Substrato 3C-SiC Tipo N Grado del prodotto per comunicazioni 5G
ZMSH è specializzata nella ricerca e sviluppo e nella produzione di materiali semiconduttori di terza generazione, con oltre un decennio di esperienza nel settore. Forniamo servizi personalizzati per materiali semiconduttori come zaffiro, wafer di silicio e SOI. Nel campo del carburo di silicio (SiC), copriamo substrati di tipo 4H/6H/3C, supportando la fornitura a grandezza naturale da wafer da 2 pollici a 12 pollici, con personalizzazione flessibile per soddisfare le esigenze dei clienti, realizzando servizi integrati di industria e commercio.
I nostri substrati SiC sono progettati per dispositivi di potenza ad alta frequenza e applicazioni automobilistiche (ad esempio, inverter EV), offrendo stabilità termica fino a 1.600°C e conducibilità termica di 49 W/m·K, superando le alternative a base di silicio. Aderiamo agli standard internazionali e deteniamo certificazioni per materiali di grado aerospaziale, garantendo la compatibilità con ambienti estremi.
1. Dispositivi di potenza ad alta frequenza:
Caratteristiche principali del substrato 3C-SiC
1. Copertura multi-dimensione:
- Dimensioni standard: 2 pollici, 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici.
- Dimensioni personalizzabili: da 5×5 mm a specifiche su misura.
2. Bassa densità di difetti:
- Densità di microvuoti <0,1 cm⁻², resistività ≤0,0006 Ω·cm, garantendo un'elevata affidabilità del dispositivo.3. Compatibilità del processo:
Il substrato 3C-SiC è adatto per l'ossidazione ad alta temperatura, la litografia e altri processi complessi.
- Planarità della superficie: λ/10 @632,8 nm, ideale per la produzione di dispositivi di precisione.Proprietà dei materiali del substrato 3C-SiC
- 1. Vantaggi elettrici:
Elevata mobilità degli elettroni: 3C-SiC raggiunge 1.100 cm²/V·s, superando significativamente 4H-SiC (900 cm²/V·s), riducendo le perdite di conduzione.
Ampia banda proibita: la banda proibita di 3,2 eV consente un'elevata tolleranza alla tensione (fino a 10 kV).
- 2. Prestazioni termiche:
- Elevata conducibilità termica: 49 W/m·K, superiore al silicio, supportando il funzionamento stabile da -200°C a 1.600°C.
3. Stabilità chimica:
- Resistente ad acidi/alcali e radiazioni, adatto per applicazioni aerospaziali e nucleari.
Materiale del substrato 3C-SiC
Grado
| 1. Dispositivi di potenza ad alta frequenza:Grado di produzione standard (Grado P) |
Grado fittizio (Grado D) |
Diametro |
145,5 mm–150,0 mm |
| Spessore |
350 μm ±25 μm |
| Orientamento del wafer |
Fuori asse: 2,0°-4,0° verso [1120] ± 0,5° per 4H/6H-P, In asse: ⟨111⟩ ± 0,5° per 3C-N |
| ** Densità dei micropipe |
0 cm⁻² |
| ** Resistività |
tipo p 4H/6H-P |
| ≤0,1 Ω·cm |
≤0,3 Ω·cm
|
tipo n 3C-N |
≤0,8 mΩ·cm |
| ≤1 mΩ·cm |
Orientamento piatto primario |
4H/6H-P |
| {1010} ±5,0° |
3C-N |
{110} ±5,0° |
| Lunghezza piatta primaria |
32,5 mm ±2,0 mm |
| Lunghezza piatta secondaria |
18,0 mm ±2,0 mm |
| Orientamento piatto secondario |
Lato silicio in alto, 90° CW. da piatto primario ±5,0° |
| Esclusione dei bordi |
3 mm |
| 6 mm |
LTV/TIV/Curvatura/Deformazione |
≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm |
| ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm |
* Rugosità |
Lucidatura |
| Ra≤1 nm |
CMPRa≤0,2 nm |
| Ra≤0,5 nmFessure sui bordi con luce ad alta intensità |
Nessuna |
| Lunghezza cumulativa≤10 mm, lunghezza singola≤2 mm |
Cassetta multi-wafer o contenitore per singolo wafer |
Area cumulativa≤0,05% |
| Area cumulativa≤0,1% |
Nessuno |
Nessuna |
| Area cumulativa≤3% |
Cassetta multi-wafer o contenitore per singolo wafer |
Nessuna |
| Area cumulativa≤0,05% |
Cassetta multi-wafer o contenitore per singolo wafer |
Nessuno |
| Lunghezza cumulativa≤1×diametro del wafer |
Cassetta multi-wafer o contenitore per singolo wafer |
Nessuna consentita≥0,2 mm di larghezza e profondità |
| 5 consentite, ≤1 mm ciascuna |
Contaminazione della superficie del silicio ad alta intensità |
Nessuna |
| Imballaggio |
Cassetta multi-wafer o contenitore per singolo wafer |
| Note: |
* I limiti dei difetti si applicano all'intera superficie del wafer, ad eccezione dell'area di esclusione dei bordi. |
*
I graffi devono essere controllati solo sulla faccia Si.
Scenari applicativi per i substrati 3C-SiC
1. Dispositivi di potenza ad alta frequenza:
Stazioni base di comunicazione 5G: i substrati 3C-SiC fungono da substrati per dispositivi RF, consentendo la trasmissione del segnale mmWave per comunicazioni ad alta velocità.
Sistemi radar: le caratteristiche a bassa perdita minimizzano l'attenuazione del segnale, migliorando la precisione del rilevamento.
- 2. Veicoli elettrici (EV):
- Caricabatterie di bordo (OBC): i substrati 3C-SiC riducono la perdita di energia del 40%, riducendo i tempi di ricarica per le piattaforme a 800 V.
Convertitori CC/CC: i substrati 3C-SiC riducono le perdite di energia dell'80–90%, migliorando l'autonomia di guida.
- 3. Industriale ed energia:
- Inverter solari: aumenta l'efficienza dell'1–3%, riduce il volume del 40–60% e resiste ad ambienti difficili.
Reti intelligenti: riduce le dimensioni/il peso delle apparecchiature e le esigenze di raffreddamento, riducendo i costi dell'infrastruttura.
- 4. Aerospaziale:
- Dispositivi resistenti alle radiazioni: i substrati 3C-SiC sostituiscono i componenti a base di silicio nei satelliti e nei razzi, migliorando la resistenza alle radiazioni e la durata.
Consiglia altri modelli di SiC
- 1. Tipo Sic 3C-N Lavorazione delle dimensioni Tipo conduttivo per sistemi radar Grado di produzione Zero MPD
2. Substrato in carburo di silicio Sic da 2 pollici/4 pollici/6 pollici/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Tipo 3C-N In asse:
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