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Substrato di SiC 4H-N spessore 350um utilizzato in optoelettronica materiale semiconduttore

Sic substrato
2024-06-26
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Substrato di SiC 4H-N spessore 350um utilizzato in optoelettronica materiale semiconduttore Descrizione del prodotto I substrati di SiC sono materiali chiave nel campo della tecnologia dei semicondutt... Vista più
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