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2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4 H-SiC Substrati 3C-N Tipo MOS Grado

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2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4 H-SiC Substrati 3C-N Tipo MOS Grado

2inch 4inch 6inch 8inch 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substrates 3C-N Type MOS Grade
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Grande immagine :  2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4 H-SiC Substrati 3C-N Tipo MOS Grado

Dettagli:
Luogo di origine: Cina
Marca: ZMSH
Certificazione: rohs
Numero di modello: 3C-N SIC
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10pc
Prezzo: by case
Imballaggi particolari: scatola di plastica personalizzata
Tempi di consegna: in 30 giorni
Termini di pagamento: T/t
Capacità di alimentazione: 1000pc/mese
Contatto
Descrizione di prodotto dettagliata
dimensione: 2 pollici, 4 pollici, 6 pollici, 5 × 5,10 × 10 Costante dielettrica: 9.7
Durezza superficiale: Hv0.3> 2500 Densità: 3,21 g/cm3
Coefficiente di espansione termica: 4,5 x 10-6/k Tensione di rottura: 5,5 mV/cm
applicazioni: Comunicazioni, sistemi radar
Evidenziare:

4H-SiC substrate MOS grade

,

5x5 mm SiC substrate

,

N-type SiC substrate wafer

Visualizzazione dei substrati 3C-SiC

 

 

2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4 H-SiC Substrati 3C-N Tipo MOS Grado

 
 
 

Il substrato di carburo di silicio (3C-SiC) di tipo 3C-N è un materiale semiconduttore a banda larga basato sulla struttura cristallina cubica (3C),prodotto mediante epitaxia in fase liquida (LPE) o trasporto fisico di vapore (PVT) Supporta dimensioni standard da 2 pollici a 8 pollici, nonché dimensioni personalizzate (ad esempio, 5×5 mm, 10×10 mm).2 eV) , e elevata conduttività termica (49 W/m·K), che lo rende ideale per applicazioni di dispositivi ad alta frequenza, alta temperatura e alta potenza.

 

 

- Sì.

Caratteristiche chiave dei substrati 3C-SiC

 
2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4 H-SiC Substrati 3C-N Tipo MOS Grado 0

1. Prestazioni elettriche

  • Alta mobilità elettronica: significativamente superiore a 4H-SiC (900 cm2/V·s), substrati 3C-SiC che riducono le perdite di conduzione nei dispositivi.
  • Basse resistenze: ≤ 0,0006 Ω·cm (tipo N), substrati 3C-SiC ottimizzati per circuiti ad alta frequenza a bassa perdita.
  • Large Bandgap: sopporta tensioni fino a 10 kV, substrati 3C-SiC adatti a scenari ad alta tensione (ad esempio, reti intelligenti, veicoli elettrici).

- Sì.

2Stabilità termica e chimica

  • Alta conduttività termica: efficienza di dissipazione del calore 3 volte superiore rispetto al silicio, substrati 3C-SiC che funzionano in modo stabile da -200°C a 1.600°C.
  • Resistenza alle radiazioni: substrati 3C-SiC ideali per applicazioni aerospaziali e nucleari.

- Sì.

3Compatibilità dei processi

  • Piattazza superficiale: λ/10 @632,8 nm, compatibile con litografia e incisione a secco.
  • Densità di difetto bassa: densità del micro-tubo < 0,1 cm−2, migliorando la resa del dispositivo.

 

 

 

Applicazioni principali dei substrati 3C-SiC

 

2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4 H-SiC Substrati 3C-N Tipo MOS Grado 1

1. Comunicazioni 5G e dispositivi RF

  • Moduli RF a onde millimetriche: i substrati 3C-SiC consentono dispositivi RF GaN-on-3C-SiC per bande di frequenza superiore a 28 GHz, migliorando l'efficienza del segnale.
  • Filtri a bassa perdita: i substrati 3C-SiC riducono l'attenuazione del segnale, aumentando la sensibilità del radar e della comunicazione.

- Sì.

2. Veicoli elettrici (EV)

  • Caricabatterie a bordo (OBC): i substrati 3C-SiC riducono il consumo energetico del 40%, compatibili con le piattaforme di ricarica rapida a 800 V.
  • Invertitori: i substrati 3C-SiC riducono la perdita di energia dell'80­90%, estendendo l'autonomia.

