Dettagli:
Termini di pagamento e spedizione:
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Materiale: | Carburo di silicio | Dimensione: | 6 pollici |
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Dia: | 150 mm ± 0,22 mm | Resistenza: | ≥ 1 E8 ohm·cm |
Warp.: | ≤ 35 μm | Parametro: | Semi, P, N tipo |
TTV: | ≤5μm | Roverezza: | Ra≤0,2 nm |
Finitura superficiale: | di larghezza uguale o superiore a 50 mm | Applicazioni: | Elettronica di potenza, optoelettronica |
personalizzato: | APPROVAZIONE | ||
Evidenziare: | Substrato composito SiC mono-polonese,Substrato composito SiC di tipo P,Substrato composito SiC doppiamente lucidato |
Persona di contatto: Mr. Wang
Telefono: +8615801942596