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Sic Dispositivi semiconduttori a carburo di silicio Forme cristalline multiple 4H 6H 3C Chip di comunicazione 5G di dimensioni personalizzate

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Sic Dispositivi semiconduttori a carburo di silicio Forme cristalline multiple 4H 6H 3C Chip di comunicazione 5G di dimensioni personalizzate

Sic Silicon Carbide Semiconductor Devices Multiple Crystal Forms 4H 6H 3C Custom Size 5G Communication Chips
Sic Silicon Carbide Semiconductor Devices Multiple Crystal Forms 4H 6H 3C Custom Size 5G Communication Chips Sic Silicon Carbide Semiconductor Devices Multiple Crystal Forms 4H 6H 3C Custom Size 5G Communication Chips Sic Silicon Carbide Semiconductor Devices Multiple Crystal Forms 4H 6H 3C Custom Size 5G Communication Chips

Grande immagine :  Sic Dispositivi semiconduttori a carburo di silicio Forme cristalline multiple 4H 6H 3C Chip di comunicazione 5G di dimensioni personalizzate

Dettagli:
Luogo di origine: CINESE
Marca: zmsh
Numero di modello: Fabbricazione a partire da prodotti della voce 8523
Termini di pagamento e spedizione:
Tempi di consegna: 2-4 settimane
Termini di pagamento: T/T
Contatto
Descrizione di prodotto dettagliata
Materiale: Carburo di silicio dimensione: Personalizzato
Spessore: personalizzato Tipo: 4H,6H,3C
Applicazione: Veicoli elettrici per la comunicazione 5G
Evidenziare:

3C Sic Dispositivi semiconduttori a carburo di silicio

,

4H Sic Dispositivi semiconduttori a carburo di silicio

,

6H Sic Dispositivi semiconduttori a carburo di silicio

Descrizione del prodotto

Sic Dispositivi semiconduttori a carburo di silicio Forme cristalline multiple 4H 6H 3C Chip di comunicazione 5G di dimensioni personalizzate

Un chip a carburo di silicio è un dispositivo semiconduttore realizzato in materiale a carburo di silicio (SiC).Sfrutta le eccellenti proprietà fisiche e chimiche del carburo di silicio per mostrare prestazioni eccellenti in condizioni di elevata temperatura, ambienti ad alta pressione e ad alta frequenza.
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Caratteristiche

• Alta durezza e resistenza all'usura: il carburo di silicio ha un'elevata durezza e un'eccellente resistenza all'usura, che può resistere all'usura superficiale e prolungare la durata di vita.
• Alta resistenza: in grado di resistere a carichi elevati e a forti sollecitazioni meccaniche, adatta ad essere utilizzata in ambienti ad elevato carico e tensione.
• Alta stabilità termica: il carburo di silicio ha un'eccellente stabilità termica, un piccolo coefficiente di espansione termica, una elevata conduttività termica,può resistere allo stress e allo shock termico ad alte temperature, e la temperatura di lavoro massima può raggiungere più di 600°C.
• Largo intervallo di banda: il largo intervallo di banda del SiC gli consente di funzionare bene in ambienti ad alta temperatura e ad alta tensione, rendendolo adatto per applicazioni ad alta potenza e ad alta temperatura.

Sic Dispositivi semiconduttori a carburo di silicio Forme cristalline multiple 4H 6H 3C Chip di comunicazione 5G di dimensioni personalizzate 1

• Alta mobilità degli elettroni: l'elevata mobilità degli elettroni consente al dispositivo di funzionare ad alte velocità e ad alte frequenze.
• elevato tasso di saturazione elettronica: il tasso di saturazione elettronica del carburo di silicio è il doppio di quello del silicio,che consentono ai dispositivi a carburo di silicio di ottenere frequenze di funzionamento e densità di potenza più elevate.
• Alta resistenza del campo elettrico di rottura: in grado di resistere ad un funzionamento ad alta tensione, riducendo dimensioni e peso.
• Stabilità chimica: estremamente resistente alla maggior parte degli acidi, delle alcaline e degli agenti ossidanti e mantiene le prestazioni in ambienti chimici difficili.

Parametri tecnici

Immobili 4H-SiC, singolo cristallo 6H-SiC, singolo cristallo
Parametri del reticolo a=3,076 Å c=10,053 Å a=3,073 Å c=15,117 Å
Sequenza di impilazione ABCB ABCACB
Durezza di Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densità 30,21 g/cm3 30,21 g/cm3
Coefficiente di espansione termico 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Indice di rifrazione @750nm

no = 2.61

ne = 2.66

no = 2.60

ne = 2.65
Costante dielettrica c~9.66 c~9.66
Conduttività termica (tipo N, 0,02 ohm.cm)

a~4,2 W/cm·K@298K

c~3,7 W/cm·K@298K

  
Conduttività termica (semisolatori)

a~4,9 W/cm·K@298K

c~3,9 W/cm·K@298K

a~4,6 W/cm·K@298K

c~3,2 W/cm·K@298K
Fessura di banda 3.23 eV 30,02 eV
Campo elettrico di rottura 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Velocità della deriva di saturazione 2.0×105m/s 2.0×105m/s

Applicazioni

• elettronica di potenza: utilizzata per la progettazione di alimentatori di commutazione ad alta efficienza e alta densità di potenza, adatti a veicoli elettrici, inverter solari e altri campi,migliorare l'efficienza della conversione energetica e ridurre i costi del sistema.
• Comunicazione wireless: utilizzata per la progettazione di amplificatori di potenza RF ad alta frequenza e ad alta velocità, adatti alle comunicazioni 5G, ai satelliti, al radar e ad altri campi.
• Illuminazione a LED: utilizzata per la progettazione di driver a LED ad alta efficienza e luminosità, adatti all'illuminazione interna ed esterna e ad altri campi.
• Automotive: può essere utilizzato per rendere più efficienti e affidabili i sistemi di propulsione dei veicoli elettrici e i sistemi di gestione delle batterie.
• Aerospaziale: i chip in carburo di silicio possono resistere a ambienti difficili come alte temperature e radiazioni per garantire il funzionamento stabile del sistema.
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Domande frequenti

1.D: Cos'è il substrato di carburo di silicio di tipo 4H-P?

R: Il substrato di carburo di silicio di tipo 4H-P è un materiale semiconduttore di tipo P (tipo cavità) con tipo cristallino 4H. Con le sue eccellenti proprietà fisiche e chimiche, come l'alta durezza,elevata conduttività termica, campo elettrico ad alta rottura, ecc., ha una vasta gamma di applicazioni in elettronica di potenza, dispositivi ad alta frequenza e altri campi.

 

2. D: Offrite servizi personalizzati per i substrati di carburo di silicio di tipo 4H-P?

R: Sì, la nostra azienda fornisce un servizio personalizzato per il substrato di carburo di silicio di tipo 4H-P. I clienti possono scegliere substrati con diverse specifiche e parametri, come diametro, spessore,concentrazione di doping, ecc., in base alle loro esigenze specifiche per soddisfare le esigenze di applicazioni specifiche.

 

 

Tag: #Carburo di silicio, #4H/6H/3C, #Dispositivi semiconduttori.

Prodotto Tag:

sic wafer,

sic substrato,

substrato del carburo di silicio

Dettagli di contatto
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