Dettagli del prodotto
Luogo di origine: CINESE
Marca: zmsh
Numero di modello: Fabbricazione a partire da prodotti della voce 8523
Termini di pagamento e spedizione
Tempi di consegna: 2-4 settimane
Termini di pagamento: T/T
Materiale: |
Carburo di silicio |
dimensione: |
Personalizzato |
Spessore: |
personalizzato |
Tipo: |
4H,6H,3C |
Applicazione: |
Veicoli elettrici per la comunicazione 5G |
Materiale: |
Carburo di silicio |
dimensione: |
Personalizzato |
Spessore: |
personalizzato |
Tipo: |
4H,6H,3C |
Applicazione: |
Veicoli elettrici per la comunicazione 5G |
Immobili | 4H-SiC, singolo cristallo | 6H-SiC, singolo cristallo |
Parametri del reticolo | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3,073 Å c=15,117 Å |
Sequenza di impilazione | ABCB | ABCACB |
Durezza di Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
Densità | 30,21 g/cm3 | 30,21 g/cm3 |
Coefficiente di espansione termico | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
Indice di rifrazione @750nm |
no = 2.61 ne = 2.66 |
no = 2.60 ne = 2.65 |
Costante dielettrica | c~9.66 | c~9.66 |
Conduttività termica (tipo N, 0,02 ohm.cm) |
a~4,2 W/cm·K@298K c~3,7 W/cm·K@298K |
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Conduttività termica (semisolatori) |
a~4,9 W/cm·K@298K c~3,9 W/cm·K@298K |
a~4,6 W/cm·K@298K c~3,2 W/cm·K@298K |
Fessura di banda | 3.23 eV | 30,02 eV |
Campo elettrico di rottura | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
Velocità della deriva di saturazione | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |