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Sic Dispositivi semiconduttori a carburo di silicio Forme cristalline multiple 4H 6H 3C Chip di comunicazione 5G di dimensioni personalizzate

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: CINESE

Marca: zmsh

Numero di modello: Fabbricazione a partire da prodotti della voce 8523

Termini di pagamento e spedizione

Tempi di consegna: 2-4 settimane

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3C Sic Dispositivi semiconduttori a carburo di silicio

,

4H Sic Dispositivi semiconduttori a carburo di silicio

,

6H Sic Dispositivi semiconduttori a carburo di silicio

Materiale:
Carburo di silicio
dimensione:
Personalizzato
Spessore:
personalizzato
Tipo:
4H,6H,3C
Applicazione:
Veicoli elettrici per la comunicazione 5G
Materiale:
Carburo di silicio
dimensione:
Personalizzato
Spessore:
personalizzato
Tipo:
4H,6H,3C
Applicazione:
Veicoli elettrici per la comunicazione 5G
Sic Dispositivi semiconduttori a carburo di silicio Forme cristalline multiple 4H 6H 3C Chip di comunicazione 5G di dimensioni personalizzate

Descrizione del prodotto

Sic Dispositivi semiconduttori a carburo di silicio Forme cristalline multiple 4H 6H 3C Chip di comunicazione 5G di dimensioni personalizzate

Un chip a carburo di silicio è un dispositivo semiconduttore realizzato in materiale a carburo di silicio (SiC).Sfrutta le eccellenti proprietà fisiche e chimiche del carburo di silicio per mostrare prestazioni eccellenti in condizioni di elevata temperatura, ambienti ad alta pressione e ad alta frequenza.
Sic Dispositivi semiconduttori a carburo di silicio Forme cristalline multiple 4H 6H 3C Chip di comunicazione 5G di dimensioni personalizzate 0

Caratteristiche

• Alta durezza e resistenza all'usura: il carburo di silicio ha un'elevata durezza e un'eccellente resistenza all'usura, che può resistere all'usura superficiale e prolungare la durata di vita.
• Alta resistenza: in grado di resistere a carichi elevati e a forti sollecitazioni meccaniche, adatta ad essere utilizzata in ambienti ad elevato carico e tensione.
• Alta stabilità termica: il carburo di silicio ha un'eccellente stabilità termica, un piccolo coefficiente di espansione termica, una elevata conduttività termica,può resistere allo stress e allo shock termico ad alte temperature, e la temperatura di lavoro massima può raggiungere più di 600°C.
• Largo intervallo di banda: il largo intervallo di banda del SiC gli consente di funzionare bene in ambienti ad alta temperatura e ad alta tensione, rendendolo adatto per applicazioni ad alta potenza e ad alta temperatura.

Sic Dispositivi semiconduttori a carburo di silicio Forme cristalline multiple 4H 6H 3C Chip di comunicazione 5G di dimensioni personalizzate 1

• Alta mobilità degli elettroni: l'elevata mobilità degli elettroni consente al dispositivo di funzionare ad alte velocità e ad alte frequenze.
• elevato tasso di saturazione elettronica: il tasso di saturazione elettronica del carburo di silicio è il doppio di quello del silicio,che consentono ai dispositivi a carburo di silicio di ottenere frequenze di funzionamento e densità di potenza più elevate.
• Alta resistenza del campo elettrico di rottura: in grado di resistere ad un funzionamento ad alta tensione, riducendo dimensioni e peso.
• Stabilità chimica: estremamente resistente alla maggior parte degli acidi, delle alcaline e degli agenti ossidanti e mantiene le prestazioni in ambienti chimici difficili.

Parametri tecnici

Immobili 4H-SiC, singolo cristallo 6H-SiC, singolo cristallo
Parametri del reticolo a=3,076 Å c=10,053 Å a=3,073 Å c=15,117 Å
Sequenza di impilazione ABCB ABCACB
Durezza di Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densità 30,21 g/cm3 30,21 g/cm3
Coefficiente di espansione termico 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Indice di rifrazione @750nm

no = 2.61

ne = 2.66

no = 2.60

ne = 2.65

Costante dielettrica c~9.66 c~9.66
Conduttività termica (tipo N, 0,02 ohm.cm)

a~4,2 W/cm·K@298K

c~3,7 W/cm·K@298K

 
Conduttività termica (semisolatori)

a~4,9 W/cm·K@298K

c~3,9 W/cm·K@298K

a~4,6 W/cm·K@298K

c~3,2 W/cm·K@298K

Fessura di banda 3.23 eV 30,02 eV
Campo elettrico di rottura 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Velocità della deriva di saturazione 2.0×105m/s 2.0×105m/s

Applicazioni

• elettronica di potenza: utilizzata per la progettazione di alimentatori di commutazione ad alta efficienza e alta densità di potenza, adatti a veicoli elettrici, inverter solari e altri campi,migliorare l'efficienza della conversione energetica e ridurre i costi del sistema.
• Comunicazione wireless: utilizzata per la progettazione di amplificatori di potenza RF ad alta frequenza e ad alta velocità, adatti alle comunicazioni 5G, ai satelliti, al radar e ad altri campi.
• Illuminazione a LED: utilizzata per la progettazione di driver a LED ad alta efficienza e luminosità, adatti all'illuminazione interna ed esterna e ad altri campi.
• Automotive: può essere utilizzato per rendere più efficienti e affidabili i sistemi di propulsione dei veicoli elettrici e i sistemi di gestione delle batterie.
• Aerospaziale: i chip in carburo di silicio possono resistere a ambienti difficili come alte temperature e radiazioni per garantire il funzionamento stabile del sistema.
Sic Dispositivi semiconduttori a carburo di silicio Forme cristalline multiple 4H 6H 3C Chip di comunicazione 5G di dimensioni personalizzate 2

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Domande frequenti

1.D: Cos'è il substrato di carburo di silicio di tipo 4H-P?

R: Il substrato di carburo di silicio di tipo 4H-P è un materiale semiconduttore di tipo P (tipo cavità) con tipo cristallino 4H. Con le sue eccellenti proprietà fisiche e chimiche, come l'alta durezza,elevata conduttività termica, campo elettrico ad alta rottura, ecc., ha una vasta gamma di applicazioni in elettronica di potenza, dispositivi ad alta frequenza e altri campi.

 

2. D: Offrite servizi personalizzati per i substrati di carburo di silicio di tipo 4H-P?

R: Sì, la nostra azienda fornisce un servizio personalizzato per il substrato di carburo di silicio di tipo 4H-P. I clienti possono scegliere substrati con diverse specifiche e parametri, come diametro, spessore,concentrazione di doping, ecc., in base alle loro esigenze specifiche per soddisfare le esigenze di applicazioni specifiche.

 

 

Tag: #Carburo di silicio, #4H/6H/3C, #Dispositivi semiconduttori.

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