Riassunto tecnico di un wafer epitaxial SiC da 6 pollici 6 pollici di SiC Epitaxial Wafer Diametro 150mm N tipo P tipo per la comunicazione 5G Come materiale di base per la fabbricazione di dispositivi di ... Leggi di più
Wafer epitaxial SiC da 4 pollici Wafer epitaxial SiC da 4 pollici 4H-N Diametro 100 mm Spessore 350 μm Prime Grade Come materiale di base per la fabbricazione di dispositivi di alimentazione a carburo di ... Leggi di più
2 pollici di Wafer epitaxial SiC 4H panoramica 2 pollici di diametro 50,8 mm 4H-N tipo SiC Wafer epitaxial per sensori ad alta temperatura ZMSH è un fornitore leader a livello mondiale di soluzioni per ... Leggi di più
4H-N 2/3/4/6/8/12 pollici di carburo di silicio (SiC) Substrato Questa serie di prodotti fornisce substrati di carburo di silicio (SiC) di alta purezza in più diametri (2", 3", 4", 6", 8" e 12"), progettati ... Leggi di più
HPSI Wafer SiC semi-isolatrici ad alta purezza I wafer in carburo di silicio (SiC) HPSI (High Purity Semi-Isolating) sono substrati semiconduttori avanzati progettati per applicazioni ad alta frequenza, alta ... Leggi di più
Abstract diWafer a base di SiCOI 4 pollici 6 pollici 8 pollici 4H-SiCOI Wafers SiC composito su substrati isolanti I wafer SICOI (Silicon Carbide on Insulator) rappresentano una tecnologia avanzata di ... Leggi di più
Abstract diWafer di semi di SiC Dischi di semi di cristalli di SiC Dia 205 203 208 Crescita PVT/HTCVD di grado di produzione Le Wafer a cristallo di semi di carburo di silicio (SiC) sono i materiali fondamenta... Leggi di più
Abstract diOfrelle di semi di SiC Wafer di semi di SiC 4H N tipo Dia 153 155 2 pollici-12 pollici personalizzato Usato per la produzione di MOSFET I wafer cristallini di semi di carburo di silicio (SiC) ... Leggi di più
Abstract diEffettore finale per la manipolazione dei wafer Sic ceramica portante personalizzato Effettore termico per la manipolazione dei wafer L'effettore termico per la movimentazione dei wafer, realizzato ... Leggi di più
Riassunto della piastra portante del SiC Placca portante rivestita in SiC ad alta purezza per la movimentazione e il trasferimento delle wafer La piastra portante SiC (SiC Carbide Carrier Plate) è un ... Leggi di più