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4° Sottoasse SiC Substrato 2 pollici Applicazioni ad alta temperatura Wafer epitaxial

Sic substrato

2024-05-29

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#sic wafer #sic substrato #substrato del carburo di silicio

4° Sottoasse SiC Substrato da 2 pollici Applicazioni ad alta temperatura Wafer epitaxiale Descrizione del prodotto: Il substrato SiC ha anche una rugosità superficiale di Ra < 0,5 nm, che è essenziale ... Vista più

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