Substrato SiC di tipo 4H-N Wafer 10x10mm per elettronica di potenza

Il wafer piccolo 4H-N SiC da 10*10 mm è un substrato semiconduttore ad alte prestazioni basato sul carburo di silicio (SiC), un materiale semiconduttore di terza generazione. Fabbricato tramite Physical Vapor Transport (PVT) o High-Temperature Chemical Vapor Deposition (HTCVD), è disponibile nei politipi 4H-SiC o 6H-SiC e nelle configurazioni di drogaggio di tipo N o P. Con tolleranze dimensionali entro ±0,05 mm e rugosità superficiale Ra < 0,5 nm, ogni wafer è pronto per l'epitassia e viene sottoposto a rigorose ispezioni, tra cui la validazione della cristallinità XRD e l'analisi dei difetti tramite microscopia ottica.

• Elevata Conducibilità Termica: 490 W/m·K, tre volte quella del silicio, che consente un'efficiente dissipazione del calore.
• Resistenza alla Rottura: 2,4 MV/cm, supportando il funzionamento ad alta tensione e ad alta frequenza.
• Stabilità alle Alte Temperature: Funzionamento fino a 600°C con bassa espansione termica (4,0*10⁻⁶/K).
• Durabilità Meccanica: Durezza Vickers 28–32 GPa, resistenza alla flessione >400 MPa.
• Supporto alla Personalizzazione: Orientamento, spessore, drogaggio e geometria regolabili.

• Inverter di potenza per veicoli elettrici (guadagno di efficienza del 3–5%)
• Amplificatori di potenza RF 5G (bande 24–39 GHz)
• Convertitori HVDC per smart grid e azionamenti per motori industriali
• Sensori aerospaziali e sistemi di alimentazione satellitari
• LED UV e diodi laser

1. Substrato 4H-N SiC, 5*5 mm, 350 μm (Grado Prime/Dummy)
2. Wafer SiC di forma personalizzata con metallizzazione sul retro

D: Quali sono le applicazioni tipiche dei wafer SiC da 10*10 mm?

R: Ideali per la prototipazione di dispositivi di potenza (MOSFET/diodi), componenti RF e optoelettronica ad alta temperatura.

D: Come si confronta il SiC con il silicio?

R: Il SiC offre una tensione di rottura 10* volte superiore, una conducibilità termica 3* volte migliore e prestazioni superiori alle alte temperature.

1. Catena di produzione completa dal taglio alla pulizia finale e all'imballaggio.
2. Capacità di recuperare wafer con diametri da 4 pollici a 12 pollici.
3. 20 anni di esperienza nella fabbricazione e nel recupero di materiali elettronici monocristallini

ZMSH Technology può fornire ai clienti substrati SiC conduttivi, semi-isolanti da 2-6 pollici e HPSI (High Purity Semi-insulating) di alta qualità in lotti; Inoltre, può fornire ai clienti fogli epitassiali in carburo di silicio omogenei ed eterogenei e può anche essere personalizzato in base alle esigenze specifiche dei clienti, senza quantità minima d'ordine.

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