Substrati in carburo di silicio 4H-N di alta qualità (12 pollici/300 mm) per dispositivi ad alta potenza

Il substrato di carburo di silicio (SiC) da 12 pollici (300 mm) rappresenta l'attuale frontiera nella tecnologia dei semiconduttori a banda larga (WBG). Mentre l'industria globale si sta spostando verso una maggiore efficienza e una maggiore densità di potenza, questa piattaforma cristallina di grande diametro fornisce le basi essenziali per l'elettronica di potenza e i sistemi RF di nuova generazione.

Vantaggi strategici chiave:

• Elevata produttività: Rispetto ai wafer convenzionali da 150 mm (6 pollici) e 200 mm (8 pollici), il formato da 300 mm offre rispettivamente più di 2,2x e 1,5x l'area di superficie utilizzabile.
• Ottimizzazione dei costi: Riduce drasticamente il "costo per chip" massimizzando il numero di chip prodotti per singolo ciclo di produzione.
• Compatibilità avanzata: Pienamente compatibile con le moderne linee di fabbricazione di semiconduttori (Fabs) da 300 mm, completamente automatizzate, migliorando l'efficienza operativa complessiva.

Offerte di grado del prodotto:

1. Grado di produzione 4H SiC di tipo N: Progettato per la fabbricazione di dispositivi di potenza di grado commerciale e ad alta resa.
2. Grado fittizio 4H SiC di tipo N: Una soluzione conveniente per test meccanici, calibrazione delle apparecchiature e validazione dei processi termici.
3. Grado di produzione 4H SiC semi-isolante (SI): Progettato specificamente per applicazioni RF, radar e microonde che richiedono un'estrema resistività.

Carburo di silicio 4H-N (tipo conduttivo)

Il politipo 4H-N è una struttura cristallina esagonale drogata con azoto, nota per le sue robuste proprietà fisiche. Con un'ampia banda proibita di circa 3,26 eV, fornisce:

• Elevato campo elettrico di rottura: Consente la progettazione di dispositivi ad alta tensione più sottili ed efficienti.
• Conducibilità termica superiore: Consente ai moduli ad alta potenza di funzionare con sistemi di raffreddamento semplificati.
• Estrema stabilità termica: Mantiene parametri elettrici stabili anche in ambienti difficili che superano i 200°C.
• Bassa resistenza di accensione: Ottimizzato per strutture di potenza verticali come MOSFET e SBD in SiC.

Carburo di silicio 4H-SI (tipo semi-isolante)

I nostri substrati SI sono caratterizzati da una resistività eccezionalmente elevata e da difetti cristallini minimi. Questi substrati sono la piattaforma preferita per i dispositivi RF GaN-on-SiC, fornendo:

• Eccellente isolamento elettrico: Elimina la conduzione parassita del substrato.
• Integrità del segnale: Ideale per applicazioni a microonde ad alta frequenza in cui la bassa perdita di segnale è fondamentale.

Il nostro processo di produzione è verticalmente integrato per garantire il controllo totale della qualità dalla materia prima al wafer finito.

• Crescita per sublimazione (metodo PVT): I cristalli da 12 pollici vengono coltivati ​​utilizzando il metodo Physical Vapor Transport (PVT). La polvere di SiC ad alta purezza viene sublimata a temperature superiori a 2000°C sotto vuoto e gradiente termico controllati con precisione, ricristallizzando su un cristallo seme di alta qualità.
• Taglio di precisione e profilatura dei bordi: Dopo la crescita, gli lingotti di cristallo vengono tagliati in wafer utilizzando seghe diamantate multi-filo avanzate. La lavorazione dei bordi prevede la smussatura di precisione per evitare scheggiature e migliorare la robustezza meccanica durante la manipolazione.
• Ingegneria superficiale (CMP): A seconda dell'applicazione, utilizziamo la lucidatura chimico-meccanica (CMP) sulla faccia Si. Questo processo raggiunge una superficie "Epi-Ready" con levigatezza su scala atomica, rimuovendo tutti i danni al di sotto della superficie per facilitare la crescita epitassiale di alta qualità.

Utilizziamo un protocollo di ispezione in più fasi per garantire prestazioni costanti nella tua linea di produzione:

1. Metrologia ottica: Misurazione automatizzata della geometria della superficie per TTV, bow e warp.
2. Valutazione cristallina: Ispezione a luce polarizzata per inclusioni di politipi e analisi dello stress.
3. Scansione dei difetti superficiali: Luce ad alta intensità e scattering laser per rilevare graffi, vaiolature e scheggiature dei bordi.
4. Caratterizzazione elettrica: Mappatura della resistività senza contatto attraverso le zone centrali da 8 pollici e da 12 pollici complete.

• Veicoli elettrici (EV): Fondamentale per inverter di trazione, pile di ricarica rapida a 800 V e caricabatterie di bordo (OBC).
• Energia rinnovabile: Inverter fotovoltaici ad alta efficienza, convertitori di energia eolica e sistemi di accumulo di energia (ESS).
• Smart Grid: Trasmissione CC ad alta tensione (HVDC) e azionamenti per motori industriali.
• Telecomunicazioni: Stazioni macro 5G/6G, amplificatori di potenza RF e collegamenti satellitari.
• Aerospaziale e difesa: Alimentatori ad alta affidabilità per ambienti aerospaziali estremi.