 

3. Sistemi industriali ed energetici

  • Invertitori solari: Migliora l'efficienza di conversione dell'1% al 3%, riducendo il volume del 40% al 60% per ambienti ad alta temperatura.
  • Smart Grids: riduce al minimo le esigenze di dissipazione del calore, supportando la trasmissione di corrente continua ad alta tensione.

 

4Aerospaziale e Difesa

  • Dispositivi resistenti alle radiazioni: sostituisce i componenti in silicio, prolungando la durata di vita dei sistemi satellitari e missilistici.
  • Radar ad alta potenza: i substrati 3C-SiC sfruttano le proprietà a bassa perdita per una maggiore precisione di rilevamento.

 

 

 

Substrati 3C-SiCdi MaterialeParametro tecnico

- Sì.

- Sì.Grado. Grado di produzione MPD zero (grado Z) Grado di produzione standard (grado P) Grado D (D Grade)
Diametro 145.5 mm150,0 mm
Spessore 350 μm ± 25 μm
Orientazione dei wafer All'esterno dell'asse: 2,0°-4,0° verso [1120]±0,5° per 4H/6H-P, sull'asse: 111,0 ±0,5° per 3C-N
** Densità di micropipe 0 cm−2
** Resistenza tipo p 4H/6H-P ≤ 0,1 Ω·cm ≤ 0,3 Ω·cm
n-tipo 3C-N ≤ 0,8 mΩ·cm ≤ 1 mΩ·cm
Orientazione primaria piatta 4H/6H-P {1010} ± 5,0°
3C-N {110} ± 5,0°
Lunghezza piatta primaria 32.5 mm ± 2,0 mm
Lunghezza piatta secondaria 180,0 mm ± 2,0 mm
Orientazione piatta secondaria Silicone verso l'alto, 90° CW. da Prime flat ±5,0°
Esclusione di bordo 3 mm 6 mm
LTV/TIV/Bow/Warp ≤ 2,5 μm/≤ 5 μm/≤ 15 μm/≤ 30 μm ≤ 10 μm/≤ 15 μm/≤ 25 μm/≤ 40 μm
* Ruvidità ItalianoRa≤1 nm
CMPRa≤0,2 nm Ra≤0,5 nm
Fessure di bordo a causa della luce ad alta intensità Nessuna Lunghezza cumulativa ≤ 10 mm, lunghezza singola ≤ 2 mm
* Piastre esatto con luce ad alta intensità Superficie cumulata ≤ 0,05% Superficie cumulativa ≤ 0,1%
* aree politipiche per luce ad alta intensità Nessuna Superficie cumulativa ≤ 3%
Inclusioni di carbonio visivo Nessuna Superficie cumulata ≤ 0,05%
# La superficie del silicio e' graffiata dalla luce ad alta intensita'# Nessuna Lunghezza cumulativa ≤ 1 × diametro della wafer
Edge Chips ad alta intensità luminosa Nessuna ammissibile larghezza e profondità ≥ 0,2 mm 5 consentiti, ≤ 1 mm ciascuno
Contaminazione della superficie del silicio ad alta intensità Nessuna
Imballaggio Cassette a più wafer o contenitori a singola wafer

 

 

Nota:

* I limiti di difetto si applicano a tutta la superficie del wafer, ad eccezione della zona di esclusione dei bordi.

*I graffi devono essere controllati solo sulla faccia del Si.

 

 

 

Raccomandare altri modelli di SiC

 

 

Q1: Quali sono le principali applicazioni dei substrati SiC di tipo 3C-N da 2 pollici, 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici, 5 × 5 mm e 10 × 10 mm?

R: Sono ampiamente utilizzati nei moduli RF 5G, nei sistemi di alimentazione EV e nei dispositivi industriali ad alta temperatura a causa della loro elevata mobilità elettronica e stabilità termica.

 

 

D2: Come si confrontano i substrati SiC di tipo 3C-N con i tradizionali 4H-SiC per prestazioni?

R: Il SiC di tipo 3C-N offre una minore resistenza e migliori prestazioni ad alta frequenza (fino a 2,7 × 107 cm/s velocità elettronica), ideale per RF e elettronica di potenza compatta.

 

 

 

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Prodotto Tag:

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sic substrato,

substrato del carburo di silicio

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