Substrato d'isolamento semi- del carburo di silicio, sic elevata purezza del wafer 4H

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Applicazioni dei substrati e dei wafer sic di cristallo

I crytsals del carburo di silicio (sic) hanno proprietà fisiche ed elettroniche uniche. I dispositivi basati del carburo di silicio sono stati utilizzati per i applciations optoelettronici, ad alta temperatura, resistenti alle radiazioni a onde corte. Gli apparecchi elettronici ad alta potenza ed ad alta frequenza fatti con sic sono superiori al si ed ai dispositivi basati GaAs. Sotto sono alcune applicazioni popolari sic dei substrati.

Dispositivi ad alta temperatura

Poiché sic ha un'alta conducibilità termica, sic dissipa il calore più rapidamente di altri materiali a semiconduttore. Ciò permette sic ai dispositivi di essere azionata estremamente ai livelli di alto potere ed ancora dissipa un gran numero di calore in eccesso generato dai dispositivi.

Dispositivi di potere ad alta frequenza

ad elettronica basata a SIC di microonda è usata per le comunicazioni senza fili ed il radar.

Deposito del nitruro di III-V

Strati epitassiali di GaN, di AlxGa1-xN e di InyGa1-yN sic sul substrato o sul substrato dello zaffiro.

L'epitassia del nitruro di gallio sic sui modelli è usata per fabbricare i diodi luminescenti blu (LED blu) ed ed i rivelatori fotoelettrici UV ciechi quasi solari

Dispositivi optoelettronici

I dispositivi sic basati hanno disadattamento basso della grata con gli strati epitassiali del III-nitruro. Hanno alta conducibilità termica e possono essere usati per il monitoraggio dei processi di combustione e per tutte le specie di UV-rilevazione.

a dispositivi basati a SIC a semiconduttore possono funzionare nell'ambito degli ambienti molto ostili, quali temperatura elevata, alto potere e gli alti stati di radiazione.

Dispositivi di alto potere

Sic ha le seguenti proprietà:

Campo elettrico di ripartizione di Bandgap di ampia energia alto

Alta conducibilità termica di velocità di deriva di saturazione alta

Sic è usato per la lavorazione dei dispositivi molto ad alta tensione ed ad alta potenza quali i diodi, i transitors di potere ed i dispositivi di a microonde di alto potere. Confrontato ai Si-dispositivi convenzionali, a dispositivi di potere basati a SIC hanno tensioni più veloci della velocità di commutazione più alte, le resistenze parassitarie più basse, più di piccola dimensione, richiesto più di meno di raffreddamento dovuto la capacità ad alta temperatura.

Sic ha più alta conducibilità termica che il GaAs o il si che significa che sic i dispositivi possono funzionare teoricamente alle più alte densità di potenza che il GaAs o il si. Il più alta conducibilità termica si è combinata con ampio bandgap e gli alti semiconduttori di elasticità del campo critico sic un vantaggio quando l'alto potere è una caratteristica desiderabile chiave del dispositivo.

Attualmente il carburo di silicio (sic) è ampiamente usato per alto potere MMIC

applicazioni. Sic inoltre è usato come substrato per la crescita epitassiale di GaN per ancora i dispositivi di più alto potere MMIC

2. dimensione dei substrati della norma

3. Immagini