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Substrato di carburo di silicio 4'' Sic 3C-N Diametro 100 mm Conduttore tipo zero MPD Grado di produzione

Marchio:	ZMSH
Numero di modello:	3C-N SiC
MOQ:	10 per cento
prezzo:	by case
Tempo di consegna:	in 30days
Condizioni di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione di prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Cina

Certificazione:

rohs

Dimensione:

4inch

Costante dielettrica:

9,7

Durezza superficiale:

HV0.3>2500

Densità:

3.21 G/cm3

Coefficiente di espansione termica:

4,5 X 10-6/K

Tensione di rottura:

5,5 MV/cm

Applicazioni:

Comunicazioni, sistemi radar

Imballaggi particolari:

scatola di plastica personalizzata

Capacità di alimentazione:

1000pc/month

Evidenziare:

Sottostrato di carburo di silicio 4'

Substrato di carburo di silicio di tipo conduttivo

Substrato di carburo di silicio 3C-N

Descrizione di prodotto

Descrizione del prodotto:

Substrato di carburo di silicio 4" Sic 3C-N Diametro 100 mm Conduttore Tipo Zero MPD Grado di produzione

Il 3C-SiC (Carburo di silicio cubico) è un materiale semiconduttore a banda larga con buone proprietà elettriche e termiche, particolarmente adatto perapplicazioni per dispositivi elettronici ad alta potenzaIl doping di tipo N è generalmente ottenuto introducendo elementi quali azoto (N) e fosforo (P), che rendono il materiale elettronegativo e adatto a una varietà di progetti di dispositivi elettronici.La distanza è di circa 3Il doping di tipo N mantiene ancora un'elevata mobilità elettronica, che migliora le prestazioni del dispositivo.L'eccellente conduttività termica contribuisce a migliorare la capacità di dissipazione del calore dei dispositivi elettrici. Ha una buona resistenza meccanica ed è adatto per l'uso in ambienti difficili. Ha una buona resistenza a una vasta gamma di sostanze chimiche ed è adatto per applicazioni industriali.è utilizzato in convertitori di potenza e azionatori ad alto rendimento, adatto ai veicoli elettrici e ai sistemi di energia rinnovabile.

Caratteristiche:

· Largo intervallo di banda: intervallo di banda di circa 3,0 eV per applicazioni ad alta temperatura e ad alta tensione.

· Alta mobilità degli elettroni: il doping di tipo N fornisce una buona mobilità degli elettroni e migliora le prestazioni complessive del dispositivo.

· Eccellente conduttività termica: ha un'eccellente conduttività termica e migliora efficacemente le prestazioni di dissipazione del calore, adatta ad applicazioni ad alta potenza.

· Buona resistenza meccanica: ha un'elevata robustezza e resistenza alla compressione ed è adatto per l'uso in ambienti difficili.

· Resistenza chimica: buona resistenza ad una vasta gamma di sostanze chimiche, migliorando la stabilità del materiale.

· Caratteristiche elettriche regolabili: regolando la concentrazione di doping, si possono ottenere diverse proprietà elettriche per soddisfare le esigenze di una varietà di applicazioni.

Parametri tecnici:

Substrato di carburo di silicio 4'' Sic 3C-N Diametro 100 mm Conduttore tipo zero MPD Grado di produzione 4

Applicazioni:

1. elettronica di potenza: per convertitori di potenza ad alto rendimento, inverter e propulsori, ampiamente utilizzati nei veicoli elettrici e nei sistemi di energia rinnovabile.

2- apparecchiature a RF e a microonde: amplificatori a RF, apparecchiature a microonde, particolarmente adatte ai sistemi di comunicazione e radar.

3Optoelettronica: può essere utilizzato come blocco di costruzione per LED e rilevatori di luce, specialmente in applicazioni blu e ultraviolette.

4Sensori: applicati a una vasta gamma di sensori in ambienti ad alta temperatura e ad alta potenza, fornendo prestazioni affidabili.

