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Wafer SIC in carburo di silicio 10*10 mm 6H-P Spessore 350μm Per dispositivi ad alta potenza

Name: Wafer SIC in carburo di silicio 10*10 mm 6H-P Spessore 350μm Per dispositivi ad alta potenza
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 6H-P SiC
Price: Negoziabile USD
Availability: InStock

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: Cina

Marca: ZMSH

Certificazione: rohs

Numero di modello: 6H-P SiC

Termini di pagamento e spedizione

Quantità di ordine minimo: 10 per cento

Prezzo: by case

Imballaggi particolari: scatola di plastica personalizzata

Tempi di consegna: in 30days

Termini di pagamento: T/T

Capacità di alimentazione: 1000pc/month

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto

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                                                                                                                                                                                                                                                                                                                Dispositivi ad alta potenza SIC Wafer, Wafer SIC da 350 μm, Wafer SIC da 10*10 mm
                              

Durezza superficiale:	HV0.3>2500	Densità:	3.21 G/cm3
Coefficiente di espansione termica:	4,5 X 10-6/K	Costante dielettrica:	9,7
Resistenza alla trazione:	>400MPa	Materiale:	Monocristallo SiC
Dimensione:	10*10 mm	Tensione di rottura:	5,5 MV/cm

Durezza superficiale:	HV0.3>2500
Densità:	3.21 G/cm3
Coefficiente di espansione termica:	4,5 X 10-6/K
Costante dielettrica:	9,7
Resistenza alla trazione:	>400MPa
Materiale:	Monocristallo SiC
Dimensione:	10*10 mm
Tensione di rottura:	5,5 MV/cm

Wafer SIC in carburo di silicio 10*10 mm 6H-P Spessore 350μm Per dispositivi ad alta potenza

Descrizione del prodotto:

Wafer SIC in carburo di silicio 10*10 mm 6H-P Spessore 350μm Per dispositivi ad alta potenza

6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) è un materiale semiconduttore a banda larga con buona conduttività termica e resistenza alle alte temperature,che è ampiamente utilizzato in dispositivi elettronici ad alta potenza e ad alta frequenzaIl doping di tipo P è ottenuto introducendo elementi quali l'alluminio (Al), che rende il materiale elettropositivo e adatto a progetti specifici di dispositivi elettronici.con una tensione di 20 V o più ma non superiore a 50 V,. La conduttività termica è superiore a molti materiali semiconduttori tradizionali e aiuta a migliorare l'efficienza del dispositivo..

Nel campo dell'elettronica di potenza, può essere utilizzato per la produzione di dispositivi di potenza ad alta efficienza, come MOSFET e IGBT.ha prestazioni eccellenti in applicazioni ad alta frequenza ed è ampiamente utilizzato nelle apparecchiature di comunicazioneNel campo della tecnologia LED, può essere utilizzato come materiale di base per dispositivi a LED blu e ultravioletti.

Caratteristiche:

·Gap di banda larga: il gap di banda è di circa 3,0 eV, il che lo rende adatto per applicazioni ad alta temperatura, alta tensione e alta frequenza.

·Eccellente conduttività termica: con una buona conduttività termica, aiuta la dissipazione del calore, migliora le prestazioni e l'affidabilità del dispositivo.

·Alta resistenza e durezza: elevata resistenza meccanica, anti-frammentazione e anti-usura, adatta per l'uso in ambienti difficili.

·Mobilità elettronica: il doping di tipo P mantiene ancora una mobilità dei vettori relativamente elevata, supportando dispositivi elettronici efficienti.

·Proprietà ottiche: con proprietà ottiche uniche, adatte per il campo dell'optoelettronica, come LED e laser.

·Stabilità chimica: buona resistenza alla corrosione chimica, adatta a ambienti di lavoro difficili.

·Forte adattabilità: può essere combinato con una varietà di materiali di substrato, adatti a una varietà di scenari di applicazione.

Parametri tecnici:

Applicazioni:

·Elettronica di potenza: utilizzata per la produzione di dispositivi di potenza ad alta efficienza, come MOSFET e IGBT, ampiamente utilizzati nei convertitori di frequenza, nella gestione dell'energia e nei veicoli elettrici.
·Equipaggiamento RF e microonde: utilizzato in amplificatori ad alta frequenza, amplificatori di potenza RF, adatti a sistemi di comunicazione e radar.

·Optoelettronica: utilizzato come substrato nei LED e nei laser, in particolare nelle applicazioni blu e ultraviolette.

·Sensori ad alta temperatura: grazie alla loro buona stabilità termica, sono adatti per sensori ad alta temperatura e apparecchiature di monitoraggio.

·Energia solare e sistemi energetici: utilizzati negli inverter solari e in altre applicazioni di energia rinnovabile per migliorare l'efficienza della conversione dell'energia.

·Elettronica automobilistica: ottimizzazione delle prestazioni e risparmio energetico nel sistema di alimentazione dei veicoli elettrici e ibridi.

·Apparecchiature elettriche industriali: moduli di alimentazione per una vasta gamma di apparecchiature e macchine di automazione industriale per migliorare l'efficienza energetica e l'affidabilità.

Personalizzazione:

Il nostro substrato SiC è disponibile nel tipo 6H-P ed è certificato RoHS. La quantità minima di ordine è di 10pc e il prezzo è per caso.Il tempo di consegna è entro 30 giorni e accettiamo termini di pagamento T / T. La nostra capacità di fornitura è di 1000pc/mese. La dimensione del substrato SiC è di 10*10 mm. Il luogo di origine è la Cina.

I nostri servizi:

1Fabbricazione diretta e vendita.

2Citazioni veloci e precise.

3Risponderemo entro 24 ore lavorative.

4. ODM: Disegno personalizzato è disponibile.

5Velocità e preziosa consegna.

Domande frequenti

1D: Rispetto alla N-Type, che ne dici della P-Type?
R: I substrati P-Type 4H-SiC, dopati con elementi trivalenti come l'alluminio, hanno buchi come vettori principali, fornendo una buona conducibilità e stabilità ad alte temperature.Substrati di tipo N, dopati con elementi pentavalenti come il fosforo, hanno elettroni come portatori di maggioranza, il che di solito si traduce in una maggiore mobilità elettronica e una minore resistività.

2. D: Quali sono le prospettive di mercato per il P-Type SiC?
R: Le prospettive di mercato per il SiC di tipo P sono molto positive, trainate dalla crescente domanda di elettronica di potenza ad alte prestazioni per veicoli elettrici, sistemi di energia rinnovabile,e applicazioni industriali avanzate.

Tags:

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