12 pollici 300 mm SiC Silicon Carbide Wafer 4H-N Tipo Dummy Prime Research Grade Applicazioni multiple Introduzione del prodotto SiC, comunemente indicato come carburo di silicio, è un composto formato dalla ... Leggi di più
12 pollici Diametro 300 mm SIC Substrato Epitaxial Wafer lucidato Silicio Carburo Ingot Prime Grade 4H Tipo Conduttore Solare fotovoltaico Introduzione del prodotto Il substrato SiC da 12 pollici è un grande ... Leggi di più
2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 12 pollici Wafer di carburo di silicio SiC 4H-N Dumb Grade Rrime Grade Materiali semiconduttori ad alta durezza Riguardo al Wafer SiC Il wafer di carburo di silicio è un ... Leggi di più
Descrizione del prodotto: Sic wafer in carburo di silicio tipo 4H-P sull'asse 0°Utilizzato per la fabbricazione di dispositivi ad alta potenza Il substrato di carburo di silicio di tipo 4H-P è un materiale ... Leggi di più
Descrizione del prodotto: 2 pollici / 4 pollici / 6 pollici Sic Substrato di carburo di silicio 4H-P Tipo di asse disattivato: 2,0° verso il grado di produzione Il materiale di carburo di silicio di tipo 4H-P ... Leggi di più
Descrizione del prodotto: 2 pollici/4 pollici/6 pollici/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrato di carburo di silicio Tipo 3C-N Sull'asse: < 111 > ± 0,5° Grado di produzione Grado finto Il substrato di carburo di ... Leggi di più
Descrizione del prodotto: 2 pollici 4 pollici 6 pollici Sic carburo di silicio substrato 6H Alto P-doped Tipo Off asse: 4.0° verso Prime Grade Dummy Grade Il carburo di silicio (SiC) è un materiale semicondutto... Leggi di più
Descrizione del prodotto: Wafer di carburo di silicio Sic 6H-P tipo Off asse: 2,0° verso la produzione grado grado di ricerca Il tipo 6H-P Sic è costituito da un processo avanzato di preparazione del materiale ... Leggi di più
Descrizione del prodotto: Sic Substrato di carburo di silicio tipo 6H-P sull'asse 0° Durezza di Mohs 9.2 per dispositivo laser Il substrato di carburo di silicio di tipo 6H-P è un materiale semiconduttore ... Leggi di più