5. Ricarica wireless e gestione della batteria: utilizzato nei sistemi di ricarica wireless e nei dispositivi di gestione della batteria per migliorare l'efficienza e le prestazioni.

6Apparecchiature elettriche industriali: utilizzate nei sistemi di automazione e di controllo industriali per migliorare l'efficienza energetica e la stabilità del sistema.

Personalizzazione:

Il nostro substrato SiC è disponibile nel tipo 3C-N ed è certificato RoHS. La quantità minima di ordine è di 10pc e il prezzo è per caso. I dettagli di imballaggio sono scatole di plastica personalizzate.Il tempo di consegna è entro 30 giorni e accettiamo termini di pagamento T / TLa nostra capacità di approvvigionamento è di 1000 pezzi al mese.

I nostri servizi:

1Fabbricazione diretta e vendita.

2Citazioni veloci e precise.

3Risponderemo entro 24 ore lavorative.

4. ODM: Disegno personalizzato è disponibile.

5Velocità e preziosa consegna.

FAQ:

D: Posso personalizzare i prodotti in base alle mie esigenze?
R: Sì, possiamo personalizzare il materiale, le specifiche e la forma, le dimensioni in base alle vostre esigenze.

D: Qual è il modo di spedizione e il costo?
R: Accettiamo DHL, Fedex, EMS, ecc.
(2) Se hai un conto espresso, è ottimo. Se no, possiamo aiutarti a spedirli.
Il carico è conforme al regolamento effettivo.

Etichette:

Wafer del nitruro di gallio

Wafer dello zaffiro

Sic substrato

Zaffiro Windows ottico

Lastra di silicio di IC

Zaffiro sintetico Rod

Piatto del quarzo fuso

Parti dello zaffiro

Pietra preziosa sintetica

Attrezzatura a semiconduttore

Wafer LiNbO3

Wafer di GaAs

Wafer del fosfuro di indio

substrato ceramico

Involucro del laboratorio

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Dettagli dei prodotti

Substrato di carburo di silicio 4'' Sic 3C-N Diametro 100 mm Conduttore tipo zero MPD Grado di produzione

Sottostrato di carburo di silicio 4'

Substrato di carburo di silicio di tipo conduttivo

Substrato di carburo di silicio 3C-N

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Substrato di carburo di silicio 4" Sic 3C-N Diametro 100 mm Conduttore Tipo Zero MPD Grado di produzione

Caratteristiche:

Parametri tecnici:

Applicazioni:

Personalizzazione:

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1Fabbricazione diretta e vendita.

2Citazioni veloci e precise.

3Risponderemo entro 24 ore lavorative.

4. ODM: Disegno personalizzato è disponibile.

5Velocità e preziosa consegna.

FAQ:

D: Posso personalizzare i prodotti in base alle mie esigenze?R: Sì, possiamo personalizzare il materiale, le specifiche e la forma, le dimensioni in base alle vostre esigenze.

D: Qual è il modo di spedizione e il costo?R: Accettiamo DHL, Fedex, EMS, ecc.(2) Se hai un conto espresso, è ottimo. Se no, possiamo aiutarti a spedirli.Il carico è conforme al regolamento effettivo.

sic wafer

sic substrato

substrato del carburo di silicio

6" di silicio di alta purezza 4H-Semi SIC Wafer a semiconduttore di qualità dummy LED 5G D

Il carburo di silicio trasparente incolore sic ha lucidato la lente del wafer

D: Posso personalizzare i prodotti in base alle mie esigenze?
R: Sì, possiamo personalizzare il materiale, le specifiche e la forma, le dimensioni in base alle vostre esigenze.

D: Qual è il modo di spedizione e il costo?
R: Accettiamo DHL, Fedex, EMS, ecc.
(2) Se hai un conto espresso, è ottimo. Se no, possiamo aiutarti a spedirli.
Il carico è conforme al regolamento effettivo.