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SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

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Wafer Sic in carburo di silicio

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Buon prezzo Piastra di supporto SiC resistente alle alte temperature/piastra di supporto per portatori di wafer In linea
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SiC Ingot 6 pollici Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot Ingot di alta durezza

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Sic Substrato di carburo di silicio tipo 6H-P sull'asse 0° Durezza di Mohs 9.2 per dispositivo laser

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12 pollici Sic Single Crystal Silicon Carbide Substrato Grande Dimensione Alta Purezza Diametro 300mm Grado del prodotto Per la comunicazione 5G

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wafer di GaN-SU-SIC EPI del wafer del nitruro di gallio di 4inch 6inch

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SiC semisolatore su Wafer composto Si 4H-SEMI substrato P tipo N tipo Spessore 500um

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2 / 4 / 6 sic di pollici di carburo di silicio 4H-P tipo off asse 2.0° verso la produzione di grado

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Sic wafer in carburo di silicio tipo 4H-P sull'asse 0°Utilizzato per la fabbricazione di dispositivi ad alta potenza

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Sic Wafer in carburo di silicio 5*5mm/10*10mm 4H-P Tipo di produzione per elettronica di potenza

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Sic Substrato di carburo di silicio 5.0*5.0mm Quadrato 6H-P Tipo Spessore 350μm Grado nullo Grado finto

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Sic Tray:Stabilità ad alta temperatura Conducenza termica uniforme Eccellente resistenza agli urti termici

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Wafer SIC in carburo di silicio 10*10 mm 6H-P Spessore 350μm Per dispositivi ad alta potenza

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Lenti ottiche Sic 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI forma e dimensione personalizzata 6SP Spessore 10.05

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