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6 pollici di carburo di silicio SiC Substrato
, 6H-P Carburo di silicio SiC Substrato
, 4H-P Carburo di silicio SiC Substrato
6H-P Carburo di silicio SIC Substrato 6 pollici SIC Wafer 4H-P Per dispositivi optoelettronici
Sottostrato di SiC, Sottostrato di Carburo di Silicio, Sottostrato grezzo di SiC, Sottostrato grezzo di Carburo di Silicio, Grado primo, Grado falso, Sottostrato di SiC 4H-P, Sottostrato di SiC 6H-P, Sottostrato di SiC 3C-N, Sottostrato di SiC 2 pollici, Sottostrato di SiC 4 pollici, Sottostrato di SiC 6 pollici,8 pollici di SiC, 12 pollici SiC, 4H-N, 4H-SEMI, 6H-N, tipo HPSI
Per il substrato SiC di tipo P
- supportare quelli personalizzati con disegni artistici
- un cristallo esagonale (4H SiC), ottenuto da monocristallo SiC
- alta durezza, durezza di Mohs raggiunge 9.2, secondo solo al diamante.
- eccellente conduttività termica, adatta ad ambienti ad alta temperatura.
- caratteristiche di banda larga, idonee per dispositivi elettronici ad alta frequenza e alta potenza.
Descrizione del substrato SiC di tipo P
Il 6H-P SiC (carburo di silicio policristallino esagonale) è un importante materiale semiconduttore, ampiamente utilizzato in alta temperatura,dispositivi elettronici ad alta frequenza e alta potenza grazie alla sua eccellente stabilità termica e alle sue proprietà elettricheLa sua struttura cristallina esagonale unica consente a 6H-P SiC di mantenere una buona conducibilità e resistenza meccanica in condizioni estreme.un'elevata tensione di rottura e un'eccellente conduttività termica, quindi ha un grande potenziale di applicazione nei dispositivi elettronici di potenza, nelle celle solari e nei LED.
Rispetto al SiC di tipo N, il SiC 6H-P presenta evidenti differenze nel tipo di doping e nel meccanismo di conduttività.Il SiC di tipo N aumenta la sua conduttività aggiungendo donatori di elettroni (come azoto o fosforo) per aumentare la concentrazione del vettoreAl contrario, il tipo di vettore e la concentrazione del 6H-P SiC dipendono dalla selezione e dalla distribuzione dei suoi elementi dopanti.che lo rende ben funzionante nelle applicazioni ad alta frequenza, mentre il 6H-P SiC può mantenere la stabilità in ambienti ad alta temperatura e ad alta potenza a causa delle sue caratteristiche strutturali,con una lunghezza massima di 20 mm o più, ma non superiore a 20 mm.
Il processo di produzione del 6H-P SiC è relativamente maturo e viene principalmente preparato mediante deposizione chimica a vapore (CVD) e crescita della fusione.Grazie alla sua eccellente resistenza meccanica e resistenza alla corrosione, il 6H-P SiC è considerato una scelta ideale per sostituire i materiali tradizionali in silicio, specialmente per applicazioni in ambienti difficili.
Con l'aumento della domanda di dispositivi ad alta efficienza, la ricerca e lo sviluppo del 6H-P SiC sono in costante avanzamento e si prevede che svolga un ruolo maggiore nei veicoli a nuova energia, nelle reti intelligenti,Infine, la Commissione ritiene che sia necessario un'analisi più approfondita dei sistemi di radiofrequenza e dei dispositivi a radiofrequenza in futuro.
Dettagli del substrato SiC di tipo P
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Proprietà
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Tipo P 4H-SiC, cristallo singolo |
Tipo P 6H-SiC, cristallo singolo |
| Parametri del reticolo |
a=3,082 Å c=10,092 Å |
a=3,09 Å
c=15,084 Å
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| Sequenza di impilazione |
ABCB |
ACBABC |
| Durezza di Mohs |
≈9.2 |
≈9.2 |
| Densità |
3.23 g/cm3 |
30,0 g/cm3 |
| Coefficiente di espansione termico |
4.3×10-6/K (Caxis) 4.7×10-6/K (Caxis) |
4.3×10-6/K (Caxis) 4.7×10-6/K (Caxis) |
| Indice di rifrazione @750nm |
no = 2.621 ne = 2.671 |
no=2.612 ne=2.651 |
| Costante dielettrico |
c~9.66 |
c~9.66 |
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Conduttività termica
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3-5 W/cm·K@298K
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3-5 W/cm·K@298K
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| Band-Gap |
3.26 eV |
30,02 eV |
| Campo elettrico di rottura |
2-5×106V/cm |
2-5×106V/cm |
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Velocità della deriva di saturazione
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2.0×105m/s |
2.0×105m/s |
Campioni di substrato SiC di tipo P
Di noi
La nostra impresa, ZMSH, è specializzata nella ricerca, produzione, lavorazione e vendita di substrati semiconduttori e materiali cristallini ottici.
Abbiamo un team di ingegneri esperti, esperienza di gestione, attrezzature di elaborazione di precisione e strumenti di prova,che ci fornisce capacità estremamente forti nella lavorazione di prodotti non standard.
Possiamo ricercare, sviluppare e progettare vari nuovi prodotti in base alle esigenze del cliente.
L'azienda aderirà al principio "centrata sul cliente, basata sulla qualità" e si sforzerà di diventare un'impresa di alta tecnologia di primo livello nel campo dei materiali optoelettronici.
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Domande frequenti
1D: Rispetto alla N-Type, che ne dici della P-Type?
R: I substrati P-Type 4H-SiC, dopati con elementi trivalenti come l'alluminio, hanno buchi come vettori principali, fornendo una buona conducibilità e stabilità ad alte temperature.Substrati di tipo N, dopati con elementi pentavalenti come il fosforo, hanno elettroni come portatori di maggioranza, il che di solito si traduce in una maggiore mobilità elettronica e una minore resistività.
2. D: Quali sono le prospettive di mercato per il P-Type SiC?
R: Le prospettive di mercato per il SiC di tipo P sono molto positive, trainate dalla crescente domanda di elettronica di potenza ad alte prestazioni per veicoli elettrici, sistemi di energia rinnovabile,e applicazioni industriali avanzate.
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