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Wafer SICOI da 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici 4H-SiC su isolante, film di SiC da 100 a 150 mm SU silicio

Name: Wafer SICOI da 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici 4H-SiC su isolante, film di SiC da 100 a 150 mm SU silicio
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: SICOI Wafers
Price: 315.00 USD
Availability: InStock

Marchio:	ZMSH
Numero di modello:	SICOI Wafers
MOQ:	25
prezzo:	by case
Tempo di consegna:	2-4weeks
Condizioni di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione di prodotto

Informazioni dettagliate

Place of Origin:

CHINA

Certificazione:

rohs

Size:

4inch/6inch/8inch

Surface Roughness:

Ra<0.5nm

Fracture Toughness:

3.5 MPa·m¹/²

CTE (4H-SiC):

4.2×10⁻⁶/K

Resistivity (SI):

>1×10⁶ Ω·cm

Applications:

High-Power Electronics,RF Devices

Packaging Details:

package in 100-grade cleaning room

Evidenziare:

Wafer 4H-SiC su isolante

Wafer SICOI da 100 a 150 mm

Film di SiC sul substrato di silicio

Descrizione di prodotto

SICOI Wafers Overview

4 pollici 6 pollici 8 pollici SICOI wafer 4H-SiC su isolante 100 a 150 mm sic film su silicio

SICOI (Silicon Carbide on Insulator) wafers represent a high-performance semiconductor substrate material that combines the exceptional physical properties of silicon carbide (SiC) with the electrical isolation advantages of an insulating layer (such as SiO₂ or Si₃N₄)La struttura SICOI è costituita tipicamente da uno strato monocristallino di SiC, uno strato isolante e un substrato di supporto (ad esempio, Si o SiC).Questa configurazione trova ampie applicazioni in alta potenza, apparecchi elettronici ad alta frequenza e ad alta temperatura, nonché nei campi dei sensori RF (Radio Frequency) e MEMS.

Rispetto ai Wafer SiC convenzionali, i Wafer SICOI riducono significativamente la capacità parassitaria e la corrente di fuga grazie all'incorporazione di uno strato isolante,migliorando così la frequenza di funzionamento e l'efficienza energetica dei dispositiviQuesta tecnologia è particolarmente adatta per applicazioni che richiedono resistenza ad alta tensione, basse perdite e prestazioni termiche superiori, come i veicoli elettrici, le comunicazioni 5G,e elettronica aerospaziale.

Caratteristiche chiave delle cialde SICOI

Categoria di caratteristiche

Parametri specifici/prestazioni

Vantaggi tecnici

Struttura del materiale

Strato monocristallino di SiC (4H/6H-SiC) + strato isolante (SiO2/Si3N4) + substrato di supporto (Si/SiC)

Consente l' isolamento elettrico e riduce gli effetti dei parassiti

Prestazioni elettriche

Alta resistenza del campo di rottura (> 3 MV/cm), bassa perdita dielettrica

Ideale per dispositivi ad alta frequenza e ad alta tensione

Performance termica

Alta conduttività termica (4,9 W/cm·K), resistenza alle alte temperature (> 500°C)

Eccellente capacità di dissipazione del calore, adatta ad ambienti ad alta temperatura

Performance meccanica

Alta durezza (durezza di Mohs 9,5), basso coefficiente di espansione termica

Resiste allo stress meccanico e migliora l'affidabilità del dispositivo

Qualità della superficie

Superficie atomicamente piana (Ra < 0,2 nm)

Ottimizza la qualità della crescita epitaxiale e riduce al minimo i difetti

Performance dell'isolamento

Alta resistenza all'isolamento (> 1014 Ω·cm), bassa corrente di fuga

Adatto a dispositivi RF e di potenza che richiedono un elevato isolamento

Dimensioni e personalizzazione

Supporta wafer da 4/6/8 pollici con spessore personalizzabile (strato SiC: 1-100 μm, strato isolante: 0,1-10 μm)

Risponde a diversi requisiti applicativi

Wafer SICOI Applicazioni primarie

Campo di applicazione	Scenari specifici	Principali vantaggi
elettronica ad alta potenza	Invertitori per veicoli elettrici, stazioni di ricarica rapida, moduli di alimentazione industriali	Risistenza ad alta tensione e basse perdite migliorano l'efficienza energetica
Dispositivi RF	Amplificatori di potenza della stazione base 5G (PA), frontend RF a onde millimetriche	La bassa capacità parassitaria consente un funzionamento ad alta frequenza con perdite minime
Sensori MEMS	Sensori di pressione ad alta temperatura, dispositivi di navigazione inerziale	Resiste alle alte temperature e alle radiazioni, adatto ad ambienti difficili
Aerospaziale	Sistemi di alimentazione degli aeromobili, apparecchiature di comunicazione satellitare	Alta affidabilità e resistenza alle temperature estreme
Griglia intelligente	Trasmissione di corrente continua ad alta tensione (HVDC), interruttori a stato solido	Le elevate proprietà di isolamento riducono le perdite energetiche
Optoelettronica	LED UV, substrati a diodo laser	Un'alta corrispondenza tra i reticolati migliora le prestazioni del dispositivo

Il processo di preparazione del 4H-SiCOI

Il processo di fabbricazione del 4H-SiCOI e dei microresonatori con caratteristiche evidenziate.

un processo di fabbricazione di una piattaforma di materiale 4H-SiCOI incontaminato.
b Fotografia di un substrato 4H-SiCOI a scala wafer di 4 pollici fabbricato utilizzando il metodo di incollaggio e diradamento, la regione di guasto è contrassegnata.
c variazione totale dello spessore del substrato 4H-SiCOI.
d Immagine di un dado 4H-SiCOI.
e diagramma di processo di fabbricazione di un risonatore a microdisco SiC.
f Micrografia elettronica di scansione (SEM) del risonatore a microdisco fabbricato.
g Immagine SEM in zoom della parete laterale del risonatore. Inserimento, scansione della superficie superiore del risonatore con la micrografia a forza atomica (AFM) (Scale bar = 1 μm).
h immagine SEM a vista laterale del risonatore fabbricato con superficie superiore a forma parabolica.

Wafer SICOI da 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici 4H-SiC su isolante, film di SiC da 100 a 150 mm SU silicio 2

Wafer SICOIDomande e risposte

1D: Cos'è il wafer SICOI?
A: SICOI (Silicon Carbide on Insulator) wafer is an advanced semiconductor substrate combining SiC's high-performance properties with an insulating layer for enhanced electrical isolation in power and RF devices.

2D: Quali sono i vantaggi dei wafer SICOI?
R: I wafer SICOI offrono una minore capacità parassitaria, una maggiore tensione di rottura e una migliore gestione termica rispetto ai wafer SiC standard, ideali per le applicazioni 5G ed EV.

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