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2 / 4 / 6 sic di pollici di carburo di silicio 4H-P tipo off asse 2.0° verso la produzione di grado

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Sic wafer in carburo di silicio tipo 4H-P sull'asse 0°Utilizzato per la fabbricazione di dispositivi ad alta potenza

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Sic Wafer in carburo di silicio 55mm/1010mm 4H-P Tipo di produzione per elettronica di potenza

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Sic Substrato di carburo di silicio 5.0*5.0mm Quadrato 6H-P Tipo Spessore 350μm Grado nullo Grado finto

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Wafer SIC in carburo di silicio 10*10 mm 6H-P Spessore 350μm Per dispositivi ad alta potenza

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Lenti ottiche Sic 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI forma e dimensione personalizzata 6SP Spessore 10.05

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Wafer Epitassiale SiC da 8 pollici, diametro 200mm, spessore 500μm, tipo 4H-N

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2 pollici Sic Substrato di Carburo di Silicio Tipo 3C-N Diametro 50,8 mm Grado di Produzione Grado di Ricerca Grado Dummy Grade

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Wafer Epitassiali SiC 4H-N di grado di produzione da 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici

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Wafer epitassiale SiC da 6 pollici, diametro 150mm, tipo 4H-N, tipo 4H-P, per comunicazioni 5G

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Substrato di carburo di silicio 4'' Sic 3C-N Diametro 100 mm Conduttore tipo zero MPD Grado di produzione

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Wafer Epitassiale SiC di Tipo 4H-N da 2 pollici (50,8 mm) di diametro per sensori ad alta temperatura

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