3 pollici HPSI Carburo di silicio SiC Spessore del substrato 500um Prime Grade Dummy Grade Research Grade Traslucido

3 pollici HPSI Carburo di silicio SiC Spessore del substrato 500um Prime Grade Dummy Grade Research Grade Traslucido

Riguardo all' HPSI

L' HPSI SiC wafer è un materiale semiconduttore avanzato, ampiamente utilizzato nei dispositivi elettronici in ambiente ad alta potenza, alta frequenza e alta temperatura.proprietà di semi-isolamento, ampio intervallo di banda, elevata conduttività termica, resistenza alle alte temperature. Può essere applicato in elettronica di potenza, dispositivi RF, sensori ad alta temperatura.

I wafer HPSI SiC sono diventati materiali importanti per i moderni dispositivi elettronici ad alta tecnologia a causa delle loro eccellenti proprietà elettriche e termiche.il suo campo di applicazione continuerà ad espandersi.

- Sì.

Proprietà del 4H-SEMI SiC

-Alta purezza: i wafer HPSI SiC riducono l'impatto delle impurità e migliorano le prestazioni e l'affidabilità del dispositivo.

-Proprietà di semi-isolamento: questo wafer ha buone proprietà di semi-isolamento, in grado di sopprimere efficacemente le correnti parassitarie ed è adatto per applicazioni ad alta frequenza.

-L'intervallo di banda ampia: il SiC ha un intervallo di banda ampia (circa 3,3 eV), che lo rende eccellente in ambienti ad alta temperatura, alta potenza e radiazioni.

-Alta conduttività termica: il carburo di silicio ha una elevata conduttività termica, che aiuta a dissipare il calore e migliora la stabilità di lavoro e la durata del dispositivo.

-Resistenza alle alte temperature: il SiC può funzionare in modo stabile ad alte temperature ed è adatto per applicazioni in ambienti estremi.

Caratteristiche delHPSI SiC

* Si prega di contattarci se avete richieste personalizzate.

Applicazione dell'HPSI

- elettronica di potenza: utilizzata per la fabbricazione di convertitori e inverter di potenza efficienti, ampiamente utilizzati nei veicoli elettrici, nelle energie rinnovabili e nei sistemi di trasmissione di potenza.

- Dispositivi RF: nei sistemi di comunicazione e radar, le onde SiC possono migliorare la potenza di elaborazione del segnale e la risposta di frequenza.

- Sensori ad alta temperatura: sensori ad alta temperatura per petrolio, gas e aerospaziale.

Domande frequenti

1. Q:Qual è la differenza tra SI e SiC?

A:SiC è un semiconduttore a banda larga con una larghezza di banda da 2,2 a 3,3 elettroni volt (eV).

2D:Perché il carburo di silicio è così costoso?

A: Perché sLa fabbricazione di prodotti a carburo di silicio è difficile e richiede processi di produzione complessi come l'elevata temperatura e l'alta pressione.