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Substrato di SiC di primaria qualità
, Spessore personalizzato Substrato SiC
, 5 mm*5 mm di substrato SiC
4H-N SiC Sottostrato Silicio Carbonio Sottostrato Quadrato 5mm*5mm Spessore personalizzato 350um Prime Grade/ Dummy Grade
SiC semi-isolatore su Wafer composto di Si, Wafer SiC, Wafer di Carburo di Silicio, Wafer composto, SiC su Substrato composto di Si, Substrato di Carburo di Silicio, Prime Grade, Dummy Grade, Square SiC, 2 pollici, 4 pollici,6 pollici, 8 pollici, 12 pollici 4H-N, 6H-N, 4H-SEMI
Il carattere del 4H-N SiC
- supportare quelli personalizzati con disegni artistici
- usoMonocristallo di SiCper la fabbricazione (Carburo di silicio monocristallo)
- alte prestazioni, alta durezza 9.2, resistente all'usura
-larghe distanze di banda e elevata mobilità elettronica
-Ampiamente utilizzato insettori tecnologici quali l'elettronica di potenza, i LED, i sensori ecc.
Descrizione del 4H-N SiC
Il substrato SiC si riferisce a un wafer realizzato in carburo di silicio (SiC), che è un materiale semiconduttore a banda larga che ha eccellenti proprietà elettriche e termiche.
Il 4H-N SiC è un materiale a carburo di silicio appartenente alla struttura cristallina 4H nel politipo di carburo di silicio.
La sua "N" indica che si tratta di un materiale semiconduttore di tipo N con conduttività elettronica.
La struttura 4H è un arrangiamento di cristalli esagonali a quattro strati.
Con questa struttura cristallina unica, la sua applicazione in dispositivi elettronici ad alta potenza e ad alta frequenza è molto importante.
Il 4H-N SiC ha un ampio intervallo di banda (circa 3,26 eV) e può ancora funzionare in modo stabile ad alte temperature, rendendolo adatto per dispositivi elettronici in ambienti estremi.
Il suo ampio intervallo porta una buona stabilità termica e un'eccellente resistenza alle radiazioni,adatti in particolare per occasioni quali l'aerospaziale e l'energia nucleare che richiedono una stabilità dei materiali estremamente elevata.
Inoltre, il 4H-N SiC ha una maggiore mobilità elettronica e una maggiore forza di campo elettrico di rottura, quindi è ampiamente utilizzato in semiconduttori di potenza, dispositivi a radiofrequenza,e dispositivi energetici e elettronici ad alta efficienza come i veicoli elettrici.
Le sue eccellenti proprietà fisiche lo rendono un materiale chiave per i futuri sistemi elettronici ad alta efficienza, che possono migliorare significativamente l'efficienza e le prestazioni.
Dettagli del 4H-N SiC
| Grado |
Grado di produzione |
Grado per finti |
| Diametro |
1500,0 mm +/- 0,2 mm |
| Spessore |
500 um +/- 25 um per 4H-SI350 um +/- 25 um per 4H-N |
| Orientazione dei wafer |
Su asse: <0001> +/- 0,5 gradi per 4H-SIOff asse: 4,0 gradi verso <11-20> +/- 0,5 gradi per 4H-N |
| Densità di micropipe (MPD) |
5 cm-2 |
30 cm-2 |
| Concentrazione di doping |
Tipo N: ~ 1E18/cm3Tipo SI (dopato in V): ~ 5E18/cm3 |
| Flat primario (tipo N) |
{10-10} +/- 5,0 gradi |
| Lunghezza piana primaria (tipo N) |
47.5 mm +/- 2,0 mm |
| Intaglio (tipo semisolatore) |
Intaglio |
| Esclusione dei bordi |
3 mm |
| TTV /Bow /Warp |
15um /40um /60um |
| Roughness superficiale |
Ra polacco 1 nm |
| CMP Ra 0,5 nm sulla superficie di Si |
Altri campioni di 4H-N SiC
Questo e' quello da 2 pollici.
Di noi
La nostra impresa, ZMSH, è specializzata nella ricerca, produzione, lavorazione e vendita di substrati semiconduttori e materiali cristallini ottici.
Abbiamo un team di ingegneri esperti, esperienza di gestione, attrezzature di elaborazione di precisione e strumenti di prova,che ci fornisce capacità estremamente forti nella lavorazione di prodotti non standard.
Possiamo ricercare, sviluppare e progettare vari nuovi prodotti in base alle esigenze del cliente.
L'azienda aderirà al principio "centrata sul cliente, basata sulla qualità" e si sforzerà di diventare un'impresa di alta tecnologia di primo livello nel campo dei materiali optoelettronici.
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