HPSI Wafer SiC semi-isolatrici ad alta purezza da 2" 3" " 6 " 8" Prime/Dummy/Research Grade

HPSI Wafer SiC semi-isolatrici ad alta purezza 2/3/4/6/8 Inch Prime/Dummy/Research Grade

I wafer in carburo di silicio (SiC) HPSI (High Purity Semi-Isolating) sono substrati semiconduttori avanzati progettati per applicazioni ad alta frequenza, alta potenza e alta temperatura.3 pollici, 4 pollici, 6 pollici e 8 pollici di diametro, questi wafer sono offerti in Prime (produzione-grado), Dummy (processo-test), e di ricerca (esperimentale) gradi per soddisfare le diverse esigenze industriali e accademiche.

I wafer Prime Grade presentano una densità di difetto ultra-bassa e un'elevata resistività, che li rende ideali per dispositivi RF, amplificatori di potenza e applicazioni di calcolo quantistico.Il Dummy Grade fornisce soluzioni convenienti per l'ottimizzazione dei processi nella fabbricazione di semiconduttori, mentre il grado di ricerca sostiene gli studi di materiali all'avanguardia e lo sviluppo di prototipi.

Con una conduttività termica superiore (> 490 W/m·K) e un ampio intervallo di banda (3,2 eV), i wafer HPSI SiC consentono l'elettronica di nuova generazione per la comunicazione 5GLa Commissione ha adottato una proposta di regolamento (CE) del Consiglio che modifica il regolamento (CE) n.

Tabella delle specifiche

Applicazioni diWafer HPSI

1. Dispositivi a RF e a microonde
- Stazioni base 5G: amplificatori ad alta potenza con bassa perdita di segnale.
- Sistemi radar: prestazioni stabili nel settore aerospaziale e della difesa.

2. elettronica di potenza
- Invertitori elettrici: commutazione ad alta tensione efficiente.
- Caricatori veloci: disegni compatti e ad alta efficienza.

3Ricerca ad alta tecnologia
- Studi a banda larga: ricerca sulle proprietà dei materiali SiC.

4Sviluppo dei processi industriali
- Wafer finte: calibrazione delle attrezzature nelle fabbriche di semiconduttori.

Domande frequenti (FAQ)

1Come si definisce il SiC "semi-isolatore"?

Il SiC semi-isolatore ha una resistenza estremamente elevata, riducendo al minimo le perdite di corrente nelle RF e nei dispositivi ad alta potenza.

2Questi wafer possono essere personalizzati?
Sì, offriamo doping, spessore e finitura di superficie personalizzati per i gradi Prime e Research.

3Qual e' la differenza tra i gradi Prime e Dummy?
- Prime: fabbricazione di dispositivi (bassi difetti).
- Test di processo (ottimizzato per i costi).

4Come vengono confezionati i wafer?
Imballaggi sigillati sotto vuoto con una singola scheda

5Qual è il tempo di consegna tipico?
- Da 2 a 4 settimane per le taglie standard.
- 4-6 settimane per le specifiche personalizzate.

 

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