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Substrato d'isolamento semi- del carburo di silicio, sic elevata purezza del wafer 4H
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Substrato d'isolamento semi- del carburo di silicio, sic elevata purezza del wafer 4H

Luogo di origine La Cina
Marca zmkj
Numero di modello 4inch--elevata purezza dei semi
Dettagli del prodotto
Materiale:
sic cristallo
industria:
wafer a semiconduttore
Applicazione:
semiconduttore, principale, dispositivo, elettronica di potenza, 5G
colore:
Bianco, blu, verde
Tipo:
4H, 6H, HA VERNICIATO, nessuna elevata purezza verniciata e
Evidenziare: 

sic wafer

,

sic substrato

Descrizione di prodotto

substrati d'isolamento di purezza 4inch di Substrateshigh del carburo di silicio di elevata purezza 4H sic, substrati per i substrati a semiconduttore 4inch sic, substrati per il semconductor, wafer del monocristallo sic, sic lingotti del carburo di silicio 4inch del carburo di silicio per la gemma

 

Applicazioni dei substrati e dei wafer sic di cristallo

I crytsals del carburo di silicio (sic) hanno proprietà fisiche ed elettroniche uniche. I dispositivi basati del carburo di silicio sono stati utilizzati per i applciations optoelettronici, ad alta temperatura, resistenti alle radiazioni a onde corte. Gli apparecchi elettronici ad alta potenza ed ad alta frequenza fatti con sic sono superiori al si ed ai dispositivi basati GaAs. Sotto sono alcune applicazioni popolari sic dei substrati.

 

Dispositivi ad alta temperatura

Poiché sic ha un'alta conducibilità termica, sic dissipa il calore più rapidamente di altri materiali a semiconduttore. Ciò permette sic ai dispositivi di essere azionata estremamente ai livelli di alto potere ed ancora dissipa un gran numero di calore in eccesso generato dai dispositivi.

 

Dispositivi di potere ad alta frequenza

ad elettronica basata a SIC di microonda è usata per le comunicazioni senza fili ed il radar.

 

Deposito del nitruro di III-V

Strati epitassiali di GaN, di AlxGa1-xN e di InyGa1-yN sic sul substrato o sul substrato dello zaffiro.

L'epitassia del nitruro di gallio sic sui modelli è usata per fabbricare i diodi luminescenti blu (LED blu) ed ed i rivelatori fotoelettrici UV ciechi quasi solari

 

Dispositivi optoelettronici

I dispositivi sic basati hanno disadattamento basso della grata con gli strati epitassiali del III-nitruro. Hanno alta conducibilità termica e possono essere usati per il monitoraggio dei processi di combustione e per tutte le specie di UV-rilevazione.

a dispositivi basati a SIC a semiconduttore possono funzionare nell'ambito degli ambienti molto ostili, quali temperatura elevata, alto potere e gli alti stati di radiazione.

 

Dispositivi di alto potere

Sic ha le seguenti proprietà:

Campo elettrico di ripartizione di Bandgap di ampia energia alto    

Alta conducibilità termica di velocità di deriva di saturazione alta

 

Sic è usato per la lavorazione dei dispositivi molto ad alta tensione ed ad alta potenza quali i diodi, i transitors di potere ed i dispositivi di a microonde di alto potere. Confrontato ai Si-dispositivi convenzionali, a dispositivi di potere basati a SIC hanno tensioni più veloci della velocità di commutazione più alte, le resistenze parassitarie più basse, più di piccola dimensione, richiesto più di meno di raffreddamento dovuto la capacità ad alta temperatura.

Sic ha più alta conducibilità termica che il GaAs o il si che significa che sic i dispositivi possono funzionare teoricamente alle più alte densità di potenza che il GaAs o il si. Il più alta conducibilità termica si è combinata con ampio bandgap e gli alti semiconduttori di elasticità del campo critico sic un vantaggio quando l'alto potere è una caratteristica desiderabile chiave del dispositivo.

 

Attualmente il carburo di silicio (sic) è ampiamente usato per alto potere MMIC

applicazioni. Sic inoltre è usato come substrato per la crescita epitassiale di GaN per ancora i dispositivi di più alto potere MMIC

 

 

2. dimensione dei substrati della norma

Specifiche a 4 pollici del substrato del carburo di silicio di elevata purezza 4H del diametro

PROPRIETÀ DEL SUBSTRATO

Grado di produzione

Grado di ricerca

Grado fittizio

Diametro

100,0 millimetro +0.0/-0.5millimetri

Orientamento di superficie

{0001} ±0.2°

Orientamento piano primario

<11->20> ̊ del ± 5,0

Orientamento piano secondario

90,0 ̊ CW dal ̊ primario del ± 5,0, silicio rivolto verso l'alto

Lunghezza piana primaria

32,5 millimetri ±2.0 millimetro

Lunghezza piana secondaria

18,0 millimetri ±2.0 millimetro

Bordo del wafer

Smusso

Densità di Micropipe

cm2 di ≤5 micropipes/

cm2del ≤10micropipes/

cm2 di ≤50 micropipes/

Aree di Polytype da luce ad alta intensità

Nessuno hanno permesso

areadel ≤10%

Resistività

≥1E5 Ω·cm

(area 75%) ≥1E5 Ω·cm

Spessore

350,0 μm del μm del ± 25,0 del μm o 500,0 del ± 25,0 del μm

TTV

10μm

μmdel 15

Arco (valore assoluto)

μmdel 25

μmdel 30

Filo di ordito

μmdel 45

Finitura superficia

Doppio polacco del lato, CMP del fronte di si (lucidatura chimica)

Rugosità di superficie

Fronte Ra≤0.5 nanometro di si del CMP

N/A

Crepe da luce ad alta intensità

Nessuno hanno permesso

Chip/rientranze del bordo da illuminazione diffusa

Nessuno hanno permesso

Qty.2<> una larghezza e una profondità di 1,0 millimetri

Qty.2<> una larghezza e una profondità di 1,0 millimetri

Area utilizzabile totale

≥90%

≥80%

N/A

Pacchetto: Imballato nell'ambiente della stanza pulita della classe A 100, in cassette di 25pcs

                   o singoli contenitori del wafer, nell'ambito di un'atmosfera dell'azoto.

 

il *The altre specifiche può essere personalizzato secondo i requisiti del cliente

 

3. Immagini

 

Substrato d'isolamento semi- del carburo di silicio, sic elevata purezza del wafer 4H 0

 

FAQ:

Q: Che cosa è il modo di trasporto e di costo?

A: (1) accettiamo DHL, Fedex, lo SME ecc.

(2) se avete vostro proprio conto preciso, è grande. Se non, potremmo aiutarvi a spedirli.

Il trasporto è conforme allo stabilimento reale.

Q: Come pagare?

A: 100%T/T, Paypal, pagamento sicuro e pagamento di assicurazione.

 

Q: Che cosa è il vostro MOQ?

A: (1) per l'inventario, il MOQ è 2pcs.

(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 25pcs su.

 

Imballaggio & consegna

 

Imballaggio cassetta del wafer del → dei prodotti singola o 25 contenitori di pc nella stanza di pulizia
Fodera antivibrazione del cuscino dell'imballaggio del della plastica interna della schiuma per il pacchetto
Il → esterno dell'imballaggio cinque strati ha ondulato il contenitore di carta di cartone o come richiesto
Spedizione dal → UPS, DHL, Fedex, TNT, SME, SF, ecc dell'aria
 

Contattici in qualunque momento

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Rm5-616, No.851, viale di Dianshanhu, area di Qingpu, città di Shanghai, CINA
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