Wafer di tipo 4H Dia 157±0,5 mm spessore 500±50um monocristallo area > 153 mm

Wafer di tipo 4H Dia 157±0,5 mm spessore 500±50um monocristallo area > 153 mm

L'abstract di 4H Silicon Carbide Seed

Nel campo della crescita dei cristalli di carburo di silicio (SiC), i wafer di semi di SiC di livello produttivo sono essenziali per la creazione di cristalli ad alte prestazioni.Questi wafer fungono da materiale di partenza per la crescita del SiC monocristallino, utilizzati in dispositivi elettronici ad alta temperatura e di alta potenza.e livelli di difetti per sostenere la crescita di cristalli di SiC con difetti minimizzatiL'uso di wafer di semi garantisce una struttura cristallina coerente ed è fondamentale nei dispositivi semiconduttori di potenza come diodi e transistor.Wafer di semi di alta qualità contribuiscono all'efficienza e alla durata dei componenti SiC in vari settori.

Foto di 4H Silicon Carbide Seed

Proprietà del seme di carburo di silicio 4H

I wafer di semi di SiC sono progettati specificatamente per resistere alle alte temperature richieste per la crescita di criste di SiC.

Le piastre di semina, come quelle per il trasporto fisico di vapore (PVT), dipendono da temperature superiori a 2000°C e la piastra di semina deve rimanere stabile in queste condizioni estreme.I wafer di produzione sono progettati per avere una stabilità termica eccezionaleQuesta resistenza alla temperatura è cruciale per la crescita di grandi,cristalli di SiC privi di difetti utilizzati in applicazioni ad alta potenza e ad alta temperaturaI wafer ottimizzati per la crescita ad alta temperatura contribuiscono a ridurre i difetti come dislocazioni e micropipes,garantire un rendimento più elevato di materiale SiC utilizzabile.

Applicazioni di 4H Silicon Carbide Seed

1. Elettronica di potenza
   I wafer di semi 4H-SiC sono ampiamente utilizzati per la coltivazione di cristalli di SiC per elettronica di potenza ad alte prestazioni.offrire un'elevata efficienza energetica, minori perdite di commutazione e capacità di funzionare ad alte tensioni e temperature.sistemi di energia rinnovabile (come inverter solari e turbine eoliche)I componenti basati su 4H-SiC migliorano l'efficienza energetica e la durata complessiva, rendendoli molto richiesti nei moderni sistemi di alimentazione.

2. Ambienti a alta temperatura e difficili
   L'ampia banda di 4H-SiC, l'elevata tensione di rottura e l'eccellente conduttività termica lo rendono perfetto per dispositivi che operano in ambienti estremi.esplorazione di petrolio e gasI semiconduttori a base di 4H-SiC sono utilizzati per la produzione di apparecchiature e attrezzature militari, perché possono resistere a temperature elevate, radiazioni e esposizioni chimiche dure, pur mantenendo prestazioni stabili.attrezzature, e altri dispositivi elettronici in queste industrie spesso si basano su componenti 4H-SiC per operazioni affidabili.

3. Dispositivi ad alta frequenza e RF
   I wafer di semi 4H-SiC sono utilizzati nella fabbricazione di dispositivi ad alta frequenza e RF (radio frequenza).4H-SiC è preferito per i sistemi di comunicazione ad alta frequenzaI dispositivi costruiti con 4H-SiC offrono un'elevata efficienza e un basso consumo di energia, rendendoli essenziali nelle infrastrutture di telecomunicazione, aerospaziale,e industria della difesa dove le prestazioni e l'affidabilità sono fondamentali.

4. LED e optoelettronica
   Il 4H-SiC funge da substrato per la coltivazione di cristalli di nitruro di gallio (GaN), utilizzati nei LED blu e ultravioletti (UV) e nei diodi laser.Questi dispositivi sono essenziali in applicazioni come l' illuminazione a stato solido.L'alta conducibilità termica e la resistenza meccanica del 4H-SiC forniscono una piattaforma stabile per i dispositivi GaN, migliorando la loro efficienza e durata.

Specificità