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SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

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Del grado 6inch di silicio del carburo substrati principali FITTIZI di spessore del wafer 0.5mm 0.35mm DSP 4H-N/semi sic

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La Cina Wafer SICOI da 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici 4H-SiC su isolante, film di SiC da 100 a 150 mm SU silicio distributore
Wafer SICOI da 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici 4H-SiC su isolante, film di SiC da 100 a 150 mm SU silicio

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Wafer al carburo di silicio 6H P-Type e 4H P-Type Zero Wafer al carburo di silicio 6H P-Type & 4H P-Type's abstract Questo studio esplora le proprietà e le applicazioni delle onde di carburo di silicio (SiC) ... Leggi di più
2024-09-24 17:30:38
La Cina Wafer di carburo di silicio 4H P-Type Zero MPD di produzione di grado di maniaco di grado 4 pollici 6 pollici fabbrica

Wafer di carburo di silicio 4H P-Type Zero MPD di produzione di grado di maniaco di grado 4 pollici 6 pollici
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Wafer al carburo di silicio 4H P-Type Zero MPD di produzione di qualità 4 pollici 6 pollici Riassunto di Wafer di Carburo di Silicio 4H P-Type Il presente studio presenta le caratteristiche e le potenziali ... Leggi di più
2024-09-24 17:30:38
La Cina Wafer in carburo di silicio 6H tipo P, grado di produzione standard Dia:145Spessore 350 μm ± 25 μm fabbrica

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2024-09-24 17:30:38
La Cina Wafer SIC in carburo di silicio 10*10 mm 6H-P Spessore 350μm Per dispositivi ad alta potenza fabbrica

Wafer SIC in carburo di silicio 10*10 mm 6H-P Spessore 350μm Per dispositivi ad alta potenza
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2024-09-24 17:30:38
La Cina Sic Substrato di carburo di silicio 5.0*5.0mm Quadrato 6H-P Tipo Spessore 350μm Grado nullo Grado finto fabbrica

Sic Substrato di carburo di silicio 5.0*5.0mm Quadrato 6H-P Tipo Spessore 350μm Grado nullo Grado finto
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2024-09-24 17:30:38
La Cina 2 pollici Sic Substrato di carburo di silicio 6H bassa resistenza tipo dopato ad alta P diametro 50,8 mm fabbrica

2 pollici Sic Substrato di carburo di silicio 6H bassa resistenza tipo dopato ad alta P diametro 50,8 mm
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2024-09-24 17:30:38
La Cina 6H-P Carburo di silicio SIC Substrato 6 pollici SIC Wafer 4H-P Per dispositivi optoelettronici fabbrica

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Sottostrato di SiC, Sottostrato di Carburo di Silicio, Sottostrato grezzo di SiC, Sottostrato grezzo di Carburo di Silicio, Grado primo, Grado falso, Sottostrato di SiC 4H-P, Sottostrato di SiC 6H-P, Sottostrat... Leggi di più
2024-09-24 17:30:38
La Cina 4H-P Carburo di silicio SIC Substrato 4 pollici SIC Wafer 6H-P Per deposizione di nitruri III-V fabbrica

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2024-09-24 17:30:38
La Cina Il manichino a 4 pollici del substrato del nitruro di silicio 4H-N sic classifica sic il substrato per i dispositivi di alto potere fabbrica

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2024-09-13 15:24:32
La Cina Substrato ceramico del catalizzatore dei wafer DSP di 4H-N 5x5mm sic fabbrica

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2024-09-13 15:22:41
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Sic substrato

L'elevata purezza non-ha verniciato il wafer del carburo di silicio sic, substrato del carburo di silicio di 6Inch 4H-Semi sic

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