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Wafer in carburo di silicio da 2 pollici tipo 4H-N per dispositivi MOS Dia 0,4 mm
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Wafer in carburo di silicio da 2 pollici tipo 4H-N per dispositivi MOS Dia 0,4 mm

Luogo di origine Shanghai Cina
Marca ZMSH
Certificazione ROHS
Numero di modello Wafer del carburo di silicio
Dettagli del prodotto
Materiale:
SiC singolo cristallo 4h-N
Grado:
Grado di produzione
Spessore:
0.4 mm
Colore:
Verde
Diametro:
2 pollici
Suraface:
Con le labbra
Evidenziare: 

Dispositivo MOS SIC Wafer in carburo di silicio

,

Wafer a carburo di silicio da 2 pollici

,

Wafer in carburo di silicio di tipo 4H-N

Descrizione di prodotto

Wafer in carburo di silicio da 2 pollici tipo 4H-N per dispositivi MOS Dia 0,4 mm

Introduzione del prodotto

Il substrato monocristallino di carburo di silicio (SiC) di tipo 4H n è un materiale semiconduttore critico ampiamente utilizzato in dispositivi elettronici di potenza, dispositivi a radiofrequenza (RF) e dispositivi optoelettronici.Questo articolo presenta una panoramica completa delle tecniche di produzione, le caratteristiche strutturali, le aree di applicazione e i progressi della ricerca in corso relativi al substrato monocristallino di carburo di silicio di tipo 4H n.

Per iniziare, vengono discussi vari metodi per la preparazione del substrato monocristallino di carburo di silicio di tipo 4H n. Questi metodi includono il trasporto fisico del vapore (PVT), la deposizione chimica del vapore (CVD), la deposizione chimica del vapore (PVT), la deposizione chimica del vapore (CVD) e la deposizione chimica del vapore (CVD).e separazione assistita dal laser (LAS)Ogni tecnica ha un impatto sulla qualità del cristallo, sulla morfologia superficiale e sul costo del substrato.

In seguito, l'articolo esplora le caratteristiche strutturali del substrato monocristallino di carburo di silicio di tipo 4H n. Questo include un'analisi della struttura cristallina,distribuzione delle concentrazioni di impuritàI substrati monocristallini di silicio carburo 4H n di alta qualità presentano una qualità cristallina superiore e minori concentrazioni di impurità.che sono cruciali per migliorare le prestazioni del dispositivo.

Sono poi discusse le applicazioni del substrato a singolo cristallo di carburo di silicio di tipo 4H n nei dispositivi elettronici di potenza, nei dispositivi RF e nei dispositivi optoelettronici.Esclusiva stabilità termica del substrato, le sue proprietà elettriche e il suo ampio intervallo di banda lo rendono altamente adatto a vari dispositivi.

Infine, l'articolo riassume gli attuali progressi della ricerca sui substrati monocristallini del carburo di silicio di tipo 4H n e delinea le direzioni future.il substrato monocristallino del carburo di silicio di tipo 4H n dovrebbe svolgere un ruolo fondamentale in una gamma più ampia di applicazioni, sostenendo il miglioramento e l'innovazione dei dispositivi elettronici.

Parametro del prodotto

Grado
Grado zero di MPD
Grado di produzione
Grado di ricerca
Grado per finti
Diametro
500,6 mm±0,2 mm
Spessore
1000±25 mm O di altro spessore su misura
Orientazione dei wafer
Al di fuori dell'asse: 4,0° verso <1120> ±0,5° per 4H-N/4H-SI Sul asse: <0001> ±0,5° per 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI
Densità di micropipe
≤ 0 cm-2
≤ 2 cm-2
≤ 5 cm-2
≤ 30 cm-2
Resistenza 4H-N
0.015­0.028 Ω•cm
Resistenza 4/6H-SI
≥1E7 Ω·cm
Piano primario
{10-10} ± 5,0° o di forma rotonda
Lunghezza piatta primaria
18.5 mm±2.0 mm o di forma rotonda
Lunghezza piatta secondaria
100,0 mm±2,0 mm
Orientazione piatta secondaria
Silicone verso l'alto: 90° CW. da Prime flat ±5,0°
Esclusione dei bordi
1 mm
TTV/Bow/Warp
≤ 10 μm /≤ 10 μm /≤ 15 μm

Visualizzazione del prodotto

Wafer in carburo di silicio da 2 pollici tipo 4H-N per dispositivi MOS Dia 0,4 mm 0

Caratteristiche chiave del prodotto

Il carburo di silicio (SiC) è emerso come un materiale rivoluzionario nel campo della tecnologia dei semiconduttori, e il substrato SiC di tipo 4H n si distingue come un componente fondamentale con caratteristiche distintive.Questo substrato, caratterizzata dalla sua struttura cristallina esagonale e dalla conduttività di tipo n, presenta una moltitudine di caratteristiche chiave che contribuiscono al suo ampio utilizzo in varie applicazioni elettroniche.

