2 pollici/4 pollici/6 pollici/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrato di carburo di silicio Tipo 3C-N Sull'asse: < 111 > ± 0,5° Grado di produzione Grado finto
Il substrato di carburo di silicio (SiC) di tipo 3C-N è un materiale semiconduttore con una struttura cristallina cubica, dove "3C" sta per il suo sistema cristallino cubico,mentre "tipo N" si riferisce a un semiconduttore di tipo N formato incorporando atomi di azoto (N)Questo materiale di substrato svolge un ruolo importante nell'industria dei semiconduttori, in particolare nelle applicazioni in cui sono rigorosamente richieste prestazioni ad alta temperatura, alta pressione e alta frequenza.
Il substrato di carburo di silicio (SiC) è il materiale di base di un semiconduttore a banda larga recentemente sviluppato, utilizzato principalmente in elettronica a microonde, elettronica di potenza e altri campi.È l'estremo anteriore della catena industriale dei semiconduttori a banda larga ed è il materiale di base e chiaveI substrati di carburo di silicio hanno una varietà di strutture cristalline, le più comuni delle quali sono l'alfa-SiC esagonale (come 4H-SiC, 6H-SiC) e il β-SiC cubico (cioè 3C-SiC).
Caratteristiche:
1Alta mobilità elettronica:Il 3C-SiC ha una mobilità elettronica relativamente elevata, che gli conferisce un vantaggio nell'elaborazione di segnali elettronici ad alta velocità.che è molto superiore ai materiali semiconduttori tradizionali come il silicio.
2- Spazio di banda più piccolo:Rispetto ad altri tipi cristallini di carburo di silicio come 4H-SiC e 6H-SiC, il 3C-SiC ha un intervallo di banda più piccolo (circa 2,36 eV).Questa caratteristica consente al dispositivo 3C-SiC di avere una corrente di tunneling FN inferiore e una maggiore affidabilità nella preparazione dello strato di ossido, che contribuisce a migliorare il rendimento del prodotto del dispositivo.
3. Alta conduttività termica:i materiali a carburo di silicio hanno generalmente un'elevata conducibilità termica, e il 3C-SiC non fa eccezione.ridurre l'accumulo di calore e la dipendenza dai sistemi di raffreddamento, migliorando in tal modo in modo significativo l'efficienza e l'affidabilità del dispositivo.
4Campo elettrico ad alta rottura:La resistenza del campo elettrico di rottura del 3C-SiC è anche relativamente elevata e può resistere a elevate tensioni senza rottura.Questa caratteristica lo rende di potenziale valore di applicazione nell'elettronica ad alta tensione.
Parametro tecnico:
6 inchi di diametro di carburo di silicio (SiC) Specificità
| - Sì.Grado |
精选级 ((Z 级)
Zero produzione di MPD
Grado (Z) Grado)
|
工业级 (()P级)
Produzione standard
Grado (P) Grado)
|
测试级(D级)
Grado per finti (D Grado)
|
| Diametro |
145.5 mm~150,0 mm |
| 厚度 Spessore |
350 μm ± 25 μm |
| 晶片方向 Orientazione del wafer |
-
Offasse: 2,0°-4,0° verso [1120] ± 0,5° per 4H/6H-P, sull'asse: 111± 0,5° per 3C-N
|
| 微管密度 ※ Micropipe Density |
0 cm-2 |
| 电 阻 率 ※ Resistenza |
tipo p 4H/6H-P |
≤ 0,1 Ω ̊cm |
≤ 0,3 Ω ̊cm |
| n-tipo 3C-N |
≤ 0,8 mΩ ̊cm |
≤ 1 m Ω ̊cm |
| 主定位边方向 Orientazione primaria piatta |
4H/6H-P |
-
{1010} ± 5,0°
|
| 3C-N |
-
{110} ± 5,0°
|
| 主定位边长度 Lungozza piana primaria |
32.5 mm ± 2,0 mm |
| Secondary Flat Length Lungozza secondaria piatta |
18.0 mm ± 2,0 mm |
| 2° orientamento |
Silicone verso l'alto: 90° CW. da Prime flat ± 5,0° |
| 边缘去除 L'esclusione di bordo |
3 mm |
6 mm |
| 局部厚度变化/总厚度变化/??曲度/??曲度 LTV/TTV/Bow /Warp |
≤ 2,5 μm/≤ 5 μm/≤ 15 μm/≤ 30 μm |
≤ 10 μm/≤ 15 μm/≤ 25 μm/≤ 40 μm |
| 表面粗度 ※ Ruvidità |
Ra≤1 nm polacco |
| CMP Ra≤0,2 nm |
