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Created with Pixso. HPSI Wafer SiC semi-isolatrici ad alta purezza da 2" 3" " 6 " 8" Prime/Dummy/Research Grade

HPSI Wafer SiC semi-isolatrici ad alta purezza da 2" 3" " 6 " 8" Prime/Dummy/Research Grade

Marchio: zmsh
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Cina
Certificazione:
rohs
Materiale:
HPSI SiC
Grado:
Prime/Dummy/Ricerca
Tipo:
4H-Semi
Misurare:
2"/3"/4"/6"/8"
Spessore:
500 ± 25 μm
TTV:
≤ 5 μm/≤ 10 μm/≤ 15 μm
Arco:
-25μm~25μm/ -35μm~35μm/ -45μm~45μm
involucro:
≤ 35 μm ≤ 45 μm ≤ 55 μm
Descrizione di prodotto
Descrizione del prodotto
Visualizzazione dei wafer HPSI SiC
Wafer HPSI SiC: 2 - 12 pollici di grado ottico per occhiali AI/AR

I wafer SiC di tipo HPSI (High-Purity Semi-Isolating Silicon Carbide) sono materiali ottici fondamentali nei vetri AI e AR. Con un elevato indice di rifrazione (2.6 - 2.2).7 @ 400 - 800 nm) e caratteristiche di basso assorbimento ottico, affrontano efficacemente problemi quali gli "effetti arcobaleno" e la trasmissione insufficiente della luce che sono comuni nei materiali tradizionali in vetro o resina utilizzati per le guide d'onda AR.Gli occhiali AR Orion di Meta utilizzano lenti a guida d'onda HPSI SiC, con un campo visivo ultra-ampio (FOV) di 70° - 80° con uno spessore di lente monolivello di soli 0,55 mm e un peso di 2,7 g, migliorando significativamente il comfort e l'immersione.

HPSI Wafer SiC semi-isolatrici ad alta purezza da 2" 3" " 6 " 8" Prime/Dummy/Research Grade 0HPSI Wafer SiC semi-isolatrici ad alta purezza da 2" 3" " 6 " 8" Prime/Dummy/Research Grade 1

Caratteristiche e vantaggi del wafer HPSI SiC
Proprietà del materiale, prestazioni ottiche e valore applicativo
  1. Indice di rifrazione: 2,6 - 2.7
    Questo elevato indice di rifrazione consente di sostituire le strutture ottiche a più strati con una lente a uno strato, riducendo la perdita di luce e migliorando la luminosità e la precisione del colore.consente visualizzazioni più pure, elimina gli effetti arcobaleno e supporta l'integrazione senza soluzione di continuità con i Micro LED ad alta risoluzione.
  2. Conduttività termica: 490 W/m·K
    Il materiale dissipa rapidamente il calore generato dai Micro LED ad alta potenza, prevenendo la deformazione della lente e prolungando la durata del dispositivo.Questo garantisce prestazioni stabili anche in ambienti ad alta temperatura, come l'uso all'aperto.
  3. Durezza di Mohs: 9.5
    Con un'eccezionale resistenza agli graffi, il materiale può resistere all'usura quotidiana, riducendo le esigenze di manutenzione e prolungando la durata di vita dell'obiettivo, migliorando l'usabilità a lungo termine.
  4. Semiconduttore a banda larga
    La sua compatibilità con i processi CMOS consente la litografia e l'incisione su scala nanometrica per una precisa fabbricazione di griglie ottiche.Ciò facilita la produzione su scala wafer di componenti ottici avanzati come guide d'onda diffrattive e micro-resonatori.
Applicazioni chiave per i Wafer HPSI SiC
1. Sistemi ottici AI/AR
  • Lenti a guida d'onda: La griglia triangolare a sezione trasversale consente la visualizzazione a colori a uno strato, risolvendo la dispersione cromatica nelle tradizionali guide d'onda diffrattive (ad esempio, soluzione Meta Orion).
  • Accoppiatori per micro display: raggiunge un'efficienza di trasmissione della luce superiore all'80% tra Micro LED e guide d'onda.
  • Substrati di rivestimento antiriflesso: Minimizza i riflessi della luce ambientale, migliorando i rapporti di contrasto AR.
2. Applicazioni estese
  • Dispositivi di comunicazione quantistica: Sfrutta le proprietà del centro del colore per l'integrazione della sorgente luminosa quantistica.
  • Componenti laser ad alta potenza: serve come substrato per i diodi laser nei sistemi di taglio industriale e medici.
Parametro chiave della wafer HPSI SiC
Confronto delle specifiche del substrato SiC semisolatore da 4 e 6 pollici
Parametro Grado Substrato da 4 pollici Substrato da 6 pollici
Diametro Grado Z / Grado D 99.5 mm - 100.0 mm 149.5 mm - 150,0 mm
di polietilene Grado Z / Grado D 4H 4H
Spessore Grado Z 500 μm ± 15 μm 500 μm ± 15 μm

