Evidenziare:
4 pollici di carburo di silicio
, 4H-P di carburo di silicio
4H-P Carburo di silicio SIC Substrato 4 pollici SIC Wafer 6H-P Per deposizione di nitruri III-V
Sottostrato di SiC, Sottostrato di Carburo di Silicio, Sottostrato grezzo di SiC, Sottostrato grezzo di Carburo di Silicio, Grado primo, Grado falso, Sottostrato di SiC 4H-P, Sottostrato di SiC 6H-P, Sottostrato di SiC 3C-N, Sottostrato di SiC 2 pollici, Sottostrato di SiC 4 pollici, Sottostrato di SiC 6 pollici,8 pollici di SiC, 12 pollici SiC, 4H-N, 4H-SEMI, 6H-N, tipo HPSI
Per il substrato SiC di tipo P
- supportare quelli personalizzati con disegni artistici
- un cristallo esagonale (4H SiC), ottenuto da monocristallo SiC
- alta durezza, durezza di Mohs raggiunge 9.2, secondo solo al diamante.
- eccellente conduttività termica, adatta ad ambienti ad alta temperatura.
- caratteristiche di banda larga, idonee per dispositivi elettronici ad alta frequenza e alta potenza.
Descrizione del substrato SiC di tipo P
Il substrato SiC di tipo P è un importante materiale semiconduttore ampiamente utilizzato in dispositivi elettronici ad alta potenza e ad alta frequenza.il substrato SiC di tipo P presenta le caratteristiche di tipo P, che consente al materiale di fornire una buona conducibilità elettrica e un'elevata concentrazione di vettori.La sua eccellente conduttività termica e l'elevata tensione di rottura consentono di mantenere prestazioni stabili in condizioni estreme.
Il substrato SiC di tipo P ha un'eccellente stabilità ad alta temperatura e resistenza alle radiazioni e può funzionare normalmente in ambienti ad alta temperatura.I substrati 4H-SiC presentano minori perdite energetiche sotto forti campi elettrici e sono adatti all'uso nei veicoli elettriciInoltre, l'eccellente conduttività termica contribuisce a migliorare l'efficienza di dissipazione del calore del dispositivo e allungare la sua vita utile.
I substrati SiC di tipo P sono ampiamente utilizzati nei dispositivi di alimentazione, nei dispositivi RF e nei dispositivi optoelettronici.
Sono spesso utilizzati per la produzione di dispositivi come MOSFET di tipo P e IGBT per soddisfare le esigenze di alta tensione, alta temperatura e alta frequenza.I substrati SiC di tipo 4H-P avranno un ruolo sempre più importante nella futura elettronica di potenza e nelle reti intelligenti.
Dettagli del substrato SiC di tipo P
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Proprietà
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Tipo P 4H-SiC, cristallo singolo |
Tipo P 6H-SiC, cristallo singolo |
| Parametri del reticolo |
a=3,082 Å c=10,092 Å |
a=3,09 Å
c=15,084 Å
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| Sequenza di impilazione |
ABCB |
ACBABC |
| Durezza di Mohs |
≈9.2 |
≈9.2 |
| Densità |
3.23 g/cm3 |
30,0 g/cm3 |
| Coefficiente di espansione termico |
4.3×10-6/K (Caxis) 4.7×10-6/K (Caxis) |
4.3×10-6/K (Caxis) 4.7×10-6/K (Caxis) |
| Indice di rifrazione @750nm |
no = 2.621 ne = 2.671 |
no=2.612 ne=2.651 |
| Costante dielettrico |
c~9.66 |
c~9.66 |
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Conduttività termica
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3-5 W/cm·K@298K
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3-5 W/cm·K@298K
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| Band-Gap |
3.26 eV |
30,02 eV |
| Campo elettrico di rottura |
2-5×106V/cm |
2-5×106V/cm |
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Velocità della deriva di saturazione
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2.0×105m/s |
2.0×105m/s |
Campioni di substrato SiC di tipo P
Di noi
La nostra impresa, ZMSH, è specializzata nella ricerca, produzione, lavorazione e vendita di substrati semiconduttori e materiali cristallini ottici.
Abbiamo un team di ingegneri esperti, esperienza di gestione, attrezzature di elaborazione di precisione e strumenti di prova,che ci fornisce capacità estremamente forti nella lavorazione di prodotti non standard.
Possiamo ricercare, sviluppare e progettare vari nuovi prodotti in base alle esigenze del cliente.
L'azienda aderirà al principio "centrata sul cliente, basata sulla qualità" e si sforzerà di diventare un'impresa di alta tecnologia di primo livello nel campo dei materiali optoelettronici.
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Domande frequenti
1D: Rispetto alla N-Type, che ne dici della P-Type?
R: I substrati P-Type 4H-SiC, dopati con elementi trivalenti come l'alluminio, hanno buchi come vettori principali, fornendo una buona conducibilità e stabilità ad alte temperature.Substrati di tipo N, dopati con elementi pentavalenti come il fosforo, hanno elettroni come portatori di maggioranza, il che di solito si traduce in una maggiore mobilità elettronica e una minore resistività.
2. D: Quali sono le prospettive di mercato per il P-Type SiC?
R: Le prospettive di mercato per il SiC di tipo P sono molto positive, trainate dalla crescente domanda di elettronica di potenza ad alte prestazioni per veicoli elettrici, sistemi di energia rinnovabile,e applicazioni industriali avanzate.
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