Wafer in carburo di silicio monocristallino SiC da 12 pollici 300 mm 4H-N 6H-N per dispositivi di potenza e LED

Wafer di silicio carburo monocristallino SiC da 12 pollici 300 mm 4H 6H per dispositivi di potenza e LED

Panoramica del prodotto:

ZMSH fornisce wafer di silicio carburo (SiC) monocristallino di alta qualità da 12 pollici (300 mm), coltivati ​​utilizzando il metodo Physical Vapor Transport (PVT). Il carburo di silicio è un semiconduttore a banda larga con eccellenti proprietà elettriche e termiche, tra cui alta conducibilità termica, alta tensione di rottura, alta mobilità degli elettroni e alta velocità di deriva satura, che lo rende ideale per l'elettronica di potenza avanzata, MOSFET ad alta tensione, diodi Schottky, IGBT e dispositivi optoelettronici basati su GaN.

I wafer SiC da 12 pollici di ZMSH sono ottimizzati per una bassa densità di dislocazione del piano basale (BPD), consentendo prestazioni e affidabilità superiori del dispositivo. I nostri wafer sono ampiamente utilizzati in applicazioni ad alta potenza, alta temperatura e alta frequenza sia in ambienti industriali che di ricerca.

Caratteristiche principali

Applicazioni

1. Elettronica di potenza:

• MOSFET SiC, diodi PiN, diodi Schottky (SBD), diodi JBS, IGBT e BJT SiC.

• Raddrizzatori ad alta tensione (3kV–12kV) e moduli di alimentazione ad alta efficienza.

• Consente sistemi elettronici di potenza più piccoli, leggeri ed efficienti rispetto ai dispositivi basati sul silicio.

2. Dispositivi optoelettronici:

• LED e diodi laser basati su GaN.

• L'eccellente adattamento del reticolo con gli strati epitassiali GaN garantisce un'elevata efficienza di estrazione della luce e una maggiore durata del dispositivo.

• La conducibilità termica superiore (10× zaffiro) consente una migliore dissipazione del calore nei LED ad alta potenza.

3. Ricerca e dispositivi avanzati:

• Dispositivi elettronici ad alta frequenza e alta temperatura.

• Materiale per studi sperimentali sulla riduzione del BPD, il controllo delle dislocazioni e i dispositivi SiC di nuova generazione.

Vantaggi

1. Bassa densità BPD:

   • La crescita PVT ottimizzata, il seed bonding e i processi di raffreddamento riducono la densità di dislocazione del piano basale, migliorando l'affidabilità del dispositivo.

   • I risultati sperimentali mostrano che le densità BPD possono essere ridotte al di sotto di 1000 cm⁻² in wafer di grande diametro.

2. Prestazioni termiche ed elettriche elevate:

   • L'elevata conducibilità termica e le proprietà dielettriche consentono un'efficiente diffusione del calore e un funzionamento stabile ad alta tensione.

   • L'elevata mobilità degli elettroni e il largo bandgap garantiscono una bassa perdita di energia e prestazioni superiori alle alte temperature.

3. Grandi dimensioni del wafer da 12 pollici:

   • Supporta moduli di alimentazione e substrati LED di nuova generazione.

   • Spessore, orientamento e resistività personalizzabili per specifici requisiti del dispositivo.

4. Superficie e lucidatura di alta qualità:

   • Opzioni lucidate su un lato o su entrambi i lati con rugosità superficiale ultra-bassa (Ra ≤ 5Å).

   • Riduce al minimo i difetti e massimizza l'uniformità della crescita epitassiale.

5. Imballaggio in camera bianca:

   • Ogni wafer è confezionato singolarmente in un ambiente pulito di grado 100 per prevenire la contaminazione.

Impegno ZMSH

ZMSH si impegna a fornire wafer SiC da 12 pollici ad alte prestazioni con densità di dislocazione controllata ed elevata riproducibilità. I nostri wafer sono ideali per l'elettronica di potenza, l'optoelettronica e la ricerca sui semiconduttori di nuova generazione. Supportiamo specifiche personalizzate per soddisfare le esigenze delle vostre applicazioni industriali o di ricerca.

FAQ

Q1: Qual è la tipica densità di dislocazione del piano basale (BPD) dei wafer SiC da 12 pollici ZMSH?
A1: I nostri wafer 4H-SiC e 6H-SiC da 12 pollici sono coltivati ​​utilizzando processi PVT ottimizzati con velocità di raffreddamento controllate, seed bonding e selezione del crogiolo di grafite. Ciò garantisce che la densità BPD possa essere ridotta al di sotto di 1000 cm⁻², il che migliora significativamente l'affidabilità del dispositivo in applicazioni ad alta potenza e alta tensione.

Q2: È possibile personalizzare lo spessore, l'orientamento o la resistività del wafer?
A2: Sì. ZMSH supporta specifiche del wafer completamente personalizzabili, tra cui spessore (0,35–1,0 mm), orientamento fuori asse (<0001> 4° o altri angoli) e resistività (tipo N 0,015–0,028 Ω·cm o semi-isolante >1×10⁵ Ω·cm). Questa flessibilità consente ai wafer di soddisfare i requisiti specifici di dispositivi di alimentazione, LED o ricerche sperimentali.

Q3: In che modo i wafer SiC da 12 pollici ZMSH avvantaggiano le applicazioni di diodi laser e LED basati su GaN?
A3: I substrati SiC forniscono un eccellente adattamento del reticolo e compatibilità termica con gli strati epitassiali GaN. Rispetto allo zaffiro, il SiC offre una maggiore conducibilità termica, capacità di substrato conduttivo per strutture di dispositivi verticali e nessun strato di diffusione di corrente, con conseguente maggiore efficienza di estrazione della luce, migliore dissipazione del calore e maggiore durata del dispositivo.