Dettagli dei prodotti

Casa PRODOTTI

Wafer SIC in carburo di silicio 10*10 mm 6H-P Spessore 350μm Per dispositivi ad alta potenza

Marchio:	ZMSH
Numero di modello:	6H-P SiC
MOQ:	10 per cento
prezzo:	by case
Tempo di consegna:	in 30days
Condizioni di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione di prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Cina

Certificazione:

rohs

Durezza superficiale:

HV0.3>2500

Densità:

3.21 G/cm3

Coefficiente di espansione termica:

4,5 X 10-6/K

Costante dielettrica:

9,7

Resistenza alla trazione:

>400MPa

Materiale:

Monocristallo SiC

Dimensione:

10*10 mm

Tensione di rottura:

5,5 MV/cm

Imballaggi particolari:

scatola di plastica personalizzata

Capacità di alimentazione:

1000pc/month

Evidenziare:

Dispositivi ad alta potenza SIC Wafer

Wafer SIC da 350 μm

Wafer SIC da 10*10 mm

Descrizione di prodotto

Descrizione del prodotto:

Wafer SIC in carburo di silicio 10*10 mm 6H-P Spessore 350μm Per dispositivi ad alta potenza

6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) è un materiale semiconduttore a banda larga con buona conduttività termica e resistenza alle alte temperature,che è ampiamente utilizzato in dispositivi elettronici ad alta potenza e ad alta frequenzaIl doping di tipo P è ottenuto introducendo elementi quali l'alluminio (Al), che rende il materiale elettropositivo e adatto a progetti specifici di dispositivi elettronici.con una tensione di 20 V o più ma non superiore a 50 V,. La conduttività termica è superiore a molti materiali semiconduttori tradizionali e aiuta a migliorare l'efficienza del dispositivo..

Nel campo dell'elettronica di potenza, può essere utilizzato per la produzione di dispositivi di potenza ad alta efficienza, come MOSFET e IGBT.ha prestazioni eccellenti in applicazioni ad alta frequenza ed è ampiamente utilizzato nelle apparecchiature di comunicazioneNel campo della tecnologia LED, può essere utilizzato come materiale di base per dispositivi a LED blu e ultravioletti.

Caratteristiche:

·Gap di banda larga: il gap di banda è di circa 3,0 eV, il che lo rende adatto per applicazioni ad alta temperatura, alta tensione e alta frequenza.

·Eccellente conduttività termica: con una buona conduttività termica, aiuta la dissipazione del calore, migliora le prestazioni e l'affidabilità del dispositivo.

·Alta resistenza e durezza: elevata resistenza meccanica, anti-frammentazione e anti-usura, adatta per l'uso in ambienti difficili.

·Mobilità elettronica: il doping di tipo P mantiene ancora una mobilità dei vettori relativamente elevata, supportando dispositivi elettronici efficienti.

·Proprietà ottiche: con proprietà ottiche uniche, adatte per il campo dell'optoelettronica, come LED e laser.

·Stabilità chimica: buona resistenza alla corrosione chimica, adatta a ambienti di lavoro difficili.

·Forte adattabilità: può essere combinato con una varietà di materiali di substrato, adatti a una varietà di scenari di applicazione.

Parametri tecnici:

Applicazioni:

·Elettronica di potenza: utilizzata per la produzione di dispositivi di potenza ad alta efficienza, come MOSFET e IGBT, ampiamente utilizzati nei convertitori di frequenza, nella gestione dell'energia e nei veicoli elettrici.
·Equipaggiamento RF e microonde: utilizzato in amplificatori ad alta frequenza, amplificatori di potenza RF, adatti a sistemi di comunicazione e radar.

·Optoelettronica: utilizzato come substrato nei LED e nei laser, in particolare nelle applicazioni blu e ultraviolette.

·Sensori ad alta temperatura: grazie alla loro buona stabilità termica, sono adatti per sensori ad alta temperatura e apparecchiature di monitoraggio.

·Energia solare e sistemi energetici: utilizzati negli inverter solari e in altre applicazioni di energia rinnovabile per migliorare l'efficienza della conversione dell'energia.

·Elettronica automobilistica: ottimizzazione delle prestazioni e risparmio energetico nel sistema di alimentazione dei veicoli elettrici e ibridi.

·Apparecchiature elettriche industriali: moduli di alimentazione per una vasta gamma di apparecchiature e macchine di automazione industriale per migliorare l'efficienza energetica e l'affidabilità.

Personalizzazione:

Il nostro substrato SiC è disponibile nel tipo 6H-P ed è certificato RoHS. La quantità minima di ordine è di 10pc e il prezzo è per caso.Il tempo di consegna è entro 30 giorni e accettiamo termini di pagamento T / T. La nostra capacità di fornitura è di 1000pc/mese. La dimensione del substrato SiC è di 10*10 mm. Il luogo di origine è la Cina.

I nostri servizi:

1Fabbricazione diretta e vendita.

2Citazioni veloci e precise.

3Risponderemo entro 24 ore lavorative.

4. ODM: Disegno personalizzato è disponibile.

5Velocità e preziosa consegna.

Domande frequenti

1D: Rispetto alla N-Type, che ne dici della P-Type?
R: I substrati P-Type 4H-SiC, dopati con elementi trivalenti come l'alluminio, hanno buchi come vettori principali, fornendo una buona conducibilità e stabilità ad alte temperature.Substrati di tipo N, dopati con elementi pentavalenti come il fosforo, hanno elettroni come portatori di maggioranza, il che di solito si traduce in una maggiore mobilità elettronica e una minore resistività.

2. D: Quali sono le prospettive di mercato per il P-Type SiC?
R: Le prospettive di mercato per il SiC di tipo P sono molto positive, trainate dalla crescente domanda di elettronica di potenza ad alte prestazioni per veicoli elettrici, sistemi di energia rinnovabile,e applicazioni industriali avanzate.

Etichette:

Wafer del nitruro di gallio

Wafer dello zaffiro

Sic substrato

Zaffiro Windows ottico

Lastra di silicio di IC

Zaffiro sintetico Rod

Piatto del quarzo fuso

Parti dello zaffiro

Pietra preziosa sintetica

Attrezzatura a semiconduttore

Wafer LiNbO3

Wafer di GaAs

Wafer del fosfuro di indio

substrato ceramico

Involucro del laboratorio

Wafer del nitruro di gallio

Wafer dello zaffiro

Sic substrato

Zaffiro Windows ottico

Lastra di silicio di IC

Zaffiro sintetico Rod

Piatto del quarzo fuso

Parti dello zaffiro

Pietra preziosa sintetica

Attrezzatura a semiconduttore

Wafer LiNbO3

Wafer di GaAs

Wafer del fosfuro di indio

substrato ceramico

Involucro del laboratorio

Dettagli dei prodotti

Wafer SIC in carburo di silicio 10*10 mm 6H-P Spessore 350μm Per dispositivi ad alta potenza

Dispositivi ad alta potenza SIC Wafer

Wafer SIC da 350 μm

Wafer SIC da 10*10 mm

Descrizione del prodotto:

Caratteristiche:

Parametri tecnici:

Applicazioni:

Personalizzazione:

I nostri servizi:

Domande frequenti

sic wafer

sic substrato

substrato del carburo di silicio

6" di silicio di alta purezza 4H-Semi SIC Wafer a semiconduttore di qualità dummy LED 5G D

Il carburo di silicio trasparente incolore sic ha lucidato la lente del wafer