Descrizione del prodotto:
Sic Substrato di carburo di silicio 5.0*5.0mm Quadrato 6H-P Tipo Spessore 350μm Grado nullo Grado finto
6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) è un materiale semiconduttore a banda larga con buona conduttività termica e resistenza alle alte temperature,che è ampiamente utilizzato in dispositivi elettronici ad alta potenza e ad alta frequenzaIl doping di tipo P è ottenuto introducendo elementi quali l'alluminio (Al), che rende il materiale elettropositivo e adatto a progetti specifici di dispositivi elettronici.con una tensione di 20 V o più ma non superiore a 50 V,. La conduttività termica è superiore a molti materiali semiconduttori tradizionali e aiuta a migliorare l'efficienza del dispositivo..
Nel campo dell'elettronica di potenza, può essere utilizzato per la produzione di dispositivi di potenza ad alta efficienza, come MOSFET e IGBT.ha prestazioni eccellenti in applicazioni ad alta frequenza ed è ampiamente utilizzato nelle apparecchiature di comunicazioneNel campo della tecnologia LED, può essere utilizzato come materiale di base per dispositivi a LED blu e ultravioletti.
Caratteristiche:
·Gap di banda larga: il gap di banda è di circa 3,0 eV, il che lo rende adatto per applicazioni ad alta temperatura, alta tensione e alta frequenza.
·Eccellente conduttività termica: con una buona conduttività termica, aiuta la dissipazione del calore, migliora le prestazioni e l'affidabilità del dispositivo.
·Alta resistenza e durezza: elevata resistenza meccanica, anti-frammentazione e anti-usura, adatta per l'uso in ambienti difficili.
·Mobilità elettronica: il doping di tipo P mantiene ancora una mobilità dei vettori relativamente elevata, supportando dispositivi elettronici efficienti.
·Proprietà ottiche: con proprietà ottiche uniche, adatte per il campo dell'optoelettronica, come LED e laser.
·Stabilità chimica: buona resistenza alla corrosione chimica, adatta a ambienti di lavoro difficili.
·Forte adattabilità: può essere combinato con una varietà di materiali di substrato, adatti a una varietà di scenari di applicazione.
Parametri tecnici:
Applicazioni:
·Elettronica di potenza: utilizzata per la produzione di dispositivi di potenza ad alta efficienza, come MOSFET e IGBT, ampiamente utilizzati nei convertitori di frequenza, nella gestione dell'energia e nei veicoli elettrici.
·Equipaggiamento RF e microonde: utilizzato in amplificatori ad alta frequenza, amplificatori di potenza RF, adatti a sistemi di comunicazione e radar.
·Optoelettronica: utilizzato come substrato nei LED e nei laser, in particolare nelle applicazioni blu e ultraviolette.
·Sensori ad alta temperatura: grazie alla loro buona stabilità termica, sono adatti per sensori ad alta temperatura e apparecchiature di monitoraggio.
·Energia solare e sistemi energetici: utilizzati negli inverter solari e in altre applicazioni di energia rinnovabile per migliorare l'efficienza della conversione dell'energia.
·Elettronica automobilistica: ottimizzazione delle prestazioni e risparmio energetico nel sistema di alimentazione dei veicoli elettrici e ibridi.
·Apparecchiature elettriche industriali: moduli di alimentazione per una vasta gamma di apparecchiature e macchine di automazione industriale per migliorare l'efficienza energetica e l'affidabilità.
Personalizzazione:
Il nostro substrato SiC è disponibile nel tipo 6H-P ed è certificato RoHS. La quantità minima di ordine è di 10pc e il prezzo è per caso.Il tempo di consegna è entro 30 giorni e accettiamo termini di pagamento T / TLa nostra capacità di fornitura è di 1000 pcs/mese.5.0*5,0 mmIl luogo di origine è la Cina.
I nostri servizi:
1Fabbricazione diretta e vendita.
2Citazioni veloci e precise.
3Risponderemo entro 24 ore lavorative.
4. ODM: Disegno personalizzato è disponibile.
5Velocità e preziosa consegna.
D. La sua azienda è una fabbrica o una società commerciale?
Siamo la fabbrica e possiamo anche esportare da soli.
Q3. Quanto tempo ci vorrà per ottenere i prodotti.
Generalmente ci vorranno 3~4 settimane per elaborare. Dipende dalla dimensione dei prodotti.
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