  • Struttura cristallina esagonale:

Il substrato 4H SiC possiede un arrangiamento esagonale di reticolo cristallino, un attributo strutturale che conferisce proprietà elettriche e termiche uniche al materiale.Questa struttura cristallina è cruciale per realizzare dispositivi elettronici ad alte prestazioni.

  • Alta mobilità elettronica:

Una delle caratteristiche di spicco del substrato SiC di tipo 4H n è la sua eccezionale mobilità elettronica.contribuire all'efficienza del substrato nelle applicazioni ad alta frequenza e ad alta potenza.

  • Ampia banda:

L'ampia banda di SiC, risultante dalla sua struttura cristallina esagonale, è una caratteristica chiave che migliora le prestazioni del substrato.L'ampio intervallo di banda consente la creazione di dispositivi in grado di funzionare a temperature elevate e in ambienti difficili.

  • Conducibilità di tipo N:

Il substrato 4H SiC è specificamente dopato per mostrare una conduttività di tipo n, il che significa che ha un eccesso di elettroni come portatori di carica.Questo tipo di doping è essenziale per alcune applicazioni di dispositivi semiconduttori, compresi gli apparecchi elettronici di potenza e i dispositivi RF.

  • Alta tensione di rottura:

La capacità intrinseca del materiale di resistere a forti campi elettrici senza guasti è una caratteristica critica per i dispositivi di potenza.L'alta tensione di rottura del substrato SiC di tipo 4H n è fondamentale per garantire l'affidabilità e la durata dei componenti elettronici.

  • Conduttività termica:

I substrati di SiC dimostrano un'eccellente conduttività termica, che li rende adatti ad applicazioni in cui è fondamentale un'efficiente dissipazione del calore.Questa caratteristica è particolarmente utile nei dispositivi elettronici di potenza, dove è essenziale ridurre al minimo la resistenza termica.

  • Stabilità chimica e meccanica:

Il substrato SiC di tipo 4H n presenta una robusta stabilità chimica e meccanica, che lo rende adatto per applicazioni in condizioni di funzionamento difficili.Questa stabilità contribuisce alla longevità e all'affidabilità del substrato in vari ambienti..

  • Trasparenza ottica:

Oltre alle sue proprietà elettroniche, il substrato 4H SiC possiede anche trasparenza ottica in intervalli di lunghezza d'onda specifici.Questa proprietà è vantaggiosa per applicazioni quali l'optoelettronica e alcune tecnologie di sensori.

  • Versatilità nella fabbricazione di dispositivi:

La combinazione unica delle proprietà del substrato 4H SiC consente la fabbricazione di diversi dispositivi elettronici, tra cui MOSFET di potenza, diodi Schottky e dispositivi RF ad alta frequenza.La sua versatilità contribuisce alla sua diffusione in diversi settori tecnologici.

  • Progressi nella ricerca e nello sviluppo:

Gli sforzi continui di ricerca e sviluppo nel campo della tecnologia del SiC stanno portando a progressi nelle caratteristiche chiave dei substrati del SiC di tipo 4H n.Le innovazioni in corso mirano a migliorare ulteriormente le prestazioni, l'affidabilità e la gamma di applicazioni di questi substrati.

In conclusione, il substrato SiC di tipo 4H n funge da pietra angolare nell'evoluzione della tecnologia dei semiconduttori,offrendo uno spettro di caratteristiche chiave che lo rendono indispensabile per dispositivi elettronici ad alte prestazioniLa sua struttura cristallina esagonale, la sua elevata mobilità elettronica, il suo ampio intervallo di banda e altri attributi distintivi la posizionano come un materiale di primo piano per l'avanzamento delle tecnologie nell'elettronica di potenza, nei dispositivi RF e nelle tecnologie per il controllo delle radiazioni.,e oltre.

 

 

 

 

 

 

 

 

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