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Opzione di substrato di carburo di silicio (SiC) per applicazioni industriali di alto livello
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Opzione di substrato di carburo di silicio (SiC) per applicazioni industriali di alto livello

Luogo di origine Cina
Marca ZMSH
Numero di modello Substrato di carburo di silicio (SiC)
Dettagli del prodotto
Forza di compressione:
>1000MPa
Tipo del substrato:
Substrato di carburo di silicio (SiC)
Roughness superficiale:
Ra<0.5nm
Resistenza alla trazione:
>400MPa
Densità:
3.21 G/cm3
Materiale:
Monocristallo SiC
Evidenziare: 

Sottostrato di SiC industriale di elevato livello

,

Substrato SiC di elevato livello

,

Applicazioni industriali

Descrizione di prodotto

Opzione di substrato a carburo di silicio (SiC) per applicazioni industriali ad elevati standard

Descrizione del prodotto:

Questo prodotto è privo di dopanti, il che lo rende ideale per una vasta gamma di applicazioni.Offriamo piastre personalizzate con forme personalizzate per soddisfare le vostre esigenze specifichePotete avere tranquillità sapendo che i nostri substrati di SiC supereranno le vostre aspettative.

I nostri substrati SiC hanno una conduttività termica di 4,9 W/mK, rendendoli altamente efficienti nel dissipare il calore.Come il surriscaldamento può danneggiare i componenti delicatiCon i nostri substrati di SiC, potete essere sicuri che i vostri dispositivi rimarranno freddi anche in condizioni di uso pesante.

La rugosità superficiale dei nostri substrati SiC è di Ra<0,5 nm, garantendo una superficie liscia e uniforme.dove anche le più piccole imperfezioni possono avere un impatto negativo sulle prestazioni del dispositivoCon i nostri substrati di SiC, potete essere sicuri che i vostri dispositivi saranno di altissima qualità.

I nostri substrati di SiC hanno un coefficiente di espansione termica di 4,5 x 10-6/K. Questo li rende altamente stabili e resistenti ai cambiamenti di temperatura.puoi essere sicuro che i tuoi dispositivi manterranno le loro prestazioni anche in condizioni estreme.

Nella nostra azienda, comprendiamo che ogni progetto è unico. Ecco perché offriamo piastre personalizzate con forme personalizzate per soddisfare le vostre esigenze specifiche.una piastra rettangolare o una piastra grande, uno di forma irregolare, possiamo consegnare il substrato di SiC di cui hai bisogno.

In conclusione, il nostro prodotto SiC Substrate è la scelta ideale per chiunque cerchi wafer di carburo di silicio affidabili e di alte prestazioni.conduttività termica di 4.9 W/mK, rugosità superficiale di Ra<0.5nm e coefficiente di espansione termica di 4.5 X 10-6/K, i nostri substrati SiC offrono prestazioni di prim'ordine anche nelle applicazioni più esigenti.Contattaci oggi per saperne di più sulle nostre piastre personalizzate e forme personalizzate.

 

Caratteristiche:

  • Nome del prodotto: SiC Substrato
  • Superficie: DSP
  • Wafer in carburo di silicio: 4H-N SIC Wafer, Si-face CMP, C-face Mp
  • Roverezza superficiale: Ra < 0,5 nm
  • Resistenza:0.015~0.028 ohm.cm,O >1E7 ohm.cm
  • Conduttività termica: 4,9 W/mK
  • Piattazza superficiale: λ/10@632.8nm
 

Applicazioni:

La costante dielettrica di ZMSH SIC010 è 9.7Il coefficiente di espansione termica è di 4,5 X 10-6/K. Queste caratteristiche lo rendono un prodotto affidabile per varie applicazioni.

La ZMSH SIC010 può essere utilizzata in diverse occasioni e scenari. È adatta per il taglio laser sic, che è un processo che utilizza un laser per tagliare vari materiali, compresi i substrati SiC.Questo prodotto è perfetto per questa applicazione a causa della sua elevata resistenza alla compressione e coefficiente di espansione termica.

Le dimensioni di questo prodotto possono essere personalizzate in base alle esigenze del cliente. Può essere utilizzato nella produzione di substrati SiC da 1x1cm o 0,5x0,5mm.Il wafer HPSI sic 4h-semi può essere fabbricato utilizzando ZMSH SIC010Questo tipo di wafer ha un alto livello di purezza ed è utilizzato nella produzione di dispositivi elettronici come dispositivi di alimentazione, sensori e LED.

 

Personalizzazione:

Offriamo chip sic di dimensioni personalizzate per soddisfare le tue esigenze specifiche. Le nostre wafer 4H-N SIC sono disponibili anche per la personalizzazione. Contattaci oggi per discutere le tue esigenze di personalizzazione.

Imballaggio e trasporto:

Imballaggio del prodotto:

  • Il substrato SiC sarà confezionato in una scatola di cartone robusta per garantire un trasporto sicuro.
  • Il substrato sarà collocato in un contenitore di plastica per evitare danni durante il trasporto.
  • Il contenitore sarà etichettato con il nome e il codice del prodotto, nonché le istruzioni per la manipolazione.

Spedizione:

  • Il substrato SiC sarà spedito tramite un servizio di corriere affidabile per garantire la consegna tempestiva.
  • Il substrato sarà etichettato correttamente con tutte le informazioni necessarie per la spedizione, compresi l'indirizzo e i contatti del destinatario.
  • Qualsiasi documentazione doganale necessaria sarà accompagnata alla spedizione.
  • Ai clienti verrà fornito un numero di tracciamento per monitorare l'andamento della loro spedizione.

Contattici in qualunque momento

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Rm5-616, No.851, viale di Dianshanhu, area di Qingpu, città di Shanghai, CINA
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