Wafer in carburo di silicio monocristallino SiC da 12 pollici 300 mm 4H 6H per dispositivi di alimentazione e LED

Panoramica del prodotto:

ZMSH fornisce wafer di carburo di silicio (SiC) monocristallino da 12 pollici (300 mm) di alta qualità, coltivati ​​utilizzando il metodo Physical Vapor Transport (PVT). Il carburo di silicio è un semiconduttore ad ampio gap di banda con eccellenti proprietà elettriche e termiche, tra cui elevata conduttività termica, elevata tensione di rottura, elevata mobilità degli elettroni e elevata velocità di deriva saturata, che lo rendono ideale per elettronica di potenza avanzata, MOSFET ad alta tensione, diodi Schottky, IGBT e dispositivi optoelettronici basati su GaN.

I wafer SiC da 12 pollici di ZMSH sono ottimizzati per una bassa densità di dislocazione del piano basale (BPD), consentendo prestazioni e affidabilità superiori del dispositivo. I nostri wafer sono ampiamente utilizzati in applicazioni ad alta potenza, alta temperatura e alta frequenza sia in ambienti industriali che di ricerca.

Caratteristiche principali

Applicazioni

1. Elettronica di potenza:

• MOSFET SiC, diodi PiN, diodi Schottky (SBD), diodi JBS, IGBT e BJT SiC.

• Raddrizzatori ad alta tensione (3kV–12kV) e moduli di potenza ad alta efficienza.

• Consente sistemi elettronici di potenza più piccoli, più leggeri e più efficienti rispetto ai dispositivi basati sul silicio.

2. Dispositivi optoelettronici:

• LED e diodi laser basati su GaN.

• L'eccellente abbinamento del reticolo con gli strati epitassiali GaN garantisce un'elevata efficienza di estrazione della luce e una maggiore durata del dispositivo.

• La conduttività termica superiore (10× zaffiro) consente una migliore dissipazione del calore nei LED ad alta potenza.

3. Dispositivi di ricerca e avanzati:

• Dispositivi elettronici ad alta frequenza e ad alta temperatura.

• Materiale per studi sperimentali sulla riduzione del BPD, sul controllo delle lussazioni e sui dispositivi SiC di prossima generazione.

Vantaggi

1. Bassa densità BPD:

   • La crescita ottimizzata del PVT, il legame dei semi e i processi di raffreddamento riducono la densità di dislocazione del piano basale, migliorando l'affidabilità del dispositivo.

   • I risultati sperimentali mostrano che le densità BPD possono essere ridotte al di sotto di 1000 cm⁻² in wafer di grande diametro.

2. Elevate prestazioni termiche ed elettriche:

   • L'elevata conduttività termica e le proprietà dielettriche consentono un'efficiente diffusione del calore e un funzionamento stabile ad alta tensione.

   • L'elevata mobilità degli elettroni e l'ampio gap di banda garantiscono una bassa perdita di energia e prestazioni superiori alle alte temperature.

3. Grande dimensione del wafer da 12 pollici:

   • Supporta moduli di alimentazione e substrati LED di nuova generazione.

   • Spessore, orientamento e resistività personalizzabili per requisiti specifici del dispositivo.

4. Superficie e lucidatura di alta qualità:

   • Opzioni lucidate su un lato o su due lati con rugosità superficiale ultrabassa (Ra ≤ 5Å).

   • Riduce al minimo i difetti e massimizza l'uniformità della crescita epitassiale.

5. Imballaggio per camere bianche:

   • Ogni wafer è confezionato singolarmente in un ambiente pulito di grado 100 per prevenire la contaminazione.

Impegno ZMSH

ZMSH si dedica alla fornitura di wafer SiC da 12 pollici ad alte prestazioni con densità di dislocazione controllata ed elevata riproducibilità. I nostri wafer sono ideali per l'elettronica di potenza, l'optoelettronica e la ricerca sui semiconduttori di prossima generazione. Supportiamo specifiche personalizzate per soddisfare le vostre esigenze applicative industriali o di ricerca.

Domande frequenti

D1: Qual è la densità tipica di dislocazione del piano basale (BPD) dei wafer SiC ZMSH da 12 pollici?
R1: I nostri wafer 4H-SiC e 6H-SiC da 12 pollici vengono coltivati ​​utilizzando processi PVT ottimizzati con velocità di raffreddamento controllate, bonding dei semi e selezione del crogiolo di grafite. Ciò garantisce che la densità BPD possa essere ridotta al di sotto di 1.000 cm⁻², migliorando significativamente l'affidabilità del dispositivo nelle applicazioni ad alta potenza e alta tensione.

Q2: È possibile personalizzare lo spessore, l'orientamento o la resistività del wafer?
R2: Sì. ZMSH supporta specifiche wafer completamente personalizzabili, inclusi spessore (0,35–1,0 mm), orientamento fuori asse (<0001> 4° o altri angoli) e resistività (tipo N 0,015–0,028 Ω·cm o semi-isolante >1×10⁵ Ω·cm). Questa flessibilità consente ai wafer di soddisfare i requisiti specifici di dispositivi di potenza, LED o ricerca sperimentale.

D3: In che modo i wafer SiC ZMSH da 12 pollici apportano vantaggi alle applicazioni LED e diodi laser basati su GaN?
A3: I substrati SiC forniscono un eccellente adattamento reticolare e compatibilità termica con gli strati epitassiali GaN. Rispetto allo zaffiro, il SiC offre una maggiore conduttività termica, capacità di substrato conduttivo per strutture di dispositivi verticali e nessuno strato di diffusione di corrente, con conseguente maggiore efficienza di estrazione della luce, migliore dissipazione del calore e maggiore durata del dispositivo.

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