6 pollici) e 200 mm (8 pollici), il formato da 300 mm offre rispettivamente più di 2,2 volte e 1,5 volte la superficie utilizzabile.
• Ottimizzazione dei costi:Riduce drasticamente il "costo per stampo" massimizzando il numero di chip prodotti per singolo ciclo di produzione.
• Compatibilità avanzata:Compatibile con linee di produzione di semiconduttori moderne e completamente automatizzate da 300 mm (Fabs), migliorando l'efficienza operativa complessiva.

Offerte di prodotti:

1. 4H SiC di tipo N di grado di produzione:Progettato per la fabbricazione di dispositivi elettrici di alto rendimento.
2. 4H SiC di tipo N, di qualità "dummy":Una soluzione conveniente per le prove meccaniche, la taratura delle attrezzature e la convalida dei processi termici.
3. 4H SiC semisolatore (SI) grado di produzione:Progettato specificamente per applicazioni RF, radar e microonde che richiedono una resistenza estrema.

Carburo di silicio 4H-N (tipo conduttore)

Il politipo 4H-N è una struttura cristallina esagonale dopata di azoto nota per le sue robuste proprietà fisiche.

• Campo elettrico ad alta rottura:Consente la progettazione di dispositivi ad alta tensione più sottili ed efficienti.
• Conduttività termica superiore:Consente ai moduli ad alta potenza di funzionare con sistemi di raffreddamento semplificati.
• Stabilità termica estremaMantenere parametri elettrici stabili anche in ambienti difficili superiori a 200°C.
• Basso livello di resistenzaOttimizzato per strutture di potenza verticali come MOSFET SiC e SBD.

Carburo di silicio 4H-SI (tipo semisolatore)

I nostri substrati SI sono caratterizzati da una resistenza eccezionalmente elevata e da difetti cristallini minimi.

• Ottimo isolamento elettrico:Elimina la conduzione del substrato parassita.
• Integrità del segnaleIdeale per applicazioni a microonde ad alta frequenza in cui è fondamentale una bassa perdita di segnale.

Il nostro processo di produzione è verticalmente integrato per garantire un controllo di qualità totale dalla materia prima al wafer finito.

• Crescita per sublimazione (metodo PVT):I cristalli da 12 pollici sono coltivati utilizzando il metodo del trasporto fisico del vapore (PVT).La polvere di SiC di alta purezza viene sublimata a temperature superiori a 2000°C sotto un vuoto e un gradiente termico controllati con precisione, ricristallizzandosi in un cristallo di semi di alta qualità.
• Taglio di precisione e profilazione dei bordi:Dopo la crescita, i lingotti di cristallo vengono tagliati in wafer utilizzando una segatura a diamanti avanzata.La lavorazione dei bordi prevede un'accelerazione di precisione per prevenire la frantumazione e migliorare la robustezza meccanica durante la movimentazione.
• Ingegneria superficiale (CMP):A seconda dell'applicazione, utilizziamo la lucidatura meccanica chimica (CMP) sulla superficie di Si. Questo processo ottiene una superficie "Epi-Ready" con liscezza su scala atomica,Rimozione di tutti i danni sotterranei per facilitare la crescita epitaxiale di alta qualità.

Utilizziamo un protocollo di ispezione in più fasi per garantire prestazioni costanti nella vostra linea di produzione:

1. Metrologia ottica:Misurazione automatizzata della geometria superficiale per TTV, arco e curvatura.
2. Valutazione cristallina:Ispezione della luce polarizzata per inclusioni di politipo e analisi dello stress.
3. Scansione dei difetti superficiali:Luce ad alta intensità e diffusione laser per rilevare graffi, buche e frammenti.
4. Caratteristica elettrica:Mappa di resistività senza contatto tra le zone centrali da 8 pollici e le zone complete da 12 pollici.

• Veicoli elettrici:Critico per gli inverter di trazione, le pile di ricarica rapida a 800 V e i caricabatterie di bordo (OBC).
• Energia rinnovabile:Invertitori fotovoltaici ad alta efficienza, convertitori di energia eolica e sistemi di accumulo di energia (ESS).
• Griglia intelligente:Trasmissione di corrente continua ad alta tensione (HVDC) e motori industriali.
• Telecomunicazioni:Macro stazioni 5G/6G, amplificatori di potenza RF e collegamenti satellitari.
• Aerospaziale e Difesa:Forniture di alimentazione di alta affidabilità per ambienti aerospaziali estremi.