Wafer SiC, Wafer Carburo di Silicio, Substrato SiC, Substrato Carburo di Silicio, Grado P, Grado D, 2 pollici SiC, 4 pollici SiC, 6 pollici SiC, 8 pollici SiC, 12 pollici SiC, 4H-N, 4H-SEMI, 6H-N, tipo HPSI
Carattere di 4H-N SiC
- usoSIC Monocristalloper la produzione
- la personalizzazione è consentita tramite disegni
- elevate prestazioni, elevata resistività e basse correnti di fuga
- 9,2 Mohs alta durezza, appena dietro il diamante
- ampiamente utilizzati in settori ad alta tecnologia, quali elettronica di potenza, LED e sensori
Breve introduzione del 4H-N SiC
Il carburo di silicio (SiC) è un materiale semiconduttore costituito da silicio e carbonio.
Ha un'eccellente durezza e resistenza, che la rendono molto resistente.
Il SiC è noto per la sua eccellente conduttività termica, che gli consente di dissipare efficacemente il calore, rendendolo ideale per applicazioni ad alta potenza e ad alta temperatura.
Una delle sue principali proprietà è un ampio intervallo di banda, che consente ai dispositivi di funzionare a tensioni, temperature e frequenze più elevate del silicio.
Il SiC ha anche un'elevata mobilità elettronica, che aiuta a consentire dispositivi elettronici più veloci ed efficienti.
La sua stabilità chimica e resistenza all'ossidazione la rendono ideale per ambienti difficili.
Il SiC è ampiamente utilizzato nell'elettronica di potenza, dove l'efficienza e la durata sono fondamentali, nonché nei dispositivi ad alta frequenza, LED,e come substrato per la crescita di altri materiali semiconduttori come il nitruro di gallio (GaN).
Le sue proprietà lo rendono un materiale prezioso per applicazioni elettroniche avanzate.
Maggiori dettagli sul 4H-N SiC
* Più dettagli sono riportati nella tabella seguente.
| 6 pollici di diametro 4H N-type Silicon Carbide Substrate Specifica |
| Proprietà del substrato |
Grado di produzione |
Grado per finti |
| Diametro |
150 mm ± 0,1 mm |
| Orientazione della superficie |
fuori asse: 4° verso <11-20> ± 0,5° |
| Orientazione primaria piatta |
< 1-100> ± 5,0 ̊ |
| Lunghezza piatta primaria |
47.5 mm ± 2,0 mm |
| Resistenza |
0.0150.028Ω·cm |
≤ 0,1Ω·cm |
| Spessore |
350.0 μm ± 25,0 μm o 500.0 μm ± 25,0 μm |
| TTV |
≤ 15 μm |
≤ 25 μm |
| BIO |
≤ 30 μm |
≤ 50 μm |
| Warp. |
≤ 40 μm |
≤ 60 μm |
| Finitura superficiale |
Polish a doppio lato, Si Face CMP (polizione chimica) |
| Roughness superficiale |
CMP Si Face Ra≤0,5 nm, C Face Ra≤1 nm |
N/A |
| Nota: sono accettabili specifiche personalizzate diverse dai parametri di cui sopra. |
Altri campioni di4H-N SiC
* Se avete ulteriori esigenze, possiamo produrre quelli personalizzati.
Prodotti raccomandati
1.SiC Substrato 4H-N Spessore 350um Utilizzato in optoelettronica Materiale semiconduttore
2.2 pollici di zaffiro Wafer Al2O3 monocristallino Dia 50,80mm Spessore 430um BOW <10 A-piano
Domande frequenti
1D: Dove si può usare il 4H-N SiC da 6 pollici?
R: Esistono molte aree di applicazione, come MOSFET, IGBT e diodi, adatti ad applicazioni ad alta potenza e alta efficienza come veicoli elettrici, convertitori di potenza e reti intelligenti.
2D: In che modo il 4H-N SiC contribuisce alle energie rinnovabili?
A: L'elettronica di potenza basata su 4H-N SiC migliora l'efficienza e l'affidabilità dei sistemi di energia rinnovabile come inverter solari e turbine eoliche, consentendo una migliore conversione e gestione dell'energia
Il tuo messaggio deve contenere da 20 a 3000 caratteri!
