Substrato 3C-SiC di tipo N per applicazioni 5G

ZMSH è specializzata nella ricerca e sviluppo e nella produzione di materiali semiconduttori di terza generazione, con oltre un decennio di esperienza nel settore. Forniamo servizi personalizzati per materiali semiconduttori come zaffiro, wafer di silicio e SOI. Nel campo del carburo di silicio (SiC), copriamo substrati di tipo 4H/6H/3C, supportando la fornitura a grandezza naturale da wafer da 2 pollici a 12 pollici, con personalizzazione flessibile per soddisfare le esigenze dei clienti, realizzando servizi integrati di industria e commercio.

I nostri substrati SiC sono progettati per dispositivi di potenza ad alta frequenza e applicazioni automobilistiche (ad esempio, inverter EV), offrendo stabilità termica fino a 1.600°C e conducibilità termica di 49 W/m·K, superando le alternative a base di silicio. Aderiamo agli standard internazionali e deteniamo certificazioni per materiali di grado aerospaziale, garantendo la compatibilità con ambienti estremi.

1. Copertura multi-dimensione:

• Dimensioni standard: 2 pollici, 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici.
• Dimensioni personalizzabili: da 5×5 mm a specifiche su misura.

2. Bassa densità di difetti:

• Densità di microvuoti <0,1 cm⁻², resistività ≤0,0006 Ω·cm, garantendo un'elevata affidabilità del dispositivo.3. Compatibilità del processo:

Il substrato 3C-SiC è adatto per l'ossidazione ad alta temperatura, la litografia e altri processi complessi.

• Planarità della superficie: λ/10 @632,8 nm, ideale per la produzione di dispositivi di precisione.Proprietà dei materiali del substrato 3C-SiC
• 1. Vantaggi elettrici:

Elevata mobilità degli elettroni: 3C-SiC raggiunge 1.100 cm²/V·s, superando significativamente 4H-SiC (900 cm²/V·s), riducendo le perdite di conduzione.

Ampia banda proibita: la banda proibita di 3,2 eV consente un'elevata tolleranza alla tensione (fino a 10 kV).

• 2. Prestazioni termiche:
• Elevata conducibilità termica: 49 W/m·K, superiore al silicio, supportando il funzionamento stabile da -200°C a 1.600°C.

3. Stabilità chimica:

• Resistente ad acidi/alcali e radiazioni, adatto per applicazioni aerospaziali e nucleari.

Materiale del substrato 3C-SiC

• Parametro tecnico

± 0,5° Grado di produzione Grado fittizioFAQ sui substrati 3C-SiCQ1: Cos'è il substrato 3C-SiC?

A1: 3C-SiC (carburo di silicio cubico) è un materiale semiconduttore con una struttura cristallina cubica, che offre un'elevata mobilità degli elettroni (1.100 cm²/V·s) e conducibilità termica (49 W/m·K), ideale per applicazioni ad alta frequenza e ad alta temperatura.