Ra≤0,5 nm |
| 边缘裂纹 (强光灯观测) Fessure di bordo da luce ad alta intensità |
Nessuna |
Lunghezza cumulativa ≤ 10 mm, lunghezza singola ≤ 2 mm |
| 六方空洞 ((强光灯测)) ※ Piastre esattive con luce ad alta intensità |
Superficie cumulata ≤ 0,05% |
Superficie cumulata ≤ 0,1% |
| 多型 ((强光灯观测) ※ Polytypes Areas By High Intensity Light (Aree di politipi con luce ad alta intensità) |
Nessuna |
Superficie cumulativa ≤ 3% |
| Inclusioni di carbonio visivo |
Superficie cumulata ≤ 0,05% |
Superficie cumulata ≤ 3% |
| # La superficie del silicio graffiata dalla luce ad alta intensità |
Nessuna |
Lunghezza cumulativa ≤ 1 × diametro della wafer |
| 崩边 ((强光灯观测) Chips di bordo High By Intensity Light |
Nessuna ammissibile larghezza e profondità ≥ 0,2 mm |
5 consentiti, ≤ 1 mm ciascuno |
| Inquinamento della superficie del silicio ad alta intensità |
Nessuna |
| 包装 Imballaggio |
Cassette a più wafer o contenitori a singola wafer |
Nota:
※ I limiti di difetto si applicano a tutta la superficie del wafer, ad eccezione dell'area di esclusione dei bordi.
Applicazioni:
1. elettronica di potenza:
· SiC MOSFET:I substrati di carburo di silicio di tipo 3C-N possono essere utilizzati per la fabbricazione di MOSFET SiC (transistori a effetto campo di ossido metallico di nitruro di silicio), che funzionano bene ad alta tensione, alta corrente,applicazioni di commutazione rapidaRispetto ai tradizionali MOSFET in silicio, i MOSFET in SiC hanno perdite di accensione e di spegnimento e perdite di commutazione inferiori e possono funzionare in modo stabile a temperature e tensioni più elevate.
· Diodi SiC:I substrati 3C-SiC possono anche essere utilizzati per la fabbricazione di diodi SiC, che possono migliorare notevolmente la velocità di commutazione e l'efficienza complessiva di conversione del sistema nelle sorgenti di alimentazione HVDC,Invertitori e altri sistemi.
2. Dispositivi di radiofrequenza e comunicazione:
· SiC HEMT:In amplificatori di potenza RF, i substrati di carburo di silicio di tipo 3C-N possono essere utilizzati per la produzione di SiC HEMT (transistori ad alta mobilità elettronica).SiC HEMT può funzionare in modo stabile a frequenze estremamente elevate ed è adatto a scenari di trasmissione dati ad alta velocità come le comunicazioni 5G e le comunicazioni satellitariAllo stesso tempo, le sue caratteristiche di bassa perdita contribuiscono a ridurre il consumo di energia e a migliorare le prestazioni della rete.
3. elettronica automobilistica:
· Veicoli elettrici e guida autonoma:Con lo sviluppo dei veicoli elettrici e della tecnologia di guida autonoma, c'è una crescente domanda di elevata densità di potenza, eccellenti capacità di gestione termica e elettronica di lunga durata.A causa della sua stabilità ad alta temperatura, elevata conduttività termica e resistenza alle radiazioni, il substrato SIC 3C-N ha un'ampia gamma di applicazioni nei sistemi di conversione di potenza dei veicoli elettrici, nei sistemi di gestione delle batterie (BMS),altri apparecchi per la produzione di energia elettrica, e sensori per sistemi di guida autonoma.
4. Dispositivi optoelettronici:
· LED UV e diodi laser:Nei LED UV e nei diodi laser, il substrato 3C-SiC fornisce una migliore efficienza di uscita della luce e una migliore conduttività termica, ottimizzando così le prestazioni ottiche e l'affidabilità del dispositivo.Questo rende il 3C-SiC potenzialmente utile in settori come la sterilizzazione, purificazione dell'aria, rilevamento medico e tecnologia laser.
Display di campione:
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