2/4/6/8 pollici Sic Semi di cristallo di carburo di silicio 4H-N Tipo Alta durezza P grado R grado D grado

2/4/6/8 pollici Sic Carburo di silicio Substrato di semi di cristallo 4H-N Tipo Alta durezza P Grado R Grado D Grado

Il carburo di silicio (SiC), comunemente indicato come carburo di silicio, è un composto formato dalla combinazione di silicio e carbonio.che è ampiamente utilizzato nei materiali semiconduttoriIl carburo di silicio è secondo solo al diamante per durezza, rendendolo un eccellente strumento abrasivo e di taglio.La buona conduttività termica lo rende adatto per applicazioni ad alta temperatura come LED e elettronica di potenza. Buona resistenza alle sostanze chimiche, specialmente acidi e alcali. Buona resistenza alle sostanze chimiche, specialmente acidi e alcali. Buona resistenza alle sostanze chimiche, specialmente acidi e alcali.A causa delle sue proprietà superiori, i cristalli di semi di carburo di silicio sono diventati un materiale indispensabile nell'industria e nella tecnologia moderna.

Caratteristiche:

• Stabilità ad alta temperatura:Può comunque mantenere buone proprietà fisiche e chimiche in ambiente ad alta temperatura.
• Basso coefficiente di espansione termica:rende meno suscettibile alla deformazione in caso di variazioni di temperatura, rendendolo adatto ad applicazioni di precisione.

Parametro tecnico

Applicazioni:

1Elettronica: ampiamente utilizzata nella produzione di dispositivi semiconduttori ad alta potenza e ad alta frequenza, come MOSFET e diodi.

2. Abrasivi e utensili da taglio: utilizzati per la fabbricazione di carta vetrata, pietre da macinare e utensili da taglio.

3Materiali ceramici: utilizzati per la produzione di parti ceramiche resistenti all'usura e alle alte temperature.

4Dispositivi optoelettronici: eccellenti prestazioni in applicazioni optoelettroniche quali LED e laser.

5- materiali di gestione termica: utilizzati nei dissipatori di calore e nei materiali di interfaccia termica per migliorare le prestazioni di dissipazione del calore dei dispositivi elettronici.

Personalizzazione:

Il nostro substrato di semi di cristallo SiC è certificato RoHS. La quantità minima di ordine è di 10pc e il prezzo è per caso. I dettagli di imballaggio sono scatole di plastica personalizzate.Il tempo di consegna è entro 30 giorni e accettiamo termini di pagamento T / T. La nostra capacità di fornitura è di 1000pc/mese. La dimensione del substrato SiC è di 2/4/6/8 pollici. Il luogo di origine è la Cina.