Substrati in carburo di silicio 4H-N di alta qualità (12 pollici/300 mm) per dispositivi ad alta potenza

Il substrato in carburo di silicio (SiC) da 12 pollici (300 mm) rappresenta l'attuale frontiera nella tecnologia dei semiconduttori a banda larga (WBG).Mentre l'industria globale passa verso una maggiore efficienza e una maggiore densità di energia, questa piattaforma cristallina di grande diametro fornisce la base essenziale per la prossima generazione di sistemi di elettronica di potenza e RF.

Principali vantaggi strategici:

• Trasmissione massiccia:Rispetto ai tradizionali wafer da 150 mm (6 pollici) e 200 mm (8 pollici), il formato da 300 mm offre rispettivamente più di 2,2 volte e 1,5 volte la superficie utilizzabile.

• Ottimizzazione dei costi:Riduce drasticamente il "costo per stampo" massimizzando il numero di chip prodotti per singolo ciclo di produzione.

• Compatibilità avanzata:Compatibile con linee di produzione di semiconduttori moderne e completamente automatizzate da 300 mm (Fabs), migliorando l'efficienza operativa complessiva.

Offerte di prodotti:

1. 4H SiC di tipo N di grado di produzione:Progettato per la fabbricazione di dispositivi elettrici di alto rendimento.

2. 4H SiC di tipo N, di qualità "dummy":Una soluzione conveniente per le prove meccaniche, la taratura delle attrezzature e la convalida dei processi termici.

3. 4H SiC semisolatore (SI) grado di produzione:Progettato specificamente per applicazioni RF, radar e microonde che richiedono una resistenza estrema.

Carburo di silicio 4H-N (tipo conduttore)

Il politipo 4H-N è una struttura cristallina esagonale dopata di azoto nota per le sue robuste proprietà fisiche.

• Campo elettrico ad alta rottura:Consente la progettazione di dispositivi ad alta tensione più sottili ed efficienti.

• Conduttività termica superiore:Consente ai moduli ad alta potenza di funzionare con sistemi di raffreddamento semplificati.

• Stabilità termica estremaMantenere parametri elettrici stabili anche in ambienti difficili superiori a 200°C.

• Basso livello di resistenzaOttimizzato per strutture di potenza verticali come MOSFET SiC e SBD.

Carburo di silicio 4H-SI (tipo semisolatore)

I nostri substrati SI sono caratterizzati da una resistenza eccezionalmente elevata e da difetti cristallini minimi.

• Ottimo isolamento elettrico:Elimina la conduzione del substrato parassita.

• Integrità del segnaleIdeale per applicazioni a microonde ad alta frequenza in cui è fondamentale una bassa perdita di segnale.

Il nostro processo di produzione è verticalmente integrato per garantire un controllo di qualità totale dalla materia prima al wafer finito.

• Crescita per sublimazione (metodo PVT):I cristalli da 12 pollici sono coltivati utilizzando il metodo del trasporto fisico del vapore (PVT).La polvere di SiC di alta purezza viene sublimata a temperature superiori a 2000°C sotto un vuoto e un gradiente termico controllati con precisione, ricristallizzandosi in un cristallo di semi di alta qualità.

• Taglio di precisione e profilazione dei bordi:Dopo la crescita, i lingotti di cristallo vengono tagliati in wafer utilizzando una segatura a diamanti avanzata.La lavorazione dei bordi prevede un'accelerazione di precisione per prevenire la frantumazione e migliorare la robustezza meccanica durante la movimentazione.

• Ingegneria superficiale (CMP):A seconda dell'applicazione, utilizziamo la lucidatura meccanica chimica (CMP) sulla superficie di Si. Questo processo ottiene una superficie "Epi-Ready" con liscezza su scala atomica,Rimozione di tutti i danni sotterranei per facilitare la crescita epitaxiale di alta qualità.

Utilizziamo un protocollo di ispezione in più fasi per garantire prestazioni costanti nella vostra linea di produzione:

1. Metrologia ottica:Misurazione automatizzata della geometria superficiale per TTV, arco e curvatura.

2. Valutazione cristallina:Ispezione della luce polarizzata per inclusioni di politipo e analisi dello stress.

3. Scansione dei difetti superficiali:Luce ad alta intensità e diffusione laser per rilevare graffi, buche e frammenti.

4. Caratteristica elettrica:Mappa di resistività senza contatto tra le zone centrali da 8 pollici e le zone complete da 12 pollici.

• Veicoli elettrici:Critico per gli inverter di trazione, le pile di ricarica rapida a 800 V e i caricabatterie di bordo (OBC).

• Energia rinnovabile:Invertitori fotovoltaici ad alta efficienza, convertitori di energia eolica e sistemi di accumulo di energia (ESS).

• Griglia intelligente:Trasmissione di corrente continua ad alta tensione (HVDC) e motori industriali.

• Telecomunicazioni:Macro stazioni 5G/6G, amplificatori di potenza RF e collegamenti satellitari.

• Aerospaziale e Difesa:Forniture di alimentazione di alta affidabilità per ambienti aerospaziali estremi.

D1: Come il substrato SiC da 12 pollici migliora il mio ROI?

R: fornendo una superficie molto più grande, si possono fabbricare significativamente più chip per wafer.rendere i prodotti semiconduttori finali più competitivi sul mercato.

D2: Qual è il vantaggio dell'orientamento di 4 gradi fuori asse?

R: L'orientamento di 4° verso il piano <11-20> è ottimizzato per una crescita epitaxiale di alta qualità, contribuendo a prevenire la formazione di politipi indesiderati e riducendo le lussazioni del piano basale (BPD).

Q3: Puoi fornire un marchio laser personalizzato per la tracciabilità?

R: Sì, offriamo la marcatura laser personalizzata sul lato C (faccia di carbonio) in base agli standard SEMI o alle specifiche esigenze del cliente per garantire la tracciabilità completa del lotto.

D4: Il calibro "dummy" è adatto per il ricottamento ad alta temperatura?

R: Sì, il calibro N-type Dummy condivide le stesse proprietà termiche del calibro di produzione, rendendolo perfetto per testare cicli termici, calibrazione del forno e sistemi di movimentazione.