Piastra di supporto SiC resistente alle alte temperature/piastra di supporto per portatori di wafer
Le piastre di supporto a carburo di silicio (SiC) sono componenti ceramici ad alte prestazioni ampiamente utilizzati in settori produttivi avanzati come semiconduttori, LED e fotovoltaici.Rinomati per la loro eccezionale resistenza termicaLa ZMSH fornisce soluzioni personalizzate di piastre di supporto SiC, tra cui progettazione, produzione, collaudo e test.,e assistenza post-vendita, garantendo una maggiore stabilità dei processi e un'efficienza della produzione.
Specifica tecnica:
| Parametro |
Specificità |
Unità |
Altre note |
| Tipo di materiale |
CVD-SiC / RBSiC / HPSiC |
- |
Opzionale |
| Diametro |
100-500 (personalizzabile) |
mm |
Costumi |
| Spessore |
10 a 50 |
mm |
Regolabile |
| Temperatura massima di funzionamento |
1650 |
°C |
A lungo termine |
| Conduttività termica |
120-200 |
W/m·K |
A 25°C |
| Coefficiente di espansione termica |
4.0×10−6 |
/°C |
NT1centigradi |
| Densità |
3.10-3.21 |
g/cm3 |
Teorico |
| Porosità |
< 0,5% |
- |
Densità |
| Roverezza superficiale (Ra) |
< 0,2 (polito) |
μm |
Rifinitura a specchio |
| Piatto |
≤ 0.05 |
mm/100 mm |
Grado di precisione |
| Durezza (Mohs) |
9.2 |
- |
Secondo solo al diamante |
| Resistenza alla piegatura |
350-450 |
MPa |
3 punti |
| Purezza |
> 99,9995% |
- |
Classificazione dei semiconduttori |
Piastra di sostegno / piastra di supporto SiC
- Sì.
1.Resistenza alle alte temperature- funzionamento stabile al di sopra di 1600°C, adatto a condizioni di processo estreme.
2.Conduttività termica superiore¢ supera i materiali tradizionali (es. grafite, allumina) per una rapida dissipazione del calore e una riduzione dello stress termico.
3.Bassa espansione termica• Ottima stabilità dimensionale ad alte temperature, riducendo al minimo la deformazione.
4.Alta durezza e resistenza all'usuraDurezza di Mohs 9.2, garantendo una durabilità a lungo termine.
5.Inerzia chimica️ Resistente agli acidi, alle alcaline e agli ambienti corrosivi (ad esempio, incisione, CVD/PVD).
6.Purezza elevataLa composizione è priva di metalli e soddisfa i rigorosi standard dell'industria dei semiconduttori.
Applicazioni primarie diPiastra di supporto / piastra di supporto SiC
- Sì.1. Compatibilità dei processi
· Produzione di semiconduttoriCompatibile con la CVD, la MOCVD e la crescita epitaxiale, garantendo un riscaldamento uniforme del wafer.
· Produzione di LEDSupporta i substrati di zaffiro per una crescita consistente dello strato epitaxiale.
· fotovoltaicaUtilizzato nella sinterizzazione ad alta temperatura e nella deposizione a film sottile.
· Lavorazione di precisione• Adatto per il taglio laser, l'incisione al plasma e altri processi ad alta precisione.
2. Tipi di materiale
· SiC legato a reazione (RBSiC)¢ Redditizio, ideale per l'uso generale ad alta temperatura.
· Deposito chimico di vapore SiC (CVD-SiC)Purezza ultra elevata per processi avanzati di semiconduttori.
· SiC pressato a caldo (HPSiC)Densità e resistenza elevate per applicazioni a carico pesante.
3Applicazioni principali
· Supporto da wafer/sottostrato- Garantisce una distribuzione termica uniforme durante la lavorazione.
· Sostituzione del grafiteEliminano i rischi di ossidazione e di contaminazione da particelle.
· Attrezzature per l'incisioneFornisce un supporto stabile all' ambiente plasmatico.
Servizi di ZMSH
1. Disegno personalizzato Optimizate dimensioni, geometria e trattamenti superficiali (ad esempio lucidatura, rivestimenti).
2. Fabbricazione di precisione ¢ Tecnologie avanzate di sinterizzazione/CVD per una elevata consistenza e affidabilità.
3- Test rigorosi - Ispezione ad ultrasuoni, ciclo termico e protocolli di garanzia della qualità.
4- Risposta rapida: consulenza tecnica, prototipazione e supporto alla produzione di lotti.
5. Supporto globale ️ Copertura mondiale (Asia-Pacifico, Europa, Americhe) con servizio post-vendita 24 ore su 24, 7 giorni su 7.
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