Descrizione del prodotto: 5*5mm/10*10mm Spessore della wafer in carburo di silicio 350μm Sic 3C-N Tipo Alta resistenza meccanica Grado di produzione Il 3C-SiC (Carburo di silicio cubico) è un materiale ... Leggi di più
Descrizione del prodotto: Wafer al carburo di silicio 6 pollici Sic singolo cristallo 150 mm di diametro 3C-N tipo abito per sistemi radar di comunicazione Il 3C-SiC (Carburo di silicio cubico) è un materiale ... Leggi di più
Descrizione del prodotto: Substrato di carburo di silicio 4" Sic 3C-N Diametro 100 mm Conduttore Tipo Zero MPD Grado di produzione Il 3C-SiC (Carburo di silicio cubico) è un materiale semiconduttore a banda ... Leggi di più
Descrizione del prodotto: Wafer in carburo di silicio 6H-P spessore 350 μm di grado zero di grado primo di grado finto 6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) è un materiale semiconduttore a banda larga con buona ... Leggi di più
Wafer al carburo di silicio 6H P-Type e 4H P-Type Zero Wafer al carburo di silicio 6H P-Type & 4H P-Type's abstract Questo studio esplora le proprietà e le applicazioni delle onde di carburo di silicio (SiC) ... Leggi di più
Wafer al carburo di silicio 4H P-Type Zero MPD di produzione di qualità 4 pollici 6 pollici Riassunto di Wafer di Carburo di Silicio 4H P-Type Il presente studio presenta le caratteristiche e le potenziali ... Leggi di più
Wafer in carburo di silicio 6H tipo P, grado di produzione standard Dia:145.5 mm~150,0 mm spessore 350 μm ± 25 μm 6H wafer in carburo di silicio di tipo P Il presente documento presenta lo sviluppo e le ... Leggi di più
Descrizione del prodotto: Wafer SIC in carburo di silicio 10*10 mm 6H-P Spessore 350μm Per dispositivi ad alta potenza 6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) è un materiale semiconduttore a banda larga con buona ... Leggi di più
Descrizione del prodotto: Sic Substrato di carburo di silicio 5.0*5.0mm Quadrato 6H-P Tipo Spessore 350μm Grado nullo Grado finto 6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) è un materiale semiconduttore a banda larga ... Leggi di più
Descrizione del prodotto: 2 pollici Sic Substrato di carburo di silicio 6H bassa resistenza tipo dopato ad alta P diametro 50,8 mm 6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) è un materiale semiconduttore a banda larga ... Leggi di più