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Wafer epitaxiale SiC da 4H 6 pollici 100μm/200μm/300μm per dispositivo MOS ad ultra-alta tensione (UHV)

Marchio:	ZMSH
Numero di modello:	Wafer epitassiale SIC da 4h 6 pollici
MOQ:	5
prezzo:	by case
Tempo di consegna:	2-4 settimane
Condizioni di pagamento:	T/t

Informazioni dettagliate

Descrizione di prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Cina

Certificazione:

rohs

Misurare:

6 pollici

Spessore:

200-300 um

Materiale:

4H-SiC

tipo di conducibilità:

Tipo n (drogato con azoto)

Resistività:

Qualunque

TTV:

µm del ≤ 10

Arco/filo di ordito:

≤ 20 µm

Confezione:

Chiuso sotto vuoto

Imballaggi particolari:

Pacchetto in sala di pulizia di 100 gradi

Evidenziare:

wafer sic epitassiale 6inch

Wafer SiC per apparecchiature MOS UHV

100 μm di substrato di SiC con garanzia

Descrizione di prodotto

Panoramica del wafer epitassiale SiC

Wafer epitassiale SiC 4H da 6 pollici 100μm/200μm/300μm per dispositivi MOS ad altissima tensione (UHV)

Il wafer epitassiale 4H-SiC è un materiale fondamentale per i dispositivi di potenza al carburo di silicio (SiC), fabbricato su un substrato monocristallino 4H-SiC tramite deposizione chimica da vapore (CVD). La sua struttura cristallina unica e le caratteristiche elettriche lo rendono un substrato ideale per transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo (MOSFET) ad altissima tensione (UHV, >10 kV), diodi Schottky a barriera di giunzione (JBS) e altri dispositivi di potenza. Questo prodotto offre tre spessori di strato epitassiale (100μm, 200μm, 300μm) per applicazioni che vanno da scenari a bassa tensione a UHV, adatti per veicoli a nuova energia (NEV), sistemi di alimentazione industriali e tecnologie di smart grid.

Caratteristica del wafer epitassiale SiC

1. Alta tensione di rottura e bassa resistenza in conduzione

Raggiunge una tensione di rottura (BV) e una resistenza specifica in conduzione (R_sp) bilanciate tramite strutture a pilastri a drogaggio profondo (colonne alternate di tipo n e tipo p). Ad esempio, i MOSFET SJ di classe 5 kV mostrano R_sp fino a 9,5 mΩ·cm² a temperatura ambiente, che salgono a 25 mΩ·cm² a 200°C.
Spessore dello strato epitassiale e concentrazione di drogaggio regolabili (ad esempio, strato da 100μm per dispositivi da 3,3 kV, strato da 300μm che supporta applicazioni >15 kV).

2. Eccezionale stabilità termica e affidabilità

Sfrutta l'elevata conducibilità termica (4,9 W/cm·K) e l'ampia banda proibita (3,2 eV) per operare stabilmente sopra 200°C, riducendo al minimo la complessità della gestione termica.
Impiega l'impianto ionico ad altissima energia (UHEI) (fino a 20 MeV) per ridurre i danni al reticolo, combinato con la ricottura a 1700°C per riparare i difetti, ottenendo una densità di corrente di dispersione < 0,1 mA/cm².

3. Bassa densità di difetti e alta uniformità

I parametri di crescita ottimizzati (rapporto C/Si, strategia di drogaggio HCl) producono una rugosità superficiale (RMS) di 0,4–0,8 nm e una densità di macro-difetti < 1 cm⁻².
L'uniformità del drogaggio (test CV) garantisce una deviazione standard < 15%, garantendo la coerenza del lotto.

4. Compatibilità con processi di fabbricazione avanzati

Supporta il riempimento di trincee e le architetture a pilastri a drogaggio profondo, consentendo progetti a esaurimento laterale per MOSFET UHV con tensioni di rottura superiori a 20 kV.

Applicazioni del wafer epitassiale 4H-SiC

1. Dispositivi di alimentazione ad altissima tensione

Veicoli a nuova energia (NEV): inverter di azionamento principali e caricabatterie di bordo (OBC) per piattaforme a 800 V, che migliorano l'efficienza del 10–15% e consentono la ricarica rapida.
Sistemi di alimentazione industriali: commutazione ad alta frequenza (gamma MHz) in inverter fotovoltaici e trasformatori a stato solido (SST), riducendo le perdite di >30%.

2. Smart grid e accumulo di energia

PCS di accumulo di energia a formazione di rete per la stabilizzazione di reti deboli.
Trasmissione CC ad alta tensione (HVDC) e apparecchiature di distribuzione intelligenti, che raggiungono un'efficienza di conversione energetica >99%.

3. Trasporto ferroviario e aerospaziale

Inverter di trazione e sistemi di alimentazione ausiliari per temperature estreme (-60°C a 200°C) e resistenza alle vibrazioni.

4. Ricerca e produzione high-tech

Materiale fondamentale per i rivelatori di elementi ultra-pesanti (ad esempio, Nh), che consentono il rilevamento di particelle α ad alta temperatura (300°C) con risoluzione energetica < 3%.

Parametri del wafer epitassiale 4H-SiC

Parametro	Specifiche / Valore
Dimensione	6 pollici
Materiale	4H-SiC
Tipo di conduttività	Tipo N (drogato con azoto)
Resistività	QUALSIASI
Angolo fuori asse	4°±0,5° fuori (tipicamente verso la direzione [11-20])
Orientamento cristallino	(0001) Faccia Si
Spessore	200-300 um
Finitura superficiale anteriore	Lucidato CMP (epi-ready)
Finitura superficiale posteriore	Lappato o lucidato (opzione più veloce)
TTV	≤ 10 µm
BOW/Warp	≤ 20 µm
Imballaggio	Sigillato sottovuoto
QTA	5 pezzi

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*Accettiamo personalizzazioni, non esitate a contattarci per le vostre esigenze.

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Wafer epitassiale SiC FAQ

1. D: Qual è l'intervallo di spessore tipico per i wafer epitassiali 4H-SiC da 6 pollici?

R: Lo spessore tipico varia da 100–500 μm per supportare applicazioni MOSFET ad altissima tensione (≥10 kV), bilanciando la tensione di rottura e la gestione termica.

2. D: Quali settori utilizzano wafer epitassiali 4H-SiC da 6 pollici?

R: Sono fondamentali per smart grid, inverter EV, sistemi di alimentazione industriali e aerospaziale, consentendo alta efficienza e affidabilità in condizioni estreme.

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