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4° Sottoasse SiC Substrato 2 pollici Applicazioni ad alta temperatura Wafer epitaxial

Sic substrato
2024-05-29
100 opinioni
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#sic wafer #sic substrato #substrato del carburo di silicio
4° Sottoasse SiC Substrato da 2 pollici Applicazioni ad alta temperatura Wafer epitaxiale Descrizione del prodotto: Il substrato SiC ha anche una rugosità superficiale di Ra < 0,5 nm, che è essenziale ... Vista più
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4° Sottoasse SiC Substrato 2 pollici Applicazioni ad alta temperatura Wafer epitaxial
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2024-06-03
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2024-08-15
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Disadattamento basso su misura della grata del chip del quadrato di dimensione sic con l'alto termale

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Sic substrato
2022-09-09
3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Ricerche SIC 00:10
3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Ricerche SIC

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Sic substrato
2024-04-11
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Disco di taglio del substrato 4H-SEMI SiC Dia 10 mm Spessore 5 mm <0001> Alta durezza

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A - Trasmettività ottica della luce di visione di Windows 85% dello zaffiro a 4 pollici di asse

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2022-09-08
Cristalli di titanio rossi del laser dello zaffiro di forma su ordinazione vermiglia sintetica portabile 00:13
Cristalli di titanio rossi del laser dello zaffiro di forma su ordinazione vermiglia sintetica portabile

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2025-02-21
2 pollici di zaffiro Wafer Al2O3 monocristallino Dia 50,80mm Spessore 430um BOW <10 A-piano 00:05
2 pollici di zaffiro Wafer Al2O3 monocristallino Dia 50,80mm Spessore 430um BOW <10 A-piano

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2024-08-08
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Substrati a 12 pollici DSP dei wafer del quarzo di Sapphire Wafers BF33

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