Piastra di supporto SiC resistente alle alte temperature/piastra di supporto per portatori di wafer

Piastra di supporto SiC resistente alle alte temperature/piastra di supporto per portatori di wafer

Le piastre di supporto a carburo di silicio (SiC) sono componenti ceramici ad alte prestazioni ampiamente utilizzati in settori produttivi avanzati come semiconduttori, LED e fotovoltaici.Rinomati per la loro eccezionale resistenza termicaLa ZMSH fornisce soluzioni personalizzate di piastre di supporto SiC, tra cui progettazione, produzione, collaudo e test.,e assistenza post-vendita, garantendo una maggiore stabilità dei processi e un'efficienza della produzione.

Specifica tecnica:

Piastra di sostegno / piastra di supporto SiC

- Sì.

1.Resistenza alle alte temperature- funzionamento stabile al di sopra di 1600°C, adatto a condizioni di processo estreme.

2.Conduttività termica superiore¢ supera i materiali tradizionali (es. grafite, allumina) per una rapida dissipazione del calore e una riduzione dello stress termico.

3.Bassa espansione termica• Ottima stabilità dimensionale ad alte temperature, riducendo al minimo la deformazione.

4.Alta durezza e resistenza all'usuraDurezza di Mohs 9.2, garantendo una durabilità a lungo termine.

5.Inerzia chimica️ Resistente agli acidi, alle alcaline e agli ambienti corrosivi (ad esempio, incisione, CVD/PVD).

6.Purezza elevataLa composizione è priva di metalli e soddisfa i rigorosi standard dell'industria dei semiconduttori.

Applicazioni primarie diPiastra di supporto / piastra di supporto SiC

- Sì.1. Compatibilità dei processi

· Produzione di semiconduttoriCompatibile con la CVD, la MOCVD e la crescita epitaxiale, garantendo un riscaldamento uniforme del wafer.

· Produzione di LEDSupporta i substrati di zaffiro per una crescita consistente dello strato epitaxiale.

· fotovoltaicaUtilizzato nella sinterizzazione ad alta temperatura e nella deposizione a film sottile.

· Lavorazione di precisione• Adatto per il taglio laser, l'incisione al plasma e altri processi ad alta precisione.

2. Tipi di materiale

· SiC legato a reazione (RBSiC)¢ Redditizio, ideale per l'uso generale ad alta temperatura.

· Deposito chimico di vapore SiC (CVD-SiC)Purezza ultra elevata per processi avanzati di semiconduttori.

· SiC pressato a caldo (HPSiC)Densità e resistenza elevate per applicazioni a carico pesante.

3Applicazioni principali

· Supporto da wafer/sottostrato- Garantisce una distribuzione termica uniforme durante la lavorazione.

· Sostituzione del grafiteEliminano i rischi di ossidazione e di contaminazione da particelle.

· Attrezzature per l'incisioneFornisce un supporto stabile all' ambiente plasmatico.

Servizi di ZMSH

1. Disegno personalizzato Optimizate dimensioni, geometria e trattamenti superficiali (ad esempio lucidatura, rivestimenti).

2. Fabbricazione di precisione ¢ Tecnologie avanzate di sinterizzazione/CVD per una elevata consistenza e affidabilità.

3- Test rigorosi - Ispezione ad ultrasuoni, ciclo termico e protocolli di garanzia della qualità.

4- Risposta rapida: consulenza tecnica, prototipazione e supporto alla produzione di lotti.

5. Supporto globale ️ Copertura mondiale (Asia-Pacifico, Europa, Americhe) con servizio post-vendita 24 ore su 24, 7 giorni su 7.