Grado D 500 μm ± 25 μm 500 μm ± 25 μm
Orientazione dei wafer Grado Z / Grado D Su asse: <0001> ± 0,5° Su asse: <0001> ± 0,5°
Densità di micropipe Grado Z ≤ 1 cm2 ≤ 1 cm2

Grado D ≤ 15 cm2 ≤ 15 cm2
Resistenza Grado Z ≥ 1E10 Ω·cm ≥ 1E10 Ω·cm

Grado D ≥ 1E5 Ω·cm ≥ 1E5 Ω·cm
Orientazione primaria piatta Grado Z / Grado D (10-10) ± 5,0° (10-10) ± 5,0°
Lunghezza piatta primaria Grado Z / Grado D 32.5 mm ± 2,0 mm Intaglio
Lunghezza piatta secondaria Grado Z / Grado D 18.0 mm ± 2,0 mm -
Esclusione di bordo Grado Z / Grado D 3 mm 3 mm
LTV / TTV / Bow / Warp Grado Z ≤ 2,5 μm / ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 30 μm ≤ 2,5 μm / ≤ 6 μm / ≤ 25 μm / ≤ 35 μm

Grado D ≤ 10 μm / ≤ 15 μm / ≤ 25 μm / ≤ 40 μm ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 40 μm / ≤ 80 μm
Roverezza Grado Z Polish Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm Polish Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm

Grado D Polish Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm Polish Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,5 nm
Fessure di bordo Grado D Superficie cumulata ≤ 0,1% Lunghezza cumulativa ≤ 20 mm, singola ≤ 2 mm
Aree politipiche Grado D Superficie cumulata ≤ 0,3% Superficie cumulata ≤ 3%
Inclusioni di carbonio visivo Grado Z Superficie cumulata ≤ 0,05% Superficie cumulata ≤ 0,05%

Grado D Superficie cumulata ≤ 0,3% Superficie cumulata ≤ 3%
Graffi sulla superficie del silicio Grado D 5 consentiti, ciascuno ≤1 mm Lunghezza cumulativa ≤ 1 x diametro
Chips di bordo Grado Z Nessuna autorizzata (larghezza e profondità ≥ 0,2 mm) Nessuna autorizzata (larghezza e profondità ≥ 0,2 mm)

Grado D 7 consentiti, ciascuno ≤ 1 mm 7 consentiti, ciascuno ≤ 1 mm
Dislocazione della vite di filettatura Grado Z - ≤ 500 cm2
Imballaggio Grado Z / Grado D Cassetta a più wafer o contenitore a wafer singolo Cassetta a più wafer o contenitore a wafer singolo
Servizi ZMSH

In qualità di entità di produzione e commercio integrata, ZMSH fornisce soluzioni end-to-end per i prodotti in SiC:

Integrazione verticale

I forni di crescita dei cristalli interni producono wafer di tipo 4H-N, 4H-HPSI, 6H-P e 3C-N (2-12 pollici), con parametri personalizzabili (ad esempio, concentrazione di doping, resistenza alla piegatura).

Trattamento di precisione
  • Taglio a livello di wafer: con il taglio laser e la lucidatura meccanica chimica (CMP) si ottiene una rugosità superficiale < 0,3 nm.
  • Forme personalizzate: Produce prismi, wafer quadrati e matrici a guida d'onda per l'integrazione di moduli ottici AR.
  • Contattaci: Disponibilità di campioni e consulenza tecnica.
Prodotti SiC della ZMSH
Wafer SiC 4H-Semi
  1. 4" 4H-Semi alta purezza Wafer SiC di primo grado Semiconduttore EPI Substrati AR Occhiali di grado ottico
Wafer SiC 4H-N
  1. 4 pollici di carburo di silicio 4H-N Sottostrato SiC Dia 100 mm N tipo Prime Grade Dummy Grade Spessore 350um Personalizzato
Altri tipi di campioni di SiC
HPSI SiC Wafer FAQ

D1: Perché la HPSI SiC Wafer è fondamentale per gli occhiali AR?
A1: L'elevato indice di rifrazione di HPSI SiC Wafer (2.6 - 2.7) e il basso assorbimento ottico eliminano gli effetti arcobaleno nei display AR, consentendo al contempo guide d'onda ultra-sottili (ad esempio, le lenti da 0,55 mm di Meta Orion).

D2: In che modo HPSI SiC differisce dal vetro tradizionale nell'ottica AR?
A2: L'HPSI SiC offre il doppio dell'indice di rifrazione del vetro (~ 2,0), consentendo una FOV più ampia e guide d'onda a strato singolo, più una conducibilità termica di 490 W/m·K per gestire il calore dei Micro LED.

D3: L'HPSI SiC è compatibile con altri materiali semiconduttori?
R3: Sì, si integra con GaN e silicio in sistemi ibridi, ma la sua stabilità termica e proprietà dielettriche lo rendono superiore per l'ottica AR ad alta potenza.

HPSI Wafer SiC semi-isolatrici ad alta purezza da 2" 3" " 6 " 8" Prime/Dummy/Research Grade 2

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