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Buon prezzo Wafer epitassiale SiC da 6 pollici, diametro 150mm, tipo 4H-N, tipo 4H-P, per comunicazioni 5G in linea
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4" 4H-Semi Alta Purezza SIC Wafer Prime Grade Semiconduttore EPI Substrati AR Occhiali di grado ottico

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Wafer epitaxiale SiC da 4H 6 pollici 100μm/200μm/300μm per dispositivo MOS ad ultra-alta tensione (UHV)

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Wafer epitassiale SiC ad altissima tensione da 6 pollici 100–500 µm per dispositivi MOSFET

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Carburo di silicio (SiC) in polvere ad alta purezza 99,9999% (6N) HPSI Tipo 100μm Dimensione delle particelle SIC Crescita cristallina

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‌6H-N Type SiC Wafer: 2-Inch Substrate, Thickness 350μm or 650μm‌

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comprare wafer 10 x 10 x 0.5mm del carburo di silicio di 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC fabbricazione online Video

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Sferette per cuscinetti in ceramica SiC Grado G5, elevata durezza

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2" 3" 4" 6" principali di 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic del substrato di silicio del carburo wafer sic

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Su misura GaN--GaN sic sul diametro 100mm di Sapphire Substrate Epitaxial Wafer 4inch del